Способ измерения комплексного коэффициента отражения на свч с использованием фазовой модуляции

Номер патента: 1665438

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Любецкий, Насонов

МПК: H01Q 3/44

Метки: луча, свч-волны, сканирования, электромагнитной, электронного

...для электронного сканирования луча электромагнитной СВЧ-волны работает следующим образом.Пучок электромагнитной СВЧ-волны с источника 1 СВЧ излучения направляют нормально на скошенную грань первого прямоугольногодиэлектрического волновода 2, Угол между торцовой гранью и основанием волновода создают больше критического, чтобы при отражении от основания волновода всегда существовало условие полного внутреннего отражения. Прошедшая в диэлектрик 6 волна отражается от оснований первого прямоугольного диэлектрического воаовода 2 и при подаче напряжения на клеммы 7 управляющей напряжения, приводящем к изменению диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрического покрытия 5, происходит смещение луча в. плоскости выходного торца...

Номер патента: 1737574

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Булыженков, Зуйкова

МПК: H01P 1/18

Метки: свч-волны, фазой

...частоты волны. Таким образом,.существенной особенностью является исполь" зование постоянного тока в диапазоне..1 О,1 4 З, что позволяет достичь положительного эфФекта.Отличие заявляемого способв от прототипа вырвжается в том, что благодаря резкому увеличению крутизны Фазовой характеристики фаза волны изменяется регулированием величины 744плотности тока, протекающего посверхпрояодящей пленке, в диапазонеПри этом эффективностьданного способа увеличивается с ростом частоты, что позволяет испольэовать его в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.На фиг. 1 представлена зависи-мость мнимой части поверхностногоимпеданса сверхпроводника Хе (в качестве сверхпроводника используетсясоединение. УВаСцОт) от плотноститока для...

Номер патента: 1688193

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Афонин, Саламатин

МПК: G01R 27/06

Метки: измеритель, комплексного, коэффициента, отражения

...де текторной головки 12. Кроме того, исключена зависимость результата измерения от изменений уровня СВЧ мощности СВЧ генератора 1, Последнее особенно важно, так как позволяет 45 не применять в измерителях комплексного отражения систем автоматической регулировки мощности, что является существенным при построении систем встроенного контроля и диагностики, 50Напряжение 11 подается на индикатор 29, шкала которого калибруется непосредственно в значениях (-/Необходимо отметить, что в выражении (18) отсутствует линейная зави симость между напряжением У,и измеряемой величиной(Г(, поэтому при использовании прибора с линейной шкалой будет иметь место систематичес Иэ (19) видно, что при изменении( от 0 до 1 погрешность изменяется в, пределах от...

Номер патента: 1626195

Опубликовано: 07.02.1991

Автор: Зайцев

МПК: G01R 27/06

Метки: комплексного, коэффициента, отражения

...К = = 0 и для калибровки достаточно двух образцовых нагрузок.Устройство для определения ККО двухполюсника СВЧ работает следую щим образом.Гармоническое колебание генераторачерез направленный ответвитель 2 и фильтр 3 поступает на вход исследуемого двухполюсника 4, в опор ной плоскости которого возникают полигармонические падающая и отраженная волны, часть энергии которых (энергии первых гармоник) ответвляется направленным ответвителем 2 с35 переходным ослаблением 3" 30 дБ и конечной направленностью. Сигнал падающей волны, содержащий небольшую долю отраженной волны (-15- 40 дБ), делится примерно по- щ полам квадратурным делителем 5,сигналы на выходах которого сдвинуты по фазе на угол 1 , приблизительоно равныи 90 и незначительно...

Номер патента: 1077501

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Воробьев, Кириченко, Цвык, Шестопалов

МПК: H01J 9/42

Метки: коэффициента, плазменной, приборах, редукции, свч, частоты

...поток возбуждает однолепестковую диаграмму направленности излучения.Следовательно, устанавливая плот-,55 ность тока (2), всегда получают од-нолепестковую диаграмму 3 направления излучения (фиг. 1) с максимальной ин+ с 2 ус црсс 05 Г = - . -(бб 1 +я ч. ыЕ ыч-О Ю .-1 Я в + о ов и 2) при измерении угла Г = Г + о(-15 ЗИ -1 бв.оЙ=6 8 (О (У лсов Г -совГ ) (4 а. Формулами (4), (4 а) удобно пользоваться, если одна из диаграмм 4 или 5 близко ирилегает к поверхности дифракцИОННОй рЕШЕтКИ (фИГ, 3; бв(- ) Г,огде 29 - ширина диаграммы направленности дифракционного излучения),Следует отметить, что если один из углов с( (фиг,3,4) или оба эти угла одновременно (фиг.5,6) пунктирными диаграммами 4,5 близко прилегают к поверхности дифракционной решетки,...