153626

Номер патента: 1621818

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Йозеф

МПК: H01M 10/54

Метки: батарей, печатных, плат, радиодеталями, схем, утилизации, электрических, электронных, элементами

...металлов, ионы которых находятся в растворе. В результате баланс по кис-. лоте не нарушается.Металлы, которые вследствие своих электрохимических свойств не осаждаются в кислой среде (к таким металлам относятся, например, алюминий, калий, литий и натрий), могут после качала кристаллизации вследствие высокой концентрации Фторборатов отделяться путем осаждения натрия, калия и лития на амальгамном катоде. Осаждающиеся на амальгамном катоде металлы могут быть легко отделены.Со временем в электролите накапливаются другие примеси, например различные Аторбораты и микроэлементы; Электролит в этом случае может быть очищен от них путем перегонки, которая для предупреждения термического разложения борАтористоводородной кис-. лоты проводится...

Номер патента: 953612

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Зигфрид, Хубертус

МПК: G03B 7/08

Метки: камеры, схема, установки, фотографической, экспозиции

...контура делается большой и тем самым повышается точность определения времениэкспози ции.Сигнал, снимаемый с выхЬда 9, усиливается в усилителе мощности и регулирует осветительный элемент 12 наопределенную яркость которая соответствует указанным экспозиционным параметрам. Фоточувствительный элемент6 принимает вследствие этого такоезначение сопротивления, что напряжение на входе транзистора 7 становится равным нулю и процесс регулирования заканчивается. Из-за фоточувствительного элемента 18, подверженного точно также воздействию осветительного элемента 12, в схеме 19 поизвестному способу происходит нормирование времени экспозиции.Без дальнейших мероприятий описанный контур регулирования с оптической обратной связью модно былобы...

Номер патента: 1398003

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Ненарокомов, Сергеев

МПК: H01R 43/00

Метки: гнезда, колодки, контактов, соединителя, установки

...30 против паза 4. Колодка может быть вставлена справа налево, причем от воздействия на скос 14 упор 13 утопится и выйдет под действием пружины в паз 10 после продвижения колодки. Колодка 11, воздействуя на рычаг 34 через скос 38 поднимает рычаг, который, поворачиваясь вокруг оси 32, освобождает конечный выключатель 42, подготавливающий включение привода, 4 О и отогнутый конец 36 устанавливается ниже упорного буртика 30 (фиг.4). Конец рычага 35 остается опущенным в направляющий паз 10, так как колодка .11 на него не воздействует. .45При включении привода ползун 9 перемещается в направлении колодки и планкой 8 через пружины 6 и 28 движет толкатели 5 и 26. Толкатель 5 движется по пазу 4; отсекает нижний контакт 2,.который западает в паз...

Номер патента: 276523

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/28, G05B 13/02

Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных, элементов

...тест-сигнал, который подается на вход управляемой модели 1 исследуемой схемы, и сигналы угравления на блок б для проверки условий заданных ограничений на параметры вь".ходного сигнала гу. В ответ на входной сигнал и на выходе управляемой модели схемы формируется выходной сигнал гг, параметры которого автоматически измеряются блоком 2 и последовательно поступают на блок 7 анализа, в котором определяется суммарное отклснение текущих параметров выходного сигнала от заданных. Это выполняется в блоке 7 по шести командам, вырабатываемым блоком б управления.Вычисленное значение отклонения от цели с блока 7 в двоично-цифровом коде пересылается в блок 9 для определения дальнейшего направления поиска. Это достигается путем сравнения...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...