Способ контроля прессования фанеры

Номер патента: 434568

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Обрубов

МПК: H03H 7/30

Метки: задержки, линия, сверхвысоких, сигналов, частот, электромагнитных

...игсв.(22) Заявлено 13.11.70 (21) с присоединением заявк Дата опубликования описа Изобретение относится к радиотехникс и может использоваться в системах обработки сигналов.По основному авт. св.346782 известна линия задержки электромагнитных сигналов сверхвысоких частот,С целью сохранения дисперсионных характеристик линии задержки при использовании в ней монокристаллического ферритового цилиндра уменьшенных размеров в предлагаемой линии задержки монокристаллический цилиндр заключен в соосный ему поликристаллический ферритовый цилиндр. Для снижения потерь сигнала поликристаллический ферритовый цилиндр выполнен составным из двух цилиндров, разделенных экранирующим проводником линии передачи.На чертеже приведена схема предлагаемой линии...

Номер патента: 1365373

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Безлюдова, Дубовик, Осипов, Соколова, Шворобей

МПК: H05B 6/64

Метки: держатель, поле, сверхвысоких, тороидальных, трансформаторов, частот, электромагнитном

...1 кассеты свободно установ" лена на лакированной поверхности 40 трансформатора 7.Размеры пластин 1 и 2 кассеты выбираются иэ соотношения Так как в обмотках трансформатора максимальная неоднородность наведенного поверхностного тока наблюдается в области выводов и именно здесь происходит максимальное выделение тепла, то конструктивное решение - введение в системе двух пластин гнезда (диаметром 35 мм и толщиной 10 мм), электрически замыкающего выводы витков трансформатора - обеспечивает исключение неоднородностей теплового и токового распределения.При сушке трансформаторов температура последнего (и металлического гнезда), равная 80-90 С, сохраняется в пределах +5 С в течение времени+ аполимериэации лака, что свидетельствует об...

Номер патента: 340345

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Будкер

МПК: H01J 25/00

Метки: колебаний, мощных, преобразования, сверхвысокой, усиления, частоты, электромагнитных

...прохоЖдения луча,На чертеже показана схема предлагаемого прибора.Электронная пушка 1, формирующая луч,находится под потенциалом 1-3 млн. в относительно последнего электрода секционированной ускорительной трубки 2, напряжение на которой создается с помощью трансформатора 3.340345 Развертываемая система с двумя прост ранственно сдвинутыми на 90 отклоняющиоми конденсаторами 4 возбуждается от источника уснливаемых колебаний 5. Отрезок линии 6 сдвигает фазы колебаний на 90 . Такая система создает отклоняющее электрическое ВЧ - поле с круговой поляризанциеи. Электронный луч, ускоренный до релятивистских энергий в ускорительной трубке и отклоненный конденсаторами, поступает в И щель выходного резонатора 7.Релятивистские электроны образуют...

Номер патента: 101134

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Валитов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, непосредственного, проницаемости, сверхвысоких, частотах

...проницаемость по углу поворота образца под действием пондеромоторных сил электромагнитного поля. На чертеже показана схема устройства для осуществления предлагаемого способа.По волноводу прямоугольного сечения, присоединенному к генератору 1 сверхвысокой частоты, распространяются волны типа 01 в. Волновод расположен так, что его широкая сторона лежит в вертикальной плоскости. Поперек волновода вертикально проходит ось 2, подвешенная на кварцевой нити 3 крутильных весов, На оси укрепляется образец 4 испытуемого материала с диэлектри ческой постоянной г, выполненный в виде эллипсоида вращения и повернутый под углом о к оси волновода.Для устранения отражения волны в месте нахождения образца - эллипВелич а е поворота эллипсо и...

Номер патента: 546122

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Авдеев, Вашакидзе, Поветкин

МПК: H04N 5/30

Метки: интегральное, потоков, распространением, электромагнитных

...с произвольной и изменяемой конфигурацией внутри слоя электрооптическото материала, обеспечивающих 2, нанесенная на однутрооптического материалаобой вещество, обладаюати мого изменения пров нанесены контактные пло из которых подключен его напряжения б.Работает устройство следующим образом.Металлизированная сторона д слоя 1 и контактные площадки 4 на участках АВ и ЕР подключаются к минусу источника управляющего напряжения 5, а на,контактные площадки на участке СВ подается некоторое постоянное напряжение, достаточное для изменения диэлектрической .проницаемости (коэффициента преломления) того объема слоя электрооптпческого материалакоторый расположен между участком Сй пленки и мегаллизированной стороной 3.Так как удельное сопротивление...