Способ измерения поверхностной плотности покрытия

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) (И 1 пф СО В 5/ ЬС ытия. 1 ил щих нзлуче ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТРО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕК АВТОРСКОМУ СВИ(71) Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом институте им. С.М.Кирова (72) О.И.Недавний(56) Бунж З.А., Вейц Б.Н., Ядченко Л.Н. Радиоизотопные рентгенофлуоресцентные толщиномеры покрытий.М.: Атомиздат, 1979, с. 5-6.Завьялкин ф.М., Осипов С,П. Методика оценки погрешности радиационного измерения концентрации бинарных систем в условиях сопутствующей примеси. - Измерительная техника, 1986, 9 5, с. 55-56. Изобретение относится к измерительной технике, а именно к средствам контроля толщины и плотности покрытий с использованием ионизируюЦель изобретения - повышение точности измерения поверхностной плотности покрытия на подложках с переменным составом путем автоматической коррекции результатов контроля по интенсивности прошедшего через подложку излучения источника.На чертеже приведен пример реализации предлагаемого способа.Изделие, состоящее иэ сложнопрофнльной алюминиевой подложки 1 с хао(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙПЛОТНОСТИ ПОКРЫТИЯ(57) Изобретение относится к измерительной технике, к средствам контроля толщины и плотности покрытий сиспользованием ионизирующих излучений. Цель изобретения - повышение точности измерения на подложках с переменным составом путем автоматическойкоррекции результатов контроля поинтенсивности прошедшего через подложку излучения источника. Выходящееиз изделия излучение регистрируетсядетектором, подключенным к устройству амплитудной селекции. Сопоставляя интенсивности излучений флуоресценции покрытия в излученйе источника, ослабленного в подложке, получают коэффициент, являющийся меройвеличины поверхностной плотности потически расположенными каналами 2 и покрытия 3, со стороны подложки облучают узким пучком 4 моноэнергетического ионизирующего излучения, находящегося в конвейере - формирователе 5 радионуклида 6. Выходящее иэ изделия излучение регистрируют сцинтилляционным детектором 7, подкпюченным к устройству 8 амплитуд" ной селекции электрических импульсов со счетчиками на выходе. Один канал устройства 8 настраивают на регистрацию импульсов с амплитудами, соответствующими энергии источника. Второй канал настраивают на регистрацию импульсов с амплитудами, соответствующими энергии рентгеновской флуорес" К(Р л г -Р ф)Уг 1 АР юг -."ф1 где- чис 1 о регистрируемых фотонов и 1"точника в отсутствии иэделия; ц а , ц - коэффициент ослабления пото .и;1 у 1 еиия подложкой для Фотонов и.тнинка, покрытием для Фотонов истон 1 иа, 11 о 1 рытием для фотонов рент 1 он-,.к : Флуоресценции покрытия соот 1 стс тг,н. ; К - коэффициент преобра.,1 1:11111 Фотонов излучения источ- ника и 1,-о 11 в рентгеновской ФлуоресЦ Е Н11 И П 1 К 1; Ь 1 И ЯСоставитель В.ГарнасовТехред А.Кравчук Корректор Л,Патай Редактор Е,Япп Заказ 6373/39Тираж 683 Подписное ВЙЯПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 цеиции покрытия, возбужденной источником. Таким образом, первый счетчикза установленный интервал наблюдениязафиксирует Х импульсов, вызванныхфотонами радионуклида 6, и Иьимпульсов, вызванных фотонами рентгеновской флуоресцеиции покрытия 3. Сопоставляяи И путем деления, получают коэФАициент, являющийся меройвеличины поверхностной плотности покрытия.Следовательно,)Таким образом,результаты измерения не зависят не только от свойств подложки, но и от стабильности начального потока излучения. Способ измерения поверхностнойплотности покрытия, заключающийся втом, что на объект контроля направляют первичный поток ионизирующегоизлучения, регистрируют интенсивность 15 прошедшего через объект контроляизлучения, соответствующую двум уровням энергий, и определяют величинуповерхностной плотности, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повы шения точности измерения поверхностной плотности покрытия на подложкахс переменным составом, первичный поток излучения направляют на объектконтроля со стороны подложки, в качестве одного уровня энергии выбираютуровень энергии источника ионизирующего излучения, в качестве другогоуровня - уровень энергии реитгеновс"кой Флуоресценции, возбужденной первичным потоком в покрытии, а величинуповерхностной плотности определяютпо отношению интенсивностей излучеиия выбранных уровней.