Способ измерения механического давления

Номер патента: 558184

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Глазунова, Малов, Симонов, Филимонов

МПК: G01L 1/16

Метки: величин, механических, преобразователя, частоту, чувствительный, элемент

...усилие Р. Грани пластины пьезоэлемента имеют форму трапеции высотой / с основаниями а и 6. По высоте пьезоэлемента с двух его сторон нанесены попарно электроды 4 - 4", 5 - 5", 6 - 6", 7 - 7" и 8 - -8", образующие пьезорезонаторы 4, 5, 6, 7, 8, которые вследствие эффекта локализации энергии акустически нс связаны один с др) гим нс 1 астотсх разонансных колеоанР 1 й.Приращение частоты Л/ высокочастотного пьезорезонатора при фиксированной оренГацип кристаллографических осей пьезоэлемента и заданном способе подвода усилий линейно зависит от величины механического напряжения Т в подэлектродной области п 1 езо- резонатора где й - постоянная. Величина механического напряжения определяется как отношение силы к сечению, через которое...

Номер патента: 723906

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Каракушан, Карапатницкий, Стафеев

МПК: G01T 3/00

Метки: быстрых, дозиметр, нейтронов

...характеристики магнитодиода с базой п-типа описывается выражениями:Б 1 = 1 ехр( - -);сд,Ь+сЫ/Е 1 сЬ 1/1. с=2 ---- , 1 = ----Ь+с т 1,(Ъ+1) ЬД/21.иЬ=еЬ+ гР Р) МРс ф где Н - прямое постоянное напряжение, приложенное к магнитодиоду;Ь - отношение подвижностей свободных электронов к свободных дырок;- постоянная для данной температуры Т величина;"о удельное сопротивление исходного материала базы диода;- время жизни дырок, инжектированных в п-базу.,Очевидно, что в случае ехрс 1/1, ) 11 й Ь+1с =. - , - ехр - и 1=1 е -- е - Й/1,Ь+1 1. с тИсследования показывают, что в широком диапазоне доз быстрых нейтронов изменения времени жизни подчиняются закону1/г = 1/Г, + Кф К - сопят.Ф - дозаИэ выражения для ВАХ магнитодиодаследует, что4 т 1...

Номер патента: 1765731

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Ермаков, Коломоец, Панасюк, Родионов

МПК: G01L 9/06

Метки: величин, датчика, механических, чувствительный, элемент

...управлять с помощью направленного усилия крутизной ВАХ, причем зависимость крутизны ВАХ от усилия близка к линейной, Предмет изобретения в 3) сформулирован "как применение канального транзистора в качестве тензодатчика", Однако возможности использования отдельно взятого полевого транзистора в качестве механоэлектрического преобразователя существенно ограничены в связи с наличием значительной температурной зависимости его характеристик, что допускает его использование как преобразователя лишь при фиксированной температуре. Авторами с целью повышения точности механоэлектрического преобразователя, расширения рабочего диапазона по давлению, обеспечения температурной стабильности датчика предложено использовать в качестве датчика...

Номер патента: 658971

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Гуревич, Долгих, Сальмани, Таратута

МПК: G01R 31/26

Метки: падения, прямого, тиристоров

...диаметров. Цель изобретения - повышение эффективности и точности измерения.Это достигается тем, что через 45 Испытываемый тиристор пропускают импульсы тока, которые формируют путем наложения двух токовых импульсов, один иэ которых имеет амплитуду меньше предельного тока тиристора, а другой имеет амплитуду, превышающую предельный ток тиристора, причем, второй импульс подают через промежу. ток времени после начала первого импульса, превышающий время распространения включенного состояния с нысоким уровнем инжекции по всей площади структуры, а прямое падение напряжения измеряют н момент максимального значения второго импульса.Пропускание первого импульса тока 50 обеспечивает распространение включенного состояния по всей площади структуры,...

Номер патента: 690393

Опубликовано: 05.10.1979

Автор: Пивоненков

МПК: G01P 15/02

Метки: величин, датчика, интегральный, механических, чувствительный, элемент

...границ 9. Возможно два расположения тенэореэисторов смежных плечмоста, В первом случае тензорезисторы располагаются поперек пазапо диаметру мембраны (резисторы5, 6). Другое возможное выполнениетензореэисторов - вдоль паза, перпендикулярно диаметру мембраны(резисторы 7, 8) . При любом выполнении резисторы располагаютсяпараллельно друг другу, у противоположных границ паза 9, на расстоянии в, не большем трети ширины паза д от них. Оба паза 3 располагаются на равном расстоянииот центрального участка 10 мембраны и края (периферийнойчасти)мембраны 11. Пазы могут быть вы"полненными раздвоенными на две части 12 и 13 проходящие непосредственно над тенэореэисторами 4, в то время как часть 14 мембраны, рдсположенная между резисторами 4, выполнена с...