Диэлектрический термометр для измерения температуры при высокочастотном нагреве диэлектриков

Номер патента: 1661678

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Амельянец, Пчельников, Совлуков

МПК: G01R 27/26

Метки: вещества, диэлектрической, потоке, проницаемости, чувствительный, элемент

...Такчто взаимодействие поверхностной волны с веществом становится незначительным, время запаздывания фазы поверхностной волны остается зависящимв основном от температуры9 й,) - В, 1+(т-т, )Д , (з)где 6 9) - время запаздывания фазыповерхностной волны второй длины в спирали 2,62 - номинальное значениеО( ),Решая совместно систему уравнений(2) и (3), находят значение циэлект рической проницаемости вещества впотоке, откорректированное с учетомдействительного значения температурыи/или значение температуры вещества1 Ог 0( ) -1 +1(5)гУстройство, реализующее данныйспособ, работает следующим образом.В отрезке электродинамической замедляющей структуры, например (фиг,1))с помощью генератора 7 высокочастотных электромагнитных колебаний(фиг,2),...

Номер патента: 995016

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, локальной, области, пленок, полупроводниковых, проницаемости

...расположены над исследуемой пленкой б на подложке 7,Устройство работает следующим образом.В исследуемой области пленки из,вестной толщины наносится локальныйзаряд Чр с помощью коронирующегоэлектрода 2 и блока 1. Заряженнаяобласть транспЬртируется под измери.тельным электродом 3, размеры которого боЛьше расстояния до заземленной подложки 7, так, что справедливо приближение плоскопараллельногослоя,Далее измеряются индуцированныена электроде 3 заряды при расстояниях от него до поверхности пленкиЬ и Ь 2 соответственно и вычисляется значение диэлектрической проницаемости в области, расположенноймежду локализованным зарядом и подложкой.В общем случае заряд, индуцирован,ный на измерительном электроде, определяется соотношением1 (х у )(фх у...

Номер патента: 1582364

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Гончаренко, Проценко

МПК: A23L 3/32, H05B 6/64, H05B 6/78

Метки: высоким, диэлектрических, нагрева, свч-термообработки, темпом

...в режим поглощения энергии, частькоторой выделяется в нагреваемом материале, а часть поступает в согласованную нагрузку 2. При полном.введении нагреваемого материала в область9 иканал 11 последние переходят врежим объемного резонанса и вся СВЧэнергия выделяется в резонансном объеме, т,е. в нагреваемом материале.За счет такого режима работы устройства нагрузка на генератор изменяетсямало, а режим согласования сохраняется в широком диапазоне изменениядиэлектрической проницаемости нагреваемого материала при условии высокой.концентрации энергии в нем.П р и и е р. Основные размеры устройства, рассчитаниого на рабочуючастоту 2450 мГц и нагрев ампул садезинтрифосфорной кислотой (АТФ)диаметром 9-10,5 мм и емкостью 2 см,15823 должны быть...

Номер патента: 305353

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Каримов, Корндорф, Шаков

МПК: G01B 15/02

Метки: диэлектрического, диэлектрическом, изл1ерения, основании, покрытия, толщины, электромагнитного

...предлагаемого изобретения - повысить точпость измерепия и обеспечить многопараметровой контроль.Для этого устройство снабжено вторым волцоводом со сквозной щелью, выполцсццой в широких стенках волцовода, через которуо также проходит изделие, причем оба волцовода установлены таким образом, что сквозные щели обоих волцоводов лежат в одной плоскости,11 Я фцг. 1 схсматц 1 сскц цзооражецо Грсдлагясмое устройство; ца фиг. 2 - устацовкаволцоводов.Оцо содержит генератор 1, измсрптсльцыс 5 лцццц 2 - 5, короткозамкцутыс волцоводы 6, (,через которые проходит коцтролцруемос изделие 8 до цацсссцпя покрьтця, и короткозямкцутыс волцоводы 9 и 10, через которые проходит оцтролцрусмос цздслцс после цацссс 1 1 1 1 51О К Р 11 Т 1 1 5 .11 змсцсцце...

Номер патента: 748924

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Бутырский, Захватов, Княжевская, Подымов, Рева, Шелина

МПК: H05B 9/04

Метки: высокочастотного, диэлектрических, конфигурации, нагрева, сложной

...недостатков и повышение эффективности высокочастотного нагрева изделийсложной конфигурации,Цель достигается тем, что в известномустройстве каждый съемный электрод прикреплен с возможностью перемещения перпендйкулярно и вдоль неподвижных электродов посредством механизма, выполненногов виде двух параллельных друг другу неподвижных штанг, установленных на неподвижном электроде и соединенных, поменьшей мере, одной подвижной штангой,снабженной набором. цанг с держателямисъемных электродов.Съемные электроды, учитывая сложнуюконфигурацию изделий, выполнены в видетел различной геометрии, например, пластин, цилиндров, сфер и их сочетаний. Применение съемных электродов различной геометрии и возможность их свободного"перемещения в соответствии с...