Погружной полупроводниковый преобразователь

Номер патента: 1354280

Авторы: Егоров, Мокрушев, Полещук, Шатерников

ZIP архив

Текст

(б 11 4 Н 01 . 25/02 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Д ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ роипод- трое САР ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Всесоюзный заочный машинотельный институт(56) Ястребов В.С. и др. Систеэлементы глубоководной техникиводных исследований. - Л,: Судоние, 1981, с. 56-76, 132-148.Авторское свидетельство СССР 950593, кл. В 63 В 3/13, 198Авторское свидетельство СССУ 852187, кл. Н О 1 Ь 25/02, 19 1354280 А(57) Изобретение относится к электротехнике. Цель изобретения - повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатическогодавления к р-п-структурам. Поставленная цель достигается тем, что в погружном полупроводниковом преобразователе применены корпусные штыревыетиристоры 1, корпуса которых выполнены с отверстиями 2. Тиристоры 1,радиаторы 3, блоки управления 4, сосуд 5 с влагопоглотителем размещеныв полости легкого корпуса 7 заполненного диэлектрической жидкостью 9.Ввиду наличия отверстий в корпусахтиристоров, корпуса разгружены отдавления при сохранении работоспособности, так как р-и-структура нечувствительна к его изменению. 1 ил.135 Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших давлениях окружающей среды. Цель изобретения - повышение надежности работы путем равномерного приложения гидростатического давления к р-п-структурам. На чертеже показан погружной полупроводниковый преобразователь, в котором применены корпусныештыревые тиристоры. Составитель Б.ИвановТехред Л.Олийнык Корректор В.БУтяга Редактор О.Головач Заказ 5703/48 Тираж 697 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Преобразователь состоит из тиристоров 1, корпуса которых выполнены с отверстиями 2 и установлены на радиаторы 3. Тиристоры 1, радиаторы 3, блоки 4 управления и сосуд 5 с влагопоглотителем установлены на электроизоляционном каркасе 6, установленном внутри легкого корпуса 7, закрытого герметично крышкой 8. Полость корпуса заполнена диэлектрической жидкостью 9. Для заливки жидкости в крышке выполнена заглушка 10, которая перед погружением герметизируется компаундом 11, Электрические выводы тиристоров 1 и блоков 4 управления через штепсельный разъем 12 и кабель 13, пропущенный через герметичный ввод 14, выполненный в крышке, выводятся наружу. Крышка 8 снабжена сильфоном 15, служащим компенсатором гидростатического давления. 4280 2Погружной полупроводниковый преобразователь работает следующим образом.При погружении преобразователя сростом наружного давления растет давление внутри корпуса преобразователя.Ввиду наличия отверстий в легких корпусах тиристоров и полупроводниковыхприборов корпуса разгружены от давления и разрушению не подвергаютсяпри сохранении, работоспособности,так как полупроводниковая структурапри равномерном приложении гидростатического давления не чувствительнак его изменению.формула изобретения.Погружной полупроводниковый преобразователь, содержащий тиристорыс охлаждающими радиаторами и блоками управления, содержащими полупроводниковые приборы, расположеннымивнутри заполненного диэлектрическойжидкостью герметически замкнутого 25 легкого внешнего корпуса, снабженного компенсатором гидростатическогодавления воды и герметичными вводами,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повьшения надежности работыпутем равномерного приложения гидростатического давления к р-и-структурам, корпуса тиристоров и полупроводниковых приборов выполнены с отверстиями, при этом внутренние полости 35корпусов тиристоров и полупроводниковых приборов сообщаются с внутреннейполостью преобразователя и заполненыдиэлектрической жидкостью.

Смотреть

Заявка

3676800, 21.12.1983

ВСЕСОЮЗНЫЙ ЗАОЧНЫЙ МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ

ПОЛЕЩУК ВИКТОР ИВАНОВИЧ, МОКРУШЕВ ОЛЕГ РОМАНОВИЧ, ШАТЕРНИКОВ ВИКТОР ЕГОРОВИЧ, ЕГОРОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 25/02

Метки: погружной, полупроводниковый

Опубликовано: 23.11.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1354280-pogruzhnojj-poluprovodnikovyjj-preobrazovatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Погружной полупроводниковый преобразователь</a>

Похожие патенты