Диэлектрический резонатор

Номер патента: 678273

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Вайнблат, Ерин, Хохлов

МПК: G01B 7/32

Метки: диэлектрических, пластин, площадей

...пластин; нафиг. 2 - разрез А-А фиг. 1,Устройствосодержит валок 1, состоящий из изолированных между собой проводящих колец 2, соединенных черезтокоОграничивающие резисторы 3 с общейшиной .4, 0 щая шина через токосъемник5 соединена с источником 6 питания,678273 Формула изобретения 3 О Источники информации, принятые во.внимание при экспертизе1. Патент ФРГ У 2015123,кл. 43 а , 5,5/342, 1970,2, авторское свидетельство СССР35 У 380945, кл, 6 01 В 7/32. 3Зластйчный валок 7 покрйт проводящимматериалом (например графитиров аннойтканью) и соединен через токосъемник5 с блоком 8 обработки информации,Валки 1 и 7 закреплены на общем основании 9 и приводятся и движение отпривода 10. 5Устройство работает следующим образом,Измеряемая...

Номер патента: 735913

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Вайнблат, Ерин, Ершов

МПК: G01B 7/32

Метки: диэлектрических, пластин, площади

...из которых прижата кметаллического валка и ески связана с одним из регистого, валок из неэлектропровала выполнен резиновым.738913 4диэлектрических пластин, например, слюдяных цодборов. с "3На фиг. 1 изображено предйагаемобустройство, общий вид; на фиг. 2 данаего прийййпиальная электрйческая "схема.Устройство содержит металлический1 и резиновый 2 валки, электропроводящие щетки 3, размещейные в кольце- .вых,проточках валка 1, проводники 4,резисторы 5, бпок 6 обработки информации, низковольтный источник 7 питанияи привод 8 валков.Устройство работает следующим обрьэомфВращающиеся валки 1 и 2 захватываюти йротягиаают измеряемую.пластйну с.постоянной скоростью. Пластина юолируег соответствующее ее ширине количество электропроводящих щеток 3...

Номер патента: 1434239

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Монасыпов, Федоров, Фролова

МПК: G01B 7/06

Метки: времени, диэлектрической, интервал, пластины, толщины

...кривой после "45дсвательного кОлебательнсго контураВ этом случае при увеличении толщиныконтролируемого иэделия происходитувеличение добротности последавательногс контура и, соответственно увеличение сигнапа е с) снимаемогоизмерительной обмотки 5,В интервале времени с о - с, (Фиг.2)клоч б замкнут ключ 1 1 аэамкнугуправлявшими сигналами е(с) и -е(с)от источника 1 тока и сигнал е(с)проходит на интегратор 7 выходноенапряжение 0 з(с) которого увеличивается до значения 239 2ийы г/40 - е(с)ас -1 Е ажЬс-Ю)ас =о оИЬЕ К-ВКг + (од:)г11 ыСгде и и и - число витков возбуждающей и измерительнойобмоток 3 и 5;- суммарная индуктивность обмоток 3 и 5 инндуктивности проводящей подложки 14; К Ко+К - суммарное активноесопротивление обмоток3 и 5 и...

Номер патента: 1660218

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Безлюдова, Осипов, Шворобей

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрической, пластины, поле, электромагнитном

...содержит заземленную металлическую пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая ,пластина 2, на одну из поверхностей которой нанесен металлический проводник 3, выполняющий роль токонесущего проводника полосковой линии, и слой фоторезиста 4, дополнительную заземленную металлическую пластину 5, размещенную на расстоянии от диэлектрической пластины 2, определяемом выражениемь=ь/Кьгде 11 и й- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемасть диэлектрической пластины 2.Способ осуществляют следующим образом,Обрабатываемую диэлектрическую пластину 2, установленную в кассете, образованной заземленной металлической пластиной 1 и дополнительной металлической пластиной 5, размещают в резонансную камеру...

Номер патента: 928896

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Копылов, Яншин

МПК: G01N 21/00

Метки: высоковольтной, диэлектрических, пластин, площади, проводимости, распределения, составляющей

...распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанном на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластиныполяризованным светом и регистрацииоптического изображения, по которомусудят о наличии и расположении мест,обладающих высоковольтной проводимостью, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят воптический контаКт с поверхностьюкристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения элек трического пробоя использовайного кристалла, а облучение структуры производят монохроматическим светом.На чертеже приведена схема устройства для реализации...