Способ поточного формирования растилен для проращивания семян

Номер патента: 1063330

Авторы: Болотин, Зинченко, Люперсольский, Финкельберг

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХсоцИАлистичеснихРЕСПУБЛИК И 50. А Ь 9/08 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) 1.Заявка на Патент Японии 19 49-6923, кл,А 01 С, 9/08, 1974 (54) (57) СПОСОБ ПОТОЧНОГО ФОРМИРОВАНИЯ РАСТИЛЕН ДЛЯ ПРОРИ 4 ИВАНИЯ СЕМЯН, включающий перемещение растилен, дозирование субстрата, послойное нанесение субстрата в растильниЯО 063330 А послойное выравнивание его, увлаж. нение струйным душированием и нысев семян перед нанесением верхнего слоя субстрата, о .т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью его упрощения с воэможностью упорядочения высева семян по шагу при селекционной работе, перемещение растилен осуществляют дискретно, послойное нанесение субстрата осуществляют с толиной каждого слоя субстрата, крат-, ной толщине верхнего слоя его, а на поверхности предпоследнего слоя образуют лунки для семян струйным ,душнрованием.".Ьказ 10389/2 Тираж 721 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская иаб, д 4/5филиал ППП Патентг, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к подготовке и укладке субстрата в растильнидля проращивания семян, напримерхлопчатника, в лабораторных условияхИзвестен способ поточного Формирования растилен для проращиваниясемян, включающий перемещение растилен, дозирование субстрата, послойное нанесение субстрата в растильни, послойное выравнивание его,увлажнение струйным душированиеми высев семян перед нанесениемверхнего слоя субстрата 1 .Недостатком известного способаявляются сложность его технологии 5и невозможность использования дляселекционных работ,Цель изобретения - упрощение свозможностью упорядочения высевасемян по шагу при селекционной ра, боте,Укаэанная цель достигается тем,что перемещение растилен осуществляют дискретно, послойное нанесениесубстрата осуществляют с толщинойкаждого слоя субстрата, кратнойтолщине верхнего слоя его, а на поверхности предпоследнего слоя образуют лунки для семян струйным душиров аниемСпособ осуществляют следующим образом,Субстрат из весового или объемногодоэатора поступает порциями в приемник-распределитель, Каждая порция равна по массе Мь где М - вся масса субстрата, подлежащая укладке в растильню, а л - количество слоев, каждый из которых по величине равен массе верхнего слоя, укладываемого." над семенами, Например, для проращивания семян хлопчатника в растильне о: З-слоям, иэ которых два слоя укладываются под семенами, а один над семенами, Затем перемещают растильню вдоль ее длинной стороны . При этом из.приемника-распределителя субстрата (для хлопчатника сухой песок) поступает в растильню и одновременно Формируется слой субстрата с выравненной поверхностью и заданБ)ой толщиной, затем растильня со сФэрмирэванным слоем субстрата устанавливается под душирующим устройством дозатора воды, где производится равномерное увлажнение по всей поверхности слоя одновременно при давлении струй 3,0-5,0 атм, При этом на один слой субстрата выдается масса воды, равная 1/и части общей массы при заданной влаж" ности субстрата. При указанном да": влении на поверхности слоев образуются хорошо заметные лунки, в которые перед укладкой верхнего слоя производят высев семянВ предлагаемом способе упрощается технология путем проведения большей механизации работ.

Смотреть

Заявка

3329826, 27.07.1981

СИМФЕРОПОЛЬСКИЙ ФИЛИАЛ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ОБЪЕДИНЕНИЯ "АГРОПРИБОР"

БОЛОТИН ВИКТОР МОИСЕЕВИЧ, ЗИНЧЕНКО АРТУР ПЕТРОВИЧ, ЛЮПЕРСОЛЬСКИЙ ЮРИЙ СЕРГЕЕВИЧ, ФИНКЕЛЬБЕРГ НИКОЛАЙ ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: A01G 9/08

Метки: поточного, проращивания, растилен, семян, формирования

Опубликовано: 30.12.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1063330-sposob-potochnogo-formirovaniya-rastilen-dlya-prorashhivaniya-semyan.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ поточного формирования растилен для проращивания семян</a>

Похожие патенты