Способ измерения магнитных полей

Номер патента: 1307997

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Глушкова, Домбровский, Пронякин, Стройковский, Шейкин

МПК: G01N 23/12

Метки: датчиков, зондов, контрольно-калибровочное, нейтронных

...Ь, замедляющей способности замедлителя 1,Е. или размещаемыена различном расстоянии от оси каналадля ввода датчика-зонда.30 Это позволяет изменить нейтронныехарактеристики устройства таким образом, чтобы они соответствовалинейтронным характеристикам реальногоматериала, влажность которого необхо димо измерятьУчитывая, что ряд нейтронных датчиков-зондов выполняется с расположением источника 6 быстрых нейтронови детекторов 7 медленных нейтронов 4 О в одной плоскости и при этом толщинадатчика-зонда составляет менее 1/5его высоты, основной поток нейтроноврегистрируется с боковых направлений,и замкнутый цилиндрический экран из45 эамедлителя может быть заменен надве пластины (10, 12), симметричнорасположенные, какпоказано на фиг.3,параллельно...

Номер патента: 1129652

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Костин, Прохоров, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменного, запоминающего, источник, магнитного, поля, устройства

...конструкцияпредложенного устройства,Источник вращающегося магнитногополя для доменного запоминающего устройства содержит две многовитковые обмотки1, последовательно и поочередно охватывающие основания 2 с доменосодержащими 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 кристаллами 3. Основания 2 скреплены направляющими штырями 4,Обмотки формируют из одного замкнутого и одного разрезного шлейфов изолированного провода, витки которого, прилегающие без зазоров друг к другу, скреплены клеем.Вследствие особенностей связи между обмотками источник имеет нечетное количество областей перекрытия обмоток, т.е. предназначен для нечетного количества оснований с кристаллами.Источник работает следующим образом.При подаче напряжений питания на выводы обмоток в...

Номер патента: 1437812

Опубликовано: 15.11.1988

Автор: Смирнов

МПК: G01R 33/02

Метки: дипольного, источника, координат, магнитного, момента, поля

...аднорадого магнитного 35 поля достигает значения, разного с величине, но пративополажага по прав.еию вешему однородному магнитному полю, действующему на Ферразонды на гг:сдах кампаратаров 19 40 и 20 появляются сигналы, саатветсти лвующие состояию 0 , а следовательно, выход тактовых импульсаг, с элемента 21 или 22 прекращаетсл, Поэтому при аличи только однородага магнитага поля, действующес; на преобразователи 1 - 5, выходной сигнал с этих преобразователей равен нулю что исключает вливие однарбднагамагнитного поля на измерение разостей составляющих векторов гпдукции,магнитного поля, созданаго дипалем, и расширяет динамический диваза пвсобразователей 1 - 5, блока 610 12 - 6 а измерению еадиарадых магнитных палей, а...

Номер патента: 1036327

Опубликовано: 23.08.1983

Автор: Савин

МПК: A61M 23/00

Метки: органа, полого, силы, сопротивления, тканей, трубчатого

...органа, общий вид,Устройство для определения силысопротивления тканей полого трубчатогооргана содержит полый трубчатый корпус 1 ЗОс рукояткой 2 и установленный в корпусебуж 3, Устройство снабжено также приводным механизмом 4 перемещения, установленным в рукоятке 2 и воздействующим нв буж 3, Буж 3 соединен с шайбой 5установленной в корпусе 1, с двух сторонкоторой установлены пружина 6 прямогодействия и пружина 7 обратного действия.В корпусе 1 также установлены индуктивная катушка 8 и сердечник 9, которыйсоединен с шайбой, На поверхности корпуса 1 укреплена рейка 10 с зубцами,соединенная с механизмом 4 перемещения.В рукоятке 2 установлен эпектродвига -; 27 1тель 11, связанный с механизмом 4 перемацення .Устройство функционирует следуюшям...

Номер патента: 1249586

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Заблоцкий, Мельничук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, магнитного, магнитных, поля, смещения, устройстве, формирования, цилиндрических

...магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, потзволяет плавно регулировать напряжен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ность магнитного поля в запоминающем модуле без снижения временнойстабильности магнитов по отношению к процессам старения,П р и м е р, В соответствии спредлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных...