Способ изготовления магнитных головок

( ГфЮлкКК А ВТОРСЯОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ куОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) спосов изГОтОВления мАГнитныхГОЛОВОК(57) Изобретение относится к технике магнитной записи и позволяет повысить качество изготовления головок путем получения стабильностиразмеров рабочего зазора в условияхабразивного износа трением о поверхность магнитной ленты. В пазы полуобойм полублоков магнитных головок устанавливают полусердечники из магнитомягкого материала с обмотками и полюсные наконечники и производят их одновременную обработку абразивом совместно с полуобоймами по плоскости разъема полублоков. Наносят на плоскости разъема не- магнитную пленку путем неполного разложения и полимеризации тетразтоксисилана в плазме тлеющего разряда в атмосфере инертного газа при 293-333 К со скоростью роста пленкио15-30 А/с. В силу своих физико-механических и химических свойств пленка исключает разрушение кромок полюсных наконечников и затягивание рабочего зазора продуктами их износа. Скрепляют полублоки по плоскостям разъема через немагнитную нлен12447 Формула из обретения Составитель С. КарпенковРедактор И. Касарда Техред Н,Бонкало Корректор Е. Сирохман Заказ 3923/54 Тираж 543 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо деЛам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушс"кая наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4 Изобретение относится к прибо" ростроению, а именно к технике маг. нитной записи.Цель изобретения - повышение качества изготовления путем получения стабильности размеров рабочего зазора магнитных головок в условиях абразивного износа трением о поверхность магнитной ленты.Предлагаемый способ заключается 10 в следующем.В пазы полуобойм полублоков магнитных головок, выполненных из не- магнитного материала, устанавливают полусердечники из магнитомягкого ма-, 5 териала, например, феррита, с обмотками и полюсные наконечники из иэносостойкого магнитомягкого материала, например, сендаста. Полусердечники и полюсные наконечники эак репляют в полуобойме эпоксидным кле- ем. Производят одновременную обработку абразивом полюсных наконечников полусердечников и полуобойм по плоскости разъема полублоков. 25Помещают полублоки на электроды в подколпачное устройство вакуумной установки, откачивают воздух вводят инертный газ, например, аргон, и пары тетраэтоксисилана. Подают на элеи- ЗО троды напряжение, темпеРатуру в камере поддерживают в пределах 293" 333 К. При этом происходит неполное разложение и полимеризация тетраэтоксисилана на плоскостях разъема полу- блоков. Соотношение давлений инертного газа и паров тетраэтаксисилана в установке устанавливают таким, чтобы скорость роста пленки находилась вопределах 15-30 А/с.40На плоскостях разъема полублоков образуется кремнийорганическая полимерная пленка промежуточного состава типа М(ОСН )Д которая опре 07деляет размер рабочего зазора магнитных головок и благодаря своим физико-механическим и химическим свойствам полностью исключает нестабильность размеров рабочего зазора в видеразрушений кромок полюсных наконечников и затягиваний рабочего зазорапродуктами; износа полюсных наконечников от абразивного воздействиямагнитной ленты. После нанесения плевки полублоки скрепляют между собой по плоскостям разъема через немагнитную пленку,толщина которой определяет величину рабочего зазора магнитных головок. Способ изготовления магнитных головок, включающий установку в пазы немагнитных полуобойм полублоков магнитных полусердечников с обмотками и полюсными наконечниками, одно" временную абразивную обработку по,лусердечников, полюсных наконечников и полуобойм по плоскости разъема по" лублоков, нанесение на,плоскости разъема немагнитной пленки, скрепление попублоков между собой по обработанной плоскости через немагнитную пленку и формирование с ее помощью рабочего зазора, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения качества изготовления путем получения стабильности размеров рабочего зазора. в условиях абразивного износа трением о поверхность магнитной ленты, немагнитную пленку наносят путем неполного разложения и полимеризации тетраэтоксисилана в плазме тлеющего разряда в атмосфере инертного газа при 293-333 К со скоростью роста пленки 15"30 А/с,