Устройство согласования

(5 ц 4 Н 03 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Н АВТОРСКОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТВУ Лавров,бов ии201584 СССР55743 ГЛАСОВ ой транз с инжекц ых подк ра второг НИЯ, сторы онным ючены транУ ГОсудАРстВенный кОмитет сссРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) (57) УСТРОЙСТВО СОсодержащее первый и втопервого типа проводимостипитанием, эмиттеры которк общей шине, база инжекто зистора подключена к общеи шине, коллектор первого транзистора подключен к выходу устройства и к коллектору третьего транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, отличающееся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, введены два диода Шоттки и резистор, база третьего транзистора через резистор подключена к коллектору второго транзистора и к катоду первого диода Шоттки, анод которого подключен к базе первого транзистора, база инжектора которого подключена к входу устройства и к катоду второго диода Шоттки, анод которого подключенбазе второго транзистора.1173552 Составитель А. Янов Техред И. Верес Корректор Л. Пилипенко Тираж 872 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и о крытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор Н. ШвыдкаяЗаказ 5078/55 Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах.Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности.5На чертеже приведена электрическаяпринципиальная схема устройства.Устройство содержит первый 1 и второй 2транзисторы первого типа проводимости,эмиттеры которых подключены к общей шине 3, коллектор транзистора 1 подключенк выходу 4 устройства и к коллектору третьего транзистора 5 второго типа проводимости,эмиттер которого подключен к шине 6 питания, а база через резистор 7 подключенак коллектору транзистора 2 и катоду первогодиода Шоттки 8, анод которого подключенк базе транзистора 1 и коллектору транзистора 9 второго типа проводимости, который является инжектором транзистора 1,эмиттер которого через резистор 10 подключен к шине 11 питания, а база подключенак входу 12 устройства и катоду второгодиода Шоттки 13, анод которого подключенк базе транзистора 2 и коллектору транзистора 14 второго типа проводимости, который является инжектором транзистора 2,база которого подключена к общей шине 3, 25а эмиттер через резистор 15 подключен кшине 11 питания,Устройство согласования работает следующим образом.Если на входе 12 устройства присутствует сигнал логического О (управляющийэтим входом транзистор насыщен), коллекторный ток транзистора 14, величина которого определяется в основном сопротивлением резистора 15, через прямо включенныйдиод Шоттки 13 ответвляется из базы транзистора 2 в коллектор управляющего входом 12 транзистор. Транзистор 2 заперт.Поскольку база транзистора 9 закороченана общую шину 3 через управляющий входом 12 транзистор предыдущего каскада,то транзистор 9 открыт и его коллекторный 4 Оток, который определяется в основном значением сопротивления резистора 10, поступает в базу транзистора 1, вызывая егоотпирание. Транзистор 1 находится в режименасыщения, и на выходе устройства 4 присутствует сигнал логического О (:0,1 - 450,2 В). При этом так как транзистор 2 закрыт, то ток базы транзистора 5 определяется кол. лекторным током утечки транзистора 2 и обратным током диода Шоттки 8, которыми имеют малую величину, что соответствует закрытому состоянию транзистора 5. В этом состоянии устройство потребляет ток, равный сумме эмиттерных токов транзисторов 14 и 9,При поступлении на вход 12 устройства сигнала логической 1 (управляющий этим входом транзистор предыдущего каскада закрыт) коллекторный ток транзистора 14 ответвляется в базу транзистора 2, который открывается и входит в режим насыщения. Одновременно с этим происходит запирание транзистора 9 и транзистора 1. При этом запирание транзистора 1 осуществляется перехватом коллекторного тока транзистора 9 и активным рассасыванием базового заряда за счет протекания коллекторного тока транзистора 2. Так как транзистор 2 входит в режим насыщения, то база транзистора 5 через резистор 7 и транзистор 2 оказывается закороченной на общую шину 3 Транзистор 5 открывается и его коллекторный ток осуществляет форсированный пере- заряд суммарной нагрузочной емкости на выходе 4 устройства до напряжения, равного 1.1 л.а - 1.1 ак в, где Б,аа - напряжение шины 6 питания, а Ъа к - напряжение коллектор - эмиттер транзистора 5 в режиме насыщения,На выходе 4 устройства устанавливается сигнал логической 1.В этом состоянии устройство потребляет ток, равный сумме эмиттерного тока транзистора 14 и базового тока транзистора 5. Транзистор 9 закрыт, так как его базовый ток определяется коллекторным током утечки управляющего входом 12 транзистора и обратным током диода Шоттки 13, величины которых малы.Таким образом, снижение потребляемой мощности устройства достигается за счет отключения наибольшего в устройстве тока транзистора 9 и стабилизации базового тока транзистора 5 в состоянии логической 1 на выходе устройства 4. Кроме того, в предлагаемом устройстве одноколлекторные транзисторы 1 и 2 могут быть выполнены в нормальном включении, что также приводит к снижению потребляемой мощности устройства,