Преобразователь переменного напряжения в постоянное

Номер патента: 403033

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03K 3/335

Метки: 403033

...соединенных диода и конденсатора, между коллектором первого основного транзистора и времязалающим конденсатором включен другой диод, а в эмиттерную цепь транзистора эмиттерного повторителя второго основного транзистора подключен источник напряжения смещения через резисторный делитель, средняя точка рсдставлена принципиальная хема предложенного устройтенциал передается на базу транзистора 1, поддерживая его в открытом состоянии в случае малой деятельности входного импульса, На выходе 28 присутствуст отрицательный уровень напряжения,Конденсатор 12, рзряка 5 сь, отпирает диод 8 и транзистор 2. При этом ца резисторе 23 создается падение напряжения, открывающее ускоряющий транзистор 3, коллекторный ток которого, втекая в базовую цепь...

Номер патента: 682887

Опубликовано: 30.08.1979

Автор: Чемерисов

МПК: G05F 1/56

Метки: постоянного, стабилизатор

...к диоду 5 и базе транзистора 2 подключен коллектор дополнительного транзистора 6, эмиттер которого через резистор 7 подключен к выходнойцепи транзистора 1, а база - к коллектору транзистора 2.К эмиттерам транзисторов 2 и 6 подклочен дополнительный резистор 8.На фиг. 1 к базе регулирующего транзи стора подключен коллектор транзистора усилителя обратной связи 9; на фиг. 2 - источник опореОГО напряжен ца стаСцлцтропе 10.Прц цзмсцсции падения напржсцця на О рсгулирующем транзисторе 1 ток в цепи смещения: диод 5, коллектор - эмиттер транзистора 6, резистор 7 - изменяется нсзначительно, так как падение напряжения ца псреходс база в эмитт трацзис тора 1, управляющее током через транзистор 6, изменяется в малых прсдслах и в фазе с сигналом...

Номер патента: 1120470

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Божко, Брюханов, Пузько

МПК: H02M 7/537

...транзистора,а катод четвертого диода через четвертый переменный резистор с базойвторого транзистора.Введение дополнительных цепей,перезаряда конденсатора позволяетуменьшить постоянную времени зарядаи, следовательно, расширить частотныйдиапазон изменения частоты в областьболее высоких частот,Так как дополнительные цепочки издиодов и резисторов включены параллельно цепям, по которым проходитбазовый ток основного транзистора впериод его открытого состояния, тостепень насыщения основных транзисторов уменьшается, что улучшает фронтывыходных импульсов. Кроме того, введение дополнительных регулирующих резисторов позволяет исключить асимметрию выходного напряжения и, следовательно, исключить подмагничивание за счет. отсутствия постоянной...

Номер патента: 1243075

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Дегтярев, Мордвинов

МПК: H02M 7/537

Метки: варианты, его, силовым, транзистором

...13 открыт. К моменту времени С 2 конденсатор 16 всегда заряжен, В момент времени Снапряжение на обмотках 10 и 15 меняет полярность (плюс на концах обмоток), и формируется запирающий импульс напряжения (тока) на переходе база-эмиттер силового транзистора, Импульс обратного напряжения в интервале времени Сз-С формируется за счет суммирования напряженийобмоток 10 и 11. Предлагаемое устройство для управления силовым транзистором применяется в основном для управления инверторами. В случае управления регуляторами напряжения требуется импульс на включение силовым транзистором формировать в интервале времени С 1 -С, СЭ - С, С-С 6, Поэтому в этом случае необходимо организовать два устройства, выходы которых объединены и подключены к...

Номер патента: 1246030

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Рудский

МПК: G01R 31/30

Метки: вторичного, пробоя, силовых, транзисторов

...поля от его линейной аппроксимации.Для транзисторов с однородным слаболегированным коллектором коэффициент К имеет значение порядка единицы, а для транзисторов с диффузионным и -и"- переходом К увеличивается до двух.В мощных высоковольтных транзисторах при равномерном распределении плотности тока по площади эмиттера условия возникновения лавинной инжекции обычно не выполняются даже при максимально допустимых значениях 1. . Однако при включении, а также после потери тепловой устойчивости однородное распределение эмиттерного тока резко нарушается, поэтому ВЛ, обусловленный лавинной инжекцией, наб 1246030людается как на коротких, так и относительно продолжительных испытательных импульсах. Сильное сжатие тока в СТ,независимо от...