Геттер для ламп накаливания
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(54) (57) ГЕТТЕР ДЛЯ ЛАМП НИЯ, наносимый на тело накал тугоплавкого соединения типа м лоид, отличающийся тем, что, вышения срока службы путем стабильности светового потока напряжения зажиганиия дуги, тельно содержит металлогалло дуюшем соотношении компоненСоединение металл-металлоид 8 Металло галл оид 0 Татевося овыи заво ники ета. Тр- 19. с. 16во СС975 (п 5 - 99,82 - 15 тип) ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(56) 1. Электрические источды ВНИИС. Саранск, 19812. Авторское свидетельс598158, кл. Н 01 К 1/56 ЯО 1075332 НАКАЛ ИВА- а, на основе еталл-металс целью поповышения и повышения он дополниид при слетов, мас. %:1075332 8599,80,2 - 15 Нитрид ( борид, карбид) гафнияс хлоридом лантанаНитрид (борид, карбид) танталас бромидом неодимаНитрид (борид, карбид) ренияс хлоридом марганца 92,4 99,8 7,6 16 92,4 99,8 7,6 15 92,4 99,8 7,6 15Составитель Г. Жукова Редактор И.Шулла Техред И. Верес Корректор И. Эрдейи Заказ 235/46 Тираж 683 Подлисное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и о 1 крытий 1 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к электротехнической промышленности и может найти широкое применение в производстве ламп накаливания.Известен геттер для ламп накаливания, наносимый на тело накала и выполненный из металлогаллоидов 1.Однако лампы с таким геттером имеют сниженный световой поток из-за летучести металлогаллоидов,Известен также геттер для ламп накаливания, наносимый на тело накала, выполненный из тугоплавких соединений металлметаллоид, например, в виде нитридов металлов, разлагающийся на металл и азот 2Недостатком этих геттеров является малое напряжение возникновения самостоятельной дуги, обусловленное выделением газа и, тем самым, приводящее к снижению надежности функционирования ламп. Лампы с таким геттером имеют достаточно высокие световые потери.Целью изобретения является повышение срока службы ламп путем повышения стабильности светового потока и повышения напряжения зажигания дуги.Указанная цель достигается тем, что геттер для ламп накаливания, наносимый на тело накала, на основе тугоплавкого соединения типа металл-металлоид, дополнительно содержит металлогаллоид при следующем соотношении компонентов, мас. /о:Соединение металлметаллоидМеталлогалоид Смесь наносится на тело накала любым способом, Металлогаллоид в лампах накаливания разлагается на соответствующий металл и галоген. Металл играет геттерирую щую роль, тем самым снижая инерционность газопоглощающего действия тугоплавких соединений.Для нанесения на тело накала подготавливают три смеси компонентов геттера. 1 р В качестве предлагаемого геттера используют соединения типа металл-металлоид с металлогаллоидами при следующем соотношении компонентов, мас. %:Дальнейшее увеличение или уменьшениеграничных значений компонентов за указанные пределы не приводят к повышению срока службы, так как при меньшем содержании галоген поглощается металлическими деталями ламп, а при большем содержании металлогалоид оседает на внутренние части колбы лампы, что приводит к снижению светового потока.Напряжение возникновения самостоятельной дуги для ламп типа Б 220 - 230 - 100, Б в 200 в 240 , Б 230 в 240 в с предлагаемым геттером увеличивается на 26% по сравнению с геттером из тугоплавких соединений типа металл-металлоид, что приводит к увеличению среднего срока службы этих ламп на 500 ч. При этом потери светового потока этих лампуменьшаются на 1,3 - 1,6 / Другие металлогаллоиды с соединениями металл-металлоид дают такие же результаты.
СмотретьЗаявка
3475475, 04.06.1982
ЕРЕВАНСКИЙ ЭЛЕКТРОЛАМПОВЫЙ ЗАВОД
АБРАМЯН АШОТ АРЦРУНОВИЧ, ТАТЕВОСЯН АГАБЕК АМАЯКОВИЧ, ПОГОСЯН ВАЛЕРИЙ РОБЕРТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01K 1/56
Метки: геттер, ламп, накаливания
Опубликовано: 23.02.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1075332-getter-dlya-lamp-nakalivaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Геттер для ламп накаливания</a>
Предыдущий патент: Способ определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала
Следующий патент: Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках
Случайный патент: К авторскому свидетельствуопубликовано оз. х. 1973. бюллетень ndeg; 39 дата опубликовапия описания 11. ii. 1974м. кл. в 22с 1500удк 621. 744. 431(088. 8)