Электролюминесцентный экран

Номер патента: 727764

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Лаптева, Чернышев

МПК: E02D 27/34

Метки: воздействия, грунта, защиты, зданий, колебаний, сооружений, фундаментов, экран

...от воздействия колебаний грунта включает образованную на расстоянии 20 от здания, сооружения 1 по его периметрутраншею 2 с переменным поперечным сечением по высоте и размещенный в ней погло, щающий колебания материал 3, одна из стен 4 траншеи выполнена по выпуклой кри727764 Формула изобретения д. Сидфрич СоставительТехред К. ШТвраж 713арственногозобретенийЖ - 35, Раут, г, Ужгоо ороваКорректорПодпнснота СССРытнйаб., дПрое едактор Г. Мозжечков ааказ 1091/30ЦНИИПИ Госупо делам113035, Москва,Филиал П ПП с Пате ком ите и откр шскан н од, ул. 4/5 ктнаи 13вой второго порядка или может быть выполнена по окружности.Траншея перекрыта плитами 5, опирающимися на угловые элементы 6.Часть поверхностных волн 7 сейсмического толчка, встречая на...

Номер патента: 139024

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Кудрявцев, Людмирский, Лямичев

МПК: H01J 29/44

Метки: экран, электролюминесцентный

...детектирования переменного напряжения диодным элементом 1. Подача импульсного сигнала от источника коммутирующего б напряжения переводит электролюминофор 1 в возбуждающее состояние которое сохраняется сколь угодно длительное время бла 9 года ря детектированию синусоид ального напряжения диодом39024 При этом синусоидальное напряжение на электролюминофоре 1 привязывается по верхушкам положительной полуволны, что равносильно появлению постоянной составляющей, равной половине размаха синусоиды. Постоянная составляющая деполяризует сегнетоэлектрик 2, приводя к возрастанию переменного напряжения на электролюминофоре 1.Следовательно, каждый элемент экрана будет обладать двумя устсйчивыми состояниями: с поляризованным сегнетоэлектриком,...

Номер патента: 243703

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Мичев, Таборко

МПК: H01J 31/30

Метки: индикаторный, матричный, подачи, сигнала, экран, электрического

...У;1 (см. фиг. 2).Вертикальная шина б, пересекающая выбранный элемент, подключается к напряжению - У (см. фиг, 1) или У;1 (см. фиг. 2).При этих условиях возбуждение всех элементов экрана, кроме выбранного элемента б, будет оставаться неизменным независимо от подачи сигнальных напряжений и равным 15 напряжению К а изменение фазы напряжений, возбуждающих элемент б, пе приводит к изменению условий возбуждения.На выбранном элементе будет создано повышенное напряжение 3 сс (см. фиг. 2) или 20 )/ 3 У (см. фиг. 2). После снятия повышенного возбуждающего напряжения элемент б остается возбужденным, так как сопротивление фотопроводника вследствие освещения световым потоком от электролюминофора 25 будет мало, и все напряжение будет падатьна...

Номер патента: 779722

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Мусанов, Фридлендер

МПК: F16L 59/06, F16L 59/065, F16L 59/08

Метки: теплозащиты, экранно-вакуумной, элемент

...- уменьшение теплопередачи остаточным газом.30 цель достигается тем, что среднийэкран установлен вблизи экрана, обращенного к среде с более высокой температурой, на расстоянии(0,3-0,01)В,где о - расстояние между крайними15 экранами.На чертеже схематически изображенпредлагаемый элемент.Элемент панели состоит из трех экранов 1-3, выполненных из фольги,20 разделенных друг от друга стекловуалью 4, и зернами керамического порошка 5. Технически Фиксация асимметрии может быть осуществлена либо использованием тканей(с разным диамет 25 ром волокон) в качестве прокладок,либо разным числом этих прокладок,либо использованием разных по структуре4Ф 779722 три теплоизолированных друг от друга экрана, средний из которых выполнен с перфорацией,о т л...

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...