Локатор муфт

Номер патента: 519847

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Окладнов

МПК: H03K 3/80

Метки: генератор, колебаний, серий, синусоидальной, формы

...момент времени 1 г (разиыкание кнопки 2). Резкое изменение сигнала Ую от - Ег до нуля поступает на вход ждущего мультивибратора 5 управления на.альной фазой и приводит к его запуску. Передней фронт прямоугольного импульса Л на выходе ждущего мультивибратора 5 формируется в момент времени Ьг. Спустя промежуток времени Ль величина которого регулируется с гарантированной точностью, на выходе ждущего мультивибратора 5 формируется задний фронт прямоугольного импульса У. Прямоугольныи импульс У 4 с выхода ждущего мультивибратора 5 поступает на дифференцирующую цепочку 6, с выхода которой после дифференцирования преобразуется в сигнал Ую, представляющий собой пару. коротких остроконечных импульсов противоположной полярности, Сигнал Ую поступает...

Номер патента: 369675

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Черныш

МПК: H03C 3/00

Метки: генератор, колебаний, частотно-модулированных

...насыщения поочередно в соответствующие полупериоды колебательного процесса в контуре, то на выходах 21 и 23 сигналы имеют прямоугольную форму и сдвинуты один относительно другого также на полпериода колебания. Частота колебательного процесса в генераторе в данном положении определяется резонансной частотой первого контура.При сохранении положения контактов в устройствах 19 и 20 управления колебательный процесс в первом контуре непрерывен с восполнением потерь от источников питания Еь Е 2.Для отрицательной и положительной полу- волн колебательного процесса условия одинаковы, поэтому сигнал на выходе 22 симметричный, а по форме синусоидальный.Если в работе участвуют триоды 11 и 12, а триоды 9 и 10 закрыты, то контакты управления в...

Номер патента: 894505

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Глазков, Хильманович, Шпеньков

МПК: G01N 24/06

Метки: генератор, колебаний, фотохимический, электромагнитных

...расположена внутри скрещенныхкатушек индуктивности основного 2 и ные последовательно предусилитель, уси вторичного 3 колебательных С-контуров, настроенных на частоту 100 ИГц .и помещенных в магнитное поле электромагнита 7. Активное вещество облучаИ ется испускаемым ртутной лампой б и.прошедшим через светофильтр 5 и кварцевую фокусирующую систему 4 светом.Скрещенная катушка 2 индуктивностиосновного резонансного контура с конденсатором 14 образует основной резонансный контур, скрещенная катушка 3индуктивности вторичного резонансно, го контура с конденсатором 15 и нагрузочным резистором 16 - вторичный контур.При Фотохимически индуцированнойотрицательной поляризации ядер активного вещества за счет Флуктуаций вектора ядерной...

Номер патента: 1057873

Опубликовано: 30.11.1983

Автор: Воронков

МПК: G01R 23/20

Метки: гармоник, генераторах, колебаний, компенсации, стереорежиме, частотно-модулированных, четных

...Фазовращатвль 14 и второй аттенюатор 15 соединен с выходом умножителя 8 частоты.Устройство работает следующим образом.С помощью источника 1 модулирующего колебания, стереомодулятора 3 и генератора 4 частотно модулированных колебаний формируют первый испытательный сигнал, модулированный по частоте комплексным стереофоническим сигналом (полярно-модулированным колебанием), с синусоидальной огибающей в одном из каналов и немодулированным колебанием в другом канале. Этот сигнал подают на измеритель 5 девиации частоты, настроенный с помощью второго генератора 12 частотно-модулированных колебаний на прямой канал ( 1 ст тет). При этом на выходе стереодекодера б колебание содержит кроме составляющей с основной модулирующей частотой...

Номер патента: 1356185

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Хазанов, Шабаев

МПК: H03C 3/00

Метки: генератор, колебаний, частотно-модулированных

...зависящей от соотношек КВторое слагаемое описывает отрицательное сопротивление, включенноепараллельно имитируемой индуктивности 25 и Равное К= КК /Кэ,КТаким образом, параллельно конденсатору 10 и .диодам 12 и 13 включены имитируемая индуктивность и имитируемое.отрицательное сопротивление.Конденсатор 10 и имитируемая индуктивность образуют колебательный контур с резонансной частотой ы,- )/ Д,с - (1(Гт я,с)Гк/Й З 5 где С - емкость конденсатора 10,причем с),зависит от соотношения/К.Отрицательное сопротивление компенсирует потери и создает условия 40 для самовоэбуждения, Так как имитируемое сопротивление зависит от Кэ,последнее выбирается таким, чтобыпотери были скомпенсированы толькотогда, когда диоды 12 и 13 открыва ются только при...