Устройство для изучения напряженно-деформированного состояния объекта

Номер патента: 1657979

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Врублевский, Кружков, Огар, Пронченко, Селиванов, Сероштан

МПК: G01L 1/12

Метки: металлов, механических, напряжений, объектах, ферромагнитных

...градуировочному его значению, котороеустанавливается между преобразователем и объектом перед измерением механических напряжений, Контроль величины емкости образцового конденсатора 8позволяет учесть влияние внешних факторов на величину емкости между преобразователем и объектом и, следовательно, на точность установки магнитногосопротивления зазора, Конденсатор 8подключается к блоку контроля 5 клюом 9. Электропронодящее покрытие 4крепится к полюсам магнитопронода 1,например, к клеммам 1 И,Для уменьшекия влияния на точность 25измерения механических напряженийвихревых токов, создаваемых рабочиммагнитным потоком н электропронодномпокрытии 4 толщина Ь покрытия 4 недолжна превышать величины ), 1, гдеглубина проникновения нихреныхтоков н...

Номер патента: 785643

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Врублевский, Рудашевский

МПК: G01B 7/24

Метки: механических, напряжений, объектах, ферромагнитных

...собой Ш-об3 ф Ф ффюдфцфф785643разный ферритовый сердечник с вытянутыми в направлении одной оси измерительной и дополнительной катушками 2 и 3 расположенными на среднем стержне сердечника, блок 4. установки тарировочного значения величины магнитного сопротивления зазора, включающий автогенератор 5, в параллельный колебательный контур которого включена катушка 3, усилители 6 и 7 и 8 обФазообраэующую частотноэависимую ццепь робратной связи, блок 9 измерения величины механических напряженийФ включающий второй автогенератор вР колебательный контур которого включена измерительная катушка 2 и частотомер 10.оЧастотнозависимая цепь 8 обратной связи обеспечивает в определенном диапазоне изменения магнитного сопротивления воздушного зазора...

Номер патента: 1062512

Опубликовано: 23.12.1983

Автор: Ялов

МПК: G01B 7/16

Метки: напряжений, неоднородных, объектах, остаточных, структуре

...которого превышает длину зоны материала с измененной структурой, измеряют его сопротивление, изменяют напряженное состояние материала путем приложения внешней нагрузки, измеряют сопротивление тензорезистора, удаляют часть материала объекта и снова измеряют сопротивление тензорезистора, а по соотношению измеренных сопротивлений определяют остаточные напряжения 12).Однако и этот способ требует удаления из объекта большого количества материала, так как это количество связано прямой пропорциональной зависимостью с базой тензорезистора, в связи с чем способ обла,дает большой трудоемкостью. Целью изобретения является снижение трудоемкости за счет уменьшения количества удаляемого с объекта материала.Эта цель достигается тем, что согласйо...

Номер патента: 1404799

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Егоров, Мигаль, Рвачев, Ульянов, Чугай

МПК: G01B 7/16

Метки: диэлектрического, напряжений, объекте, остаточных

...конденсатора 1. Затем с помощью коммутатора 5 соединяют между собой и с одной из выходных шин коммутатора все обкладки 2, находящиеся с одной стороны объекта 4, а между собой и с другой выходной шиной коммутатора 5 все обкладки 2, находящиеся с другой стороны объекта 4, При таком включении матричный конденсатор 1 превращается в обычный двухобкладочный конденсатор, охватывающий всю поверхность объекта с обеих сторон. Изменяя частоту генератора, измеряют посредством измерителя 6 диэлектрическую проницаемость на различных частотах, в том числе и в высокочастотной области. Выполняя графическое или численное дифференцирование, определяют частоту, для которой имеет место наибольшее значение производной диэлектрической проницаемости по...

Номер патента: 1177664

Опубликовано: 07.09.1985

Автор: Янышев

МПК: G01B 17/04

Метки: внутренних, контролируемого, напряжений, неупругих, объекта, составляющих

...нагревахарактеризует искомый режим, Параметры режима зависят от энергиинакопленных дефектов структуры,т.е,могут изменяться для определенногоматериала в широких пределах. Так,для Ст.45 они составляют : Т =560 С,= 140 мин, Б ( 120 С, Подвергают все образцы стабилизирующему отжигу на найденном режиме иподбирают для них режим механичес-кой обработки поверхности резанием, создающий в поверхностномслое взаимно компенсирующие дефектыструктуры.Обработка конструкционных материалов резанием сопровождаетсякак силовым,так и тепловым эффектом.Силовое воздействие вызывает сжимающие деформации, а тепловое - растягивающие. Это позволяет подобратьрежим чистовой обработки, при котором силовое и тепловое воздействиявзаимно компенсируются, т.е....