Сверхвысокочастотная печь

, 137627 19) 5 В б/6 151) ВИМА САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ледователеактивоввеществ онног ельнико во СССР1983,СССР1981. АСТОТНАЯ ПЕЧЬм,б. использова(54) СВЕРХВЫСОКО (57) Изобретение для термообработ Цель, изобретения сивности нагрева алов и диэл. мат - повышение нте о маатывае 0 а Мащср Юай ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(71) Всесоюзный научно-исский институт химическихи особо чистых химическихи 11 осковский институт элемашиностроения(56) Авторское свидетельсР 1113910, кл. Н 05,В 6/6Авторское свидетельств9 965033, кл. Н 05 В 6/64 териала, увеличение надежности и исключение пробоя. СВЧ-печь содержит камеру 1 нагрева, круговую ребристую структуру 2 поверхностной волны, ввод 3 СВЧ-энергии, балластную нагрузку 4, диэл. контейнер 5 для обрабатываемого материала. Структура 2 и контейнер 5, расположенный в ней с возможностью вращения, выполнены в форме тела вращения. Ввод 3, являющийся центром структуры 2, расположен в нижней части тела вращения. Нагрузка 4 имеет кольцевую форму и расположена .по периферии структуры 2, Для увеличения надежности и исключения пробоя не менее половины пазов струк- с туры 2 заполнены жидким диэлектриком 7. Пазы, от 1/3 до 2/3, начиная от центра, выполнены вертикальными, а остальные - горизонтальными. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.Изобретение относится к сверхвысокочастотному СВЧ) нагреву и можетиспользоваться для термообработкидиэлектрических материалов, напримеррастворов и порошков химических реактивов, особо чистых химических веществ, фармацевтических препаратов,прц их малотоннажном производстве.Цель изобретения - повышение интенсивности нагрева обрабатываемогоматериала, увеличение надежности иисключение пробоя.На чертеже изображена конструктивная схема сверхвысокочастотцой 15печи,Сверхвысокочастотцая печь содержиткамеру 1 нагрева, круговую ребристуюструктуру 2 поверхностной 1 олны, выполненную в форме тела вращения, ввод 203 СВЧ-энергии, балластную нагрузу 4,диэлектрический контейнер 5, выполненный и форме тела ращения, для обрабатываемого материала 6, жидкий диэлектрик 7, крышку 8, штуцер 9, горловину 10 диэлектрического контейнера.Пазы круговой ребристой структуры 2от 1/3 до 2/3, начиная от центра выполнены вертикальными, а остальныегоризонтальными. 30Сверхвысокочастотцая печь работает следующим образом,В диэлектрический контейнер 5 через горловину диэлектрического контейнера 10 заливают обрабатываемьй материал 6 примерно до уровня жидкого диэлектрика 7, через балластную цагрузку 4 подают воду, включают вра- щение диэлектрического контейнера 5 и через ввод 3 СВЧ-эцергии в круго 40 вую ребристую структуру 2 поверхностной волны подают СБЧ-эцергию в камеру 1 нагрева, СВЧ-энергия разогревает обрабатываемый материал 6, при этом и районе ввода энергии. где СВЧ электрическое попс имеет наибольшую напряженность, происходит цаиболее интенсивное ее поглощение. Жидкий диэлектрик 7 исключает возможность пробоя ц практически це поглощает энергии.При распространении по круговой ребристой структуре поверхностной волны напряженность СВ 1-поля и интенсивность поглощения СВ 1-энергии постепенно падают, а неиспользованная55 часть энергии поглощается в периферийВНИИПИ Заказ 799/57Произв.-полигр. пр-тие, г. ной балластной нагрузке 4. Через горловину 10 диэлектрического контейнера 5 отводят образующиеся пары и при необходимости добавляют порциями непрерывно обрабатываемый материал. Наблюдение за ходом упаривания раствора, превращением его в порошок и завершением сушки ведут визуально через перфорированную крышку 8 и по температуре воды на выходе из балластной нагрузки 4. На завершающей стадии процесса, когда скорость сушки и количество поглощаемой порошкообразным материалом СВЧ-энергииуменьшается, а температура воды на выходе из балластной нагрузки 4 увеличивается, уменьшают подаваемую СВЧ-мощность,Формула изобретения1, Сверхвысокочастотная печь, содержащая камеру нагрева, в которой расположена круговая ребристая структура. поверхностной волны, ввод СВЧ- энергии, диэлектрический контейнер для обрабатываемого материала, балластнуо нагрузку, о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что, с целью повышения интенсивности нагрева обрабатываемого материала, круговая ребристая структура поверхностной волны и диэлектрический контейнер, расположенный в ней с возможностью вращения, выполнены в форме тела вращения, ввод СВЧ-энергии, являющийся центром круговой ребристой структуры поверхностной волны, расположен в нижней части тела вращения, балластная нагрузка имеет кольцевую форму и расположена по периферии круговой ребристой структуры поверхностной волны.2. Печь по п.1, о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что, с целью увеличения надежности и исключения пробоя, не менее половины пазов круговой ребристой структуры поверхностной волны заполнены жидким диэлектриком.%3. Печь по п.1, о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что пазы круговой ребристой структуры, от 1/3 до 2/3 начиная от центра, выполнены вертикальными, а остальные - горизонтальными.ПодписноеТираж 833Ужгород, ул. Проектная, 4