Способ измерения порогов объемного оптического пробоя прозрачных материалов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИА ЛИСТ ИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 328 5 С 01(57) Изобретвой электроизмерения покого пробоя МЕРЕНИЯ ПОРОГОВ ГО ПРОБОЯ ПРОЗР БЪЕ 11 НЫХ ние относится к кван гке и дназначено емного опт для. чесго элементо ерных с у 3 хф 3 -1 ху) 1 х пСх 1"(1.х 3)пороговых. Способ осуществляв разом,едующим оК пах 3- (уПх 3, п 1 к 1-(1 х 3) 2 1 ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЛМПРИ ГКНТ СССРАВтарСному сниДЕтЕльетВ 23.09,90,Бюл, Ф 354295723/24-2507,08.87В.1.Крутякона и В.Н621,375,8(088.8)Алешин И.В. и др, 0ость слабопоглощаюц- Л. ЛДНТ 11,;1974,торское свидетельст7023, кл, С 01 М 17 1Изобретение относится к квантовой электронике и предназначено для измерения порогов объемного оптического пробоя прозрачных материалов, используемых, в частности, для изготовления элементов лазерных систем.11 елью изобретения является сокращение времени измерений и затрат материала на производство измерений,В большинстве практически важных случаен оптический пробой в объеме прозрачного диэлектрика инициируется нагревом поглощающих неоднородностей,В основу метода положено существование зависимости от плотности мощности числа микрораэрушеинй, обусловленных поглощающими неоднородностями и появляющихся при интенсивностях выше тем. Цель изобретения - сокращение времени измерений и затрат материала. Для этого образец облучают серией и азерных импульсов с гауссовым расределением интенсивности с произвольными значениями интенсивности Чо Ч.Ч , измеряют для каждого значения 1. число микроразрушений И;, появившихся после облучения, и вычисляют порог пробоя 1," иэ соотношения 1 КЧ=-Ь/К, где Ь и 1 - параметры ли- нейной зависимости И=К 1 п 1+Ь, рассчи танные методом наименьших квадратов, При этом при расчете 1 уменьшается реальное число облучений, обусловленное нестабильностью существующих источннкон излучения. 2Образец облучают серией и лазерных импульсов с гауссовым распределе нием интенсивности с различными произвольными значениями интенсивности Ч;=Ч 1.,Ч , превьгаающими пороговуюоблучая каждый .раэ новое место образца, Далее для каждого значения интенсивности Ч; подсчитывают числоБ, микроразрушений, появнншихея в ис следуемых областяхкристалла после облучения. Результаты измерений Б; и 1. аппроксимируют линейной эависимостью Н=К 1 пп+Ь, значения параметров которой К=ТгСЬ и Ь=-юг СЫпЧ рассчитынают методом наименьших квадра- тов1475328 4вались образцы размерами в 1 О раз меньше тех, которые требуются при измерениях иэвестныии способами. формула и э о б р е т е н и я где Ь,К - параметры линейной эависи"мости числа разрушений Яот интенсивности П импульсов;.О = К 1 пц+Ь, рассчитанные методом наименьших квщрвтовпо измереннйи значениям.ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР11335, Москва, ЖРаушсквя нвб., д. 4 ЛВаеВПроизводственно-издательский комбинат ."Петен+", г,ужгород,. Ул. Гагарина,101 гдь ущ Н, х ) Й 1 пцраф н,Вйв параметр гауесова распределеийя интейсйвности 1Н " характерный размер области,в. которой производят подсчетмикрораэруаеняй. 10Далее вычисляют порог аробоя 1 иэ соотношенияЬКпярИэ приведенных соогношеиий можио 1 З . вычислить С С (ФгН)К.Способ-опробован на промышленных образцах щелочно-галоидйых кристаллов" хлористом натрии:и хлористом калии. В экспериментах.использовался иипульсный ТВА СО лазер с длитель ностью импульса примеряо ,.1,5 мксРадиус пятна воздействия 0,45 мм. Излучение фокурнровалось в объем образцов размерами 100 х 100 хбО мм наглубину 40-50.мм.линзой с Фокусным . расстоянием около оОО мм. Требуемая точность изиерения ч й 2 Х;Полученные значения порогов пробоя Зсовпали с результатами измерений другиии известныин способами, но при этом время нв проведение измеренийбыло сокращено в 10 раэ ииспользоСпособ измерения порогов объамного оптического пробоя прозрачных материалов, заклюючающнйся в облучении материала серией и лазерных импульсов с интенсивностями, большимя аорогового значения, при этом каждый импульс иэ серии воздействует на разные участки исследуемого материала, о,.т л н " ,ч в ю щ и й с я теи, что, с целью сокращения времени измерений и затрат материала, измеряют значения интенсивностей ц , 1,2,п .кввдого им 1пульса, подсчитывают число О 1 микро- . раэруэ 1 ений, появившнхся в йсследуемои участке материала после квжКого им-. пульса, а порог определяют из соотношения.Ь1 пц-. -,К