Реперное вещество для датчиков высоких давлений

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 19) (11 А 1 594 С 01 Ь 9/О САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ИДЕТЕЛЬСТВ К АВТОРСКОМ(56) Влияние высоких щество. Киев, Изд-во 1976, с. 140-143.Авторское свидете У 520523, кл. С 01 давлений на ве Наукова думка,ьство СССР 11/00, 1975 вещества ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Харьковский политехнический иститут им. В.И.Ленина(54) РЕПЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО ДЛЯ ДАТЧИВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЙ(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при калибровке аппаратов высокого давления. Цель изобретенияобеспечение возможности фиксации давления величиной 53 кбар. Веществопредставляет собой порошок халькогенида из полупроводникового сплава,содержащего, ат.7: таллий 16,7-37,0;мышьяк 13,0-33,3 и селен 40,0-60,0.Исходные компоненты вещества обрабатывают в кварцевых ампулах и послеизмельчения помещают в ячейку датчикадля измерения давления. При воздействии давления в 53 кбар происходитрезкое изменение электросопротивления с1317295 Изобретение относится к технике Формула изобретения 1 б,7-37,0 13,0-33,3 40,0-60,0 помещается в реакционную зону устройств для создания высокого давления Составитель Н.БогдановаТехред Л. Олийнык Редактор В.Ковтун Корректор М,Шароши Заказ 2414/37 Тираж 7 б ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Производственно-полиграфическое предприя гие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4,измерения высокого давления и можетбыть использовано при калибровке аппаратов высокого давления,Цель изобретения - обеспечениевозможности регистрации давления (Р53+3 кбар), величиной 53 кбар.Согласно изобретению обнаружен эффект резкого изменения (уменьшения)электросопротивления халькогенидныхполупроводников системы таллий-мышьяк-селен в стеклообразном состоянии (при достижении воздействующегона них давления Р = (53+3) кбар.Это позволяет создать реперныйдатчик давления Р = (53+3) кбар, т.е,дополнить существующую шкалу давленийеще одной реперной точкой, котораянаходится в интервале давлений, наиболее широко используемом при научных 20исследованиях и промышленном синтезе сверхтвердых материалов.Реперный датчик, состоящий из халькогенидного стеклообразного полупроводника синтезируется по следующей25 технологии. Исходные компоненты син-. тезируемого материала взятые в определенных соотношениях, загружают в кварцевые ампулы, которые эвакуируют до остаточного давления 2,б 10 Па и отпаивают, Ампулы с шихтой помещают во вращающуюся печь, нагревают до 970-10 О К и при этой температуре расплав мешают путем вращения печи в течение 2 ч. Затем сплавы охлаждают 35 в режиме выключенной печи,Извлеченный из ампул материал измельчается, и полученный порошок используется в качестве реперного материала, помещаемого в известную 40 ячейку для измерения сверхвысоких давлений, Изготовленный таким образом датчик высокого давления на основе халькогенидного полупроводникового стекла системы таллий-мышьяк-селен 45 При подаче напряжения к камере высокого давления образуется замкнутаяэлектрическая цепь, состоящая из последовательно включенных реакционнойзоны (которая может быть заполнена,например, исходной шихтой для синтеза сверхтвердых материалов), датчикавысокого давления и измерительногоприбора (например, микроамперметра),Осевое усилие пресса, приложенное к устройству высокого давления, фиксируется по манометру ММ,данные с которого одновременно с данными микроамперметра коммутируются наэлектрический самопишущий потенциометр КСП. В ре.зультате, в ходе нагружения аппарата высокого давленияосевым усилием пресса, т.е, при создании в реакционной зоне высокогодавления, удается с высокой точностью провести измерения изменениятока, проходящего через датчик высокого давления, а следовательно, электросопротивления реперного материала.Опытные испытания, проведенные наполупроводниковых сплавах системыталлий-мышьяк-селен, показали высокуювоспроизводимость результатов и закономерный характер изменения зависимостей электросопротивление-давлениепри варьировании химического составадатчика давления,Ренерное вещество для датчиков высоких давлений, представляющее собой порошок халькогенида, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что, с целью ооеспечения возможности фиксации давления величиной 53 кбар, в нем порошок выполнен из полупроводникового сплава, содержащего таллий, мышьяк и селен при следующем соотношении компонентов, ат.Х:ТаллийМышьякСелен