Теплоотражающая обмазка

Номер патента: 883631

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Беседин, Классен, Панченко

МПК: F27B 7/22

Метки: вращающейся, зоне, обмазки, печи, спекания, толщины, футеровке

...в пылеосадительной камере. Работа этого контура заключаетсяв следующем.8836 15 Длину факела, а следовательно, и протяженность образования обмазки в высокотемпературной зоне печи, можно изменять количеством избыточного воздуха, подводимого в зону горения топлива. При обжиге клинкера во вращающихся печах объем избыточного воздуха регулируется запечными дымососами. Причем, чем больше дымососы создают разрежение за обрезом холодной печи (при неизменных теплообменных устройствах), тем больше воздуха просасывается в печь и тем выше коэффици ент и збыт ка, воздуха - А. в зоне горения. При увеличении коэффициента избытка воздуха возрастает скорость газового потока, а факел смещается в сторону холодного конца печи. Это приводит к образованию...

Номер патента: 431218

Опубликовано: 05.06.1974

Авторы: Афошкин, Изобретени, Казберюк, Листопадов, Плахтин

МПК: C21B 7/18

Метки: аппарата, доменной, засыпиого, конусом, печи, ь1

...15нагрузками на звенья системы и на копер доменной печи. Это приводит к раскачиваниюкопра, ударам конуса о чашу, нарушениюцентровки элементов засыпного аппарата, чтообусловливает снижение стойкости аппарата. 20Кроме того, уменьшается срок службы каната. Устройство состоит из балансира 1, связанного канатом 2 через направляющий блок 3 с лебедкой 4, Направляющий блок 3 выполнен подвижным в направлении стрелок А и Б и снабжен приводом 5. Балансир штангой б соединен с конусом 7 засыпного аппарата.Устройство работает следующим образом.Перед открыванием конуса подается команда на привод подвижного блока. Блок, перемещаясь в направлении стрелки А (предпочтительно перпендикулярно канату), создает натяжение в канате, равное рабочему, т,...

Номер патента: 1325785

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Гуревич, Дудеров, Розе

МПК: B32B 18/00

Метки: конструктивно-теплоизоляционного, элемента

...0,14 0,17 0,18 0,16 0,17 0,44 3-10 мм 70. После чего двухслойнаятеплоизоляция готова к эксплуатации.П р и м е р 2. По аналогичнойпримеру 1 технологии готовят двух 5слойную теплоизоляцию следующего состава, мас.Е: огнеупорный слой: алюмофосфатное связующее 45, динасовыйпорошок 55, теплоизоляционный слой:Фосфозит фракции 10-30 мм 35, фосфозит фракции 3-10 мм 65.П р и м е р 3. По аналогичнойпримеру 1 технологии готовят двухслойную теплоизоляцию следующего состава, мас.Х: огнеупорный слой: алюмо"5Фосфатное связующее 55, динасовыйпорошок 45, теплоизоляционный слой:Фосфозит Фракции 10-30 мм 40, фосфоэит фракции 3-10 мм 60,П р и м е р 4. По аналогичнойпримеру 1 технологии готовят двухслойную теплоизоляцию следующего состава, мас.7.:...

Номер патента: 340408

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Козлов

МПК: A61B 5/08

Метки: калибровки, кардиолокаторов, ультразвуковых

...имеет место только,при движении лоцируемого объекта, а его уровень и частота зависят от ско рости отражательной способности объгкта ихарактеристик всего акустического тракта в целом, то для осуществления указанной калибровки в предлагаемом устройстве используется подвижный тест-объект, размеры, аку стические параметры и скорость движения ко.8 аказ 1926 одписиое ография, пр. Сапунова, 2 торого выбраны в соответствии с их значениями для исследуемых биологических сред.Таким образом, калибровка осуществляется с помощью тест-объекта отра;кателя ультразвуковых колебаний, совершающего движения, имитирующие движения исследуемых участков сердца.В основу работы устройства положен принцип испытания измерительных систем импульсами прямоугольной...

Номер патента: 1026290

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Турченков

МПК: H03K 3/281

Метки: мультивибратор, одноемкостной

...соединена с коллекторомвторого транзистора 21.Недостатками укаэанного мультивибратора являются малая нагрузочная способность и сравнительно низкий КПД.Иель изобретения - повышение КПДи увеличение нагруэочной способностимультивибратора,Поставленная цель достигается тем, ЗОчто в одноепсостной мультивибратор,содержащий три. транзистора, у которыхэмиттер первого транзистора соединен собщейшиной, его база через последовательно соединенные первый резистор и З 5конденсатор - с коллектором второготранзистора, а коллектор через второйрезистор - с базой второго транзистора,эмиттер которого соединен с шиной первого источника питания, коллектор третье го транзистора через третий резистор соединен,с базой первого, а база черезчетвертый резистор - с...