Термокомпенсированное резонансное устройство

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 4 Н 01 КОМИТЕТ СССРЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ1 ГОСУДАРСТВЕННЫ ПО ДЕЛАМ ИЗОБ ИЗОБРЕТЕНИДЕТЕЛЬСТВУ ИСА К АВТОРСКОМ полненный в виде пластины (П) 4 иэ биметалла, расположенной над ДР па 1 раллельно диэл. основанию 2 и эакреп" ленной одним концом на корпусе 1. На диэл. основании 2 м.б. размещены ВЧ- эл-ты в интегральном исполнении, напр. полосковый проводник 5, При отриц. температурном коэф. частоты (ТКЧ) П 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве П 4 приближается к поверхности ДР 3, увеличивая его резонансную частоту на величину, равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты ДР 3, вызванного его ТКЧ. При положит. ТКЧ диэл. резонатора 3 П 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется иэ материала с малым коэф, линейного расширения. 1 ил.(54) ТЕРМОКОМЧЕНСИРОВАННОЕ РЕЗОНАНСНОЕ УСТРОЙСТВО(57) Изобретение относится к радиоэлектронике и м.б. использовано присоздании активных и пассивных селективных схем СВЧ с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэл. резонаторы. Повышаетсятемпературная стабильность частоты.Устр-во содержит корпус 1, в к-ромразмещены диэл, основание 2, диэл.резонатор (ДР) 3, установленный нанем, и термокомпенсирующий эл-т, вы 1249633 - А 31249633 Формула изобретения Составитель Н.Ткачева Редактор Н,Тупица Техред Л.Олейник. Корректор И. ЭрдейиЗаказ 4335/55 Тираж 597Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ..Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4У Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных селективных схем СВЧ с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэлектрические резонаторы,Цель изобретения - повышение температурной стабильности частоты.На чертеже приведено термокомпенсированное резонансное устройство. 1 ОТермокомпенсированное резонансное устройство содержит корпус 1, в котором размещены диэлектрическое основание 2, диэлектрический резонатор 3, установленный на нем, итермокомпен сирующий элемент, выполненный в виде пластины 4 из биметалла, расположен.ной над диэлектрическим резонатором 3 параллельно диэлектрическому основанию 2 и закрепленной одним концом 2 о на корпусе 1. На диэлектрическом основании 2 могут быть размещены высокочастотные элементы в интегральном исполнении, например полосовый проводник 5. 25Термокомпенсированное резонансное устройство работает следующим образом.В зависимости от температурного коэффициента частоты (ТКЧ) диэлектри- ЗО ческогорезонатора 3 пластина 4 устанавливается активным слоем к нему или наоборот. При отрицательном ТКЧ пластина 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве пластина 4 приближается к поверхности диэлектрического резонатора 3, увеличивая его резонансную частоту на величину,равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты диэлектрического резонатора.3, вызванного его ТКЧ. При положительном ТКЧ диэлектрического резонатора 3 пластина 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него, компенсируя увеличения резонансной частоты самого диэлектрического резонатора 3.Выбор марки биметалла по величине удельного изгиба, его толщины, длины, ориентации активного слоя и расстояния до диэлектрического резонатора 3 позволяет скомпенсировать ТКЧ диэлектрического резонатора с любым разбросом параметров его материала. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется из материала с малым коэффициентом линейного расши рения. Термокомпенсированное резонансное усгройство, содержащее корпус,в котором размещены диэлектрическое основание, диэлектрический резонатор, установленный на нем, и термокомпенсирующий элемент, установленный над диэлектрическим резонатором, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения температурной стабильности частоты, термокомпенсирующий элемент выполнен в виде пластины из биметалла, расположенной параллельно диэлектрическому основанию и закреппенной одним концом на корпусе.