Терморезисторный датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)4 С 01 Ь 2 ЮСРодОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ с ю А ( ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Пензенский политехнический институт(56) Лекк Дж. Измерение давления в вакуумных системах. М., 1968, с.59.Авторское свидетельство СССР В 1040358, кл. С 01 Ь 21/12, 1983. (54) ТЕРМОРЕЗИСТОРНЪЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИ (57) Изобретение может быть использо вано для измерений давления разрежен ного газа в вакуумных установках различного назначения. На основании 2датчика установлен сильфон 5, внутрикоторого размещено коромысло 7 с опорой 8. К одному плечу коромысла 7прикреплены проволочная тяга 9 и пружина 10. Нить 3 терморезистора закреплена между стойками 4, смонтированными по краям плеч коромысла 7.Штуцер 6 сообщает внутреннюю полостьсильЛона 5 с измеряемой средой. Увеличение теплоотдачи нити 3 при возрастании давления приводит к повышению чувствительности датчика в диапазоне низкого вакуума. 1 ил,1392407 Посредством штуцера 6 датчик устанавливается на объекте измерения и его полость сообщает внутреннюю полость сильфона с измеряемой средой. При увеличении давления увеличивается теплоотдача с нити 3 за счет повыше ния теплопроводности газа и за счет отклонения нити термореэистора 3 от вертикали, что повышает теплоотдачу путем конвекции и повьппает, тем са" мым, чувствительность в диапазоне низкого вакуума. Формула и э о б р е т е н и я Составитель И.СумцовТехред М.Ходанич Редактор Л,Повхан Корректор А.Обручар Заказ 1883/45 Тираж 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к приборостроению и может быть использованодля измерения давления разреженногогаза в вакуумных установках различного назначения.Целью изобретения является повышение чувствительности в диапазоне низкого вакуума.На чертеже представлено устройство,Термореэисторный датчик давлениясодержИт корпус 1 с основанием 2,манометрический преобразователь стерморезистором в виде нити 3, закрепленной между стойками 4, сильфон5, Сильфон 5 установлен на основании2 датчика. Приемная полость штуцера6 соединена с внутренней полостьюсильфона 5, Внутри полости сильфона 2 О5 размещены подвижное коромысло 7 сопорой 8, проволочная тяга 9 и пружина 10. Опора 8 установлена на основании 2 датчика. По краям плеч коромысла 7 расположены две стойки 4, 25между которыми закреплена нить терморезистора 3. Подвижное коромысло 7имеет ось 11 вращения. Проволочнаятяга 9 прикреплена одним концом ккрышке сильфона 5, а другим - к плечу 3 Окоромысла 7. К этому же плечу коромысла 7 прикреплен один конец пружины10, второй конец которой прикрепленк опоре 8 у.основания датчика.Термореэисторный датчик давления35работает следующим образом. Терморезисторный датчик давления, содержащий корпус, манометрический преобразователь с терморезистором в виде нити, закрепленной между двумя стойками, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности в диапазоне низкого вакуума, он снабжен сильфоном, подвижным коромыслом с опорой, проволочной тягой и пружиной, причем сильфон установлен на основании корпуса и сообщен своей внутренней полостью с измеряемой средой, подвижное коромысло с опорой установлены на основании кор пуса во внутренней полости сильфона, стойки смонтированы по краям плеч коромысла, которое соединено проволочной тягой с крышкой сильфона, а пружиной - с опорой.
СмотретьЗаявка
4135015, 20.10.1986
ПЕНЗЕНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ВАСИЛЬЕВ ВАЛЕРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, БЕЛОВ АРКАДИЙ ВИКТОРОВИЧ, ТИХОНОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ, ГОРБАЧЕВА АНТОНИНА ВАСИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G01L 21/12
Метки: давления, датчик, терморезисторный
Опубликовано: 30.04.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1392407-termorezistornyjj-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Терморезисторный датчик давления</a>
Предыдущий патент: Индикатор давления
Следующий патент: Способ градуировки тензометрической аппаратуры для измерения сигнала высокотемпературного тензорезистора, установленного на исследуемом объекте
Случайный патент: Сейсмостойкий фундамент