Формирователь свч-импульсов

Номер патента: 1571711

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Борисов, Вернигоров, Новиков, Разин, Юшков

МПК: H01P 7/04

Метки: свч-импульсов, формирователь

...волн в волново- дЕ. Условием резонанса для частрты т 1 будет сортношение 1=и 1 Яь 1/2, где п 1 - целое число, ПосколькуЛьгМь 1, для тг условием резонанса будет в общем случае гп - и) ьг/2 = 1, Отсюда ги = и Мьг/Яьг-За 1) и требуемая.длина резонатора1. =21 = и Яь 1 ьг/Дьг 1 ь 1)Каждый вид колебаний должен возбуждаться за одно и то же время 3 , где г - постоянная времени, Но поскольку частоты разные, используя адин элемент связи для возбуждения, получим раличные постоянные времени для двух видов колебаний, Поэтому в резонаторе используются первый 3, и второй 4 элементы связи, что позволяетдля каждого колебания установить определенную связь и тем самым одинаковую величину г для двух различных частот,В конце процесса возбуждения суммар....

Номер патента: 1121776

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Артеменко, Каминский, Юшков

МПК: H03K 12/00

Метки: свч-импульсов, формирователь

...содержащий основной цилиндрический резонатор, внутри которогоразмещен электронный коммутатор, соединенный с источником управляющихсигналов, элементы ввода и выводаэнергии, введен дополнительный цилиндрический резонатор, при этомэлемент вывода энергии выполнен ввиде отрезка круглого волновода,диаметр которого равен диаметруосновного цилиндрического резонатора, а дополнительный цилиндрический 40резонатор установлен соосно с основ. -ным цилиндрическим резонатором иотрезком круглого волновода и междуними, причем длина Ь дополнительного цилиндрического резонатора и 45его диаметр Р выбраны из соотношений Ъ: в ,2 - - 1 где 3 с д д С2 -,гг г тор 1, электронный коммутатор 2,источник 3 управляющих сигналов, дополнительный цилиндрический...

Номер патента: 1202037

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Воронин, Воскресенский, Руд

МПК: H03K 3/55

Метки: свч-импульсов, формирователь

...волны, мгновенно выводитсячерез выход-циркулятора 5 в видеСВЧ-импульса большой мощности. Дли-тельность сформированного импульса25 определяется отношением геометрической длины второго резонатора 3бегущей волны к .групповой скоростибегущей волны в нем. Переходные процессы,при формировании импульса опреЗ деляются лишь временем переключениякоммутирующего элемента 4, который.может быть выполнен в виде газоразрядного прибора или рп-диода с малым временем переключения и восстановления. Составитель В, Рощин Редактор И. циткина Техред Ж,Кастелевич Корректор А. ЗимокосовЗаказ 8104/59 Тираж 871 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,...

Номер патента: 1617492

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Артеменко, Каминский

МПК: H01P 1/14

Метки: свч-импульсов, формирователь

...поступают в цилиндрический резонатор 1, а затем в отрезки 5 и 6 сверхразмерной коаксиальной линии и радиальный резонатор 4, Элемент 2 ввода энергии и размеры цилиндрического резонатора 1 выполнены такими, что в цилиндрическом резонаторе 1 возбуждаются колебания типэ Ео 1 р, где р = 1, 2, 3Выбор длиныотрезка 5 сверхразмерной коаксиальной линии, диаметр б, внут 10 реннего проводника отрезков 5 и 6 сверх- размерной коаксиальной линии, высоты Н радиального резонатора 4 обеспечивает возбуждение синфазных колебаний соответственно на ТЕМ- и Еор+1-волнах, При этом так как структура полей в отрезке 5 сверхразмерной коаксиальной линии и радиальном резонаторе 4 и в месте их стыка,противоположна, то в отрезок 6 сверхразмерной коаксиальной линии...

Номер патента: 1529141

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Бабенко, Чупис

МПК: G01R 23/04

Метки: свч-импульса, частоты

...поле Е является величиной, зависящей только от свойств полупроводникового мате 55 риала и частоты СВЧ-поля. При Е)Еконцентрация ионизированных носителей увеличивается с ростом напряженности поля практически экспоненциально, обуславливая высокое быстродействие устройстваКак видно из приведенных графиков на фиг. 2, наиболее существенным фактором, определяющим распространение ионизирующей волны, является логарифмический закон изменения Е(г), где г - расстояние до поверхности пластины. Графики приведены для арсенида галлия (СаАэ). Следствйем этой закономерности является практическая независимость глубины проникновения ионизирующего поля в полупроводниковую пластину от амплитудного значения СВЧ-поля на ее поверхности, На расстоянии...