Устройство для реологических измерений

Номер патента: 632483

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Алфинцев, Засимчук, Маслов, Овсиенко

МПК: B22D 27/04

Метки: направленной, слитков, структурой

...в 480 С - это предельное пере- охлаждение, достигаемое при охлаждении металлических расплавов.П р и м е р. Выплавляют цилиндри ческие образцы сплава РЬ -5% Я диаметром 10 мм и длиной 50-100 мм, Плавку проводят в тиглях из окиси алюминия под стеклянным флюсом в индукционной печи. Температуру измеряют термопарой ПР - . ЗЭ 30/6,Расплав перегревают перед охлаждеоцием до 1700 С.При достижении расплав ом в ходе охлаждения температуры на 210 С ниже температуры ликвидус производят резкое охлаждение нижней части тигля путем З соприкосновения ее с массивным холодным стальным стержнем и тем самым вызывают кристаллизацию расплава, Охлажденный до комнатной температуры слиток травят в структурно-чувствитель 39 ном реактиве (5%-иый раствор йода...

Номер патента: 791456

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Забродин, Корсаков, Мисечко, Устинов, Фролов, Цибрик, Черненко

МПК: B22D 27/04

Метки: направленной, отливок, структурой

...20 ти высоких температур при кристаллизации металла до 40-100 оС/ч, чтопозволяет установить, необходимыйтемпературный градиент по высотеотливки и направленнный отвод теп 25 ла через холодильник,П р и м е р. Иэготлитых постоянных магн аЮДНК 24 БА, габаритыМагнитный сплав при 13 О в формы, изготовленны791456 Величина разрежения в форме после заливки металла,мм рт.ст.Показатели 35 60 70 10 Скорость теплоотвода через стенкиФормы бС/ч 40 100 140 Высота столбчатых кристаллов, мм 40 Глубина эоны мелкозернистых кристаллов со стороны стенок формы,мм 0,7-1,2 0,9-15 1,1;1,8 2,5.-3,5 ВНИИПИ Заказ 9182/10 Тираж 889 Подписное филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 бадцелеитового песка дисперностью0,1-0,2 мм, упрочненные при разрежении 20 мм...

Номер патента: 1822376

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Банников, Семов

МПК: B22D 27/04

Метки: направленной, осевой, слитков, структурой

...температурных градиентов благодаря воэможности осуществлять нагрев нижних стенок литейной формы до высоких температур, поскольку подставка 5 не условия приоритетно о зарождения и однонаправленного роста крупных ограниченных по количеству столбчатых кристаллов, которые подавляют развитие других кристаллов, образующихся на матрице подставки 5, имеющей более низкую тепловую активность за счет меньшей теплопроводности ее материала и более высокой температуры в начальный период кристаллизации, Отмеченные факторы создают условия формирования по всей высоте слитка требуемой кристаллической текстуры и уменьшают величину нижней части слитка, ие соответствующей техническим требованиям по макроструктуре и отходящей в обрезь. Путем подбора...

Номер патента: 1133028

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Громов, Дербасов, Дыскин

МПК: B22D 27/04

Метки: литых, магнитов, направленной, постоянных, структурой

...1655-1800 С нарушаютсянеобходимые условия формирования направленных кристаллов в отливках крупногарарит.ных магнитов (образуются зоны равноосныхдендритов), что снижает качество отливок.аПри температуре формы более 1450 С изаливке сплава при 1655-1800 С происходитоугар легирующих элементов, развитие ликвационных процессов, а в некоторых случаяхи разрушение формы, что приводит к сниже.нию магнитных свойств и увеличению брака.Способ осуществляют следующим образом.Литейную форму нагревают в пределах тем.оиератур 1355-1450 С; устанавливают ее намедный водоохлаждаемый холодильник, разогревают сплав до температуры заливки 1655 -3800 С и заливают сплав в форму. Далееопроизводят охлаждение залитого сплава.Литейная форма для получения магнитов(см....

Номер патента: 1833581

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Бондаренко, Бунтушкин, Каблов, Крупенев, Сурова, Шалин

МПК: B22D 27/04

Метки: направленной, отливок, структурой

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТЛИВОК С НАПРАВЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙ, включающий нагрев литейной керамической формы выше температуры ликвидуса сплава, заполнение формы расплавом и его направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения характеристик кратковременной и длительной прочности, направленную кристаллизацию расплава осуществляют при соблюдении условияG/R = 7 - 120oС ч/см2,где G - температурный градиент на фронте кристаллизации;R - скорость кристаллизации расплава.