Способ мелиорации

Номер патента: 653277

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Власов, Горак, Каган, Либин, Марков, Сагалаев, Середницкий

МПК: C08L 67/02

Метки: активной, композиция, пленки, поверхностью, шероховатой

...(ПП) с добавлением 15 вес.ч. метиленмочевины (ММ). Расплав смеси экструдируют через плоскощелевую головку при 250-300 С на охлаждающий барабанс температурой 50-80 С в пленку толщиной 200-250 мкм, которую вытягивают в продольном направлении в 3,5 раза, а в поперечном направлении в 3 раза при 100 С. ПленкУ толщиной 20-40 мкм дальше поцвергают термообработке при 200-220 С в течение 0,5- 1 мин. Го:свая пленка имеет характеристики, приведенные в табл,1П р и м е р 2. Сухую смесь 100 вес,ч, ПЭТФ, 15 вес.ч. ПП и 1 вес.ч. ИМ перерабатывают в пленку аналогично примеру 1. Полученную пленку вытягивают в продольном направлении в 2,5 раза при температуре ориентации 90 С, Термообработку проводят аналогично примеру 1. Готовая пленка толщиной 40-70 мкм...

Номер патента: 1103071

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Гинзбург, Домород, Кожаринов, Федевич

МПК: G03B 41/00

Метки: внутренней, дефектов, обнаружения, осесимметричных, отверстий, поверхности, труб

...вызванное неоднородностью электрического поля у края трещины. Кроме того,снижение чувствительности устройства происходит из-за наличия между контролируемой поверхностью и токопроводящей обкладкой конденсатора сетки из изоляционного материала, которая вносит дополнительное искажение в распределение электрического поля поа разрядному промежутку.Целью изобретения является повышение чувствительности.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для обнаружения дефектов на внутренней поверхности осесимметричных отверстий и труб, содержащее генератор высокой частоты и токопроводящую обкладку конденсатора, обкладка конденсатора выполнена в ви" де металлического электрода, имеюще-, го форму электрода Роговского,закрепленного по оси...

Номер патента: 1640666

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Гайдялис, Ивашкене, Лауринавичюс, Скаржинскас

МПК: G03G 21/00, G11B 3/58

Метки: диэлектрической, обеспыливания, пленки, поверхности

...что обусловливает резкое увеличение отталкивания между частицами пыли и поверхностью пленки. Одновременно производится обдув поверхности пленки воздушной струей и отсос загрязненного, Затем обрабатываемая пленка передвигается над заземленным металлизированным валиком, где потенциал уменьшается до прежней величины. При дальнейшем передвижении над воздушным промежутком скачок потенциала повторяется, что способствует разделению пылинок от поверхности пленки, которые не были удалень 1 при первом резком увеличении потенциала. Таким обра-, зом, скачки потенциала поверхности и частиц пыли повторяются несколько раз. По окончании обработки пленки воздушной струей она поступает в зону электрической нейтрализации, где блок 6 нейтрализации...

Номер патента: 112522

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Крыжановский, Кузнецов

МПК: H05B 3/12

Метки: двуокиси, кварца, керамики, олова, плавленого, пленок, поверхности, полупроводниковых, термостойких

...при нагреве вышеуказанной температуры теряют своиполупроводниковые свойства.Описываемый способ отличаетсяот известных тем, что в структурупленки двуокиси олова вводят примесь ионов сурьмы и затем термически обрабатывают изделия с пленкой при температурах 950 в 10 втечение 20 - 50 мин.Введение примеси сурьмы в пленку осуществляют путем доба вления в раствор для пульверизации от3 до 10% (по отношению к весу четыреххлористого олова) хлористойсурьмы. В случае нанесения пленокпутем обработки изделия в парахдвуххлористого олова, к последнемудобавляется от 5 до 25 во хлористойсурьмы,Указанный способ получения пленок позволяет расширить предел исПредмет изобретения1. Способ получения термостойких полупроводниковых пленок двуокиси олова на...

Номер патента: 1422005

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Витман, Гребенюк, Зайченкова, Суминов

МПК: G01B 21/30

Метки: качества, отверстий, поверхности, цилиндрических

...внутри детали контролируется лишь 3/4 периметра. Рассеянный на дефектах цилиндрической поверхности световой поток воспринимается секционным волоконно-оптическим световодом 10 и направля-ется на соответствующие приемники 11 излучения. Сканирование поверхности осуществляется при поступательном перемещении устройства вдоль оси детали, которое обеспечивается любым известным приводом 13. Когда устройство переместится так, что расстояние от фокусируюшей линзы 7 до торца отверстия детали 8 будет равно фокусному расстоянию линзы, что обеспечивается любым известным датчиком 12 положения, блок 9 перемешает луч лау зера 1 параллельно самому себе на входной торец световода 5. Пройдя по свето- воду и сфокусировавшись цилиндрической линзой 7 в...