Вторично-электронный умножитель
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1058007
Авторы: Багдуев, Вычегжанин, Зисман, Иванков
Текст
.66блик НЫЙ УМНОэ эмит 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ. КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) (57) ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОНЖИТЕЛЬ, содержащий диноды и теров типа жалюзи и сетку излельных проводящих элементов, о тл и ч а ю щ и. й с я тем, что, сцелью повышения коэффициента усиления, средние продольные плоскостиэлементов сетки расположены параллельно направлению жалюэных лопастей динодов так, что в плоскости,перпендикулярной этому направлению,ось сечения каждого элемента сетки,направленная параллельно продольнойоси умножителя, расположена надсереднной ближнего к катоду основания сечения жалюэной лойасти.1058007 25 30 5 1 О 15 20 35 40 45 50 55 бО ВНИИПИ Заказ 9587/54 Филиал ППП "Патент", г. Устройство содержит эмиттер типажалюзи 1 и сетчатую структуру 2. Начертеже изображены также ось 3 сечения каждого элемента сетчатой структуры, продольная ось 4 умножителя,траектории электронов 5,Сетчатая структура 2 образованапараллельными проводящими элементами, расположенными параллельно направлению лопастей жалюзи 1 так,чтов плоскости, перпендикулярной этомунаправлению, ось 3 сечения каждогоэлемента сетчатой структуры 2, направленная параллельно продольнойоси 4 умножителя, проходит черезсередину верхнего основания сечения соответствующей лопасти жалюзи 1.Предлагаемый умножитель работаетследующим образом,Электроны 5, испускаемые лопастями жалюзи предшествующего и-го динода (1 ) ускоряются электрическим полем сетчатой структуры 2 последующего и-го динода, проходят сквозь сетчатую структуру 2 последующего и-го динода и попадают на лопасти жалюзийного эмиттера последующего и-го динода, При этом каждый электрон выбивает более одного вторичного электрона, что приводит к умножению электронов. Конструкция вторично-электронного умножителя более эффективна посравнению с известными вторично-.электронными умножителями благодарятому, что элементы сетчатой структуры расположены в зоне минимальнойплотности электронного потока, поэтому перехват электронов элементами сетчатой структуры уменьшается.В результате электронная прозрачность сетчатой структуры всегда выше ее оптической прозрачности. Например, при оптической прозрачностиравной 90 электронная прозрачностьсоставляет 96, При этом большеечисло электронов участвует в умножении и, следовательно, эффективность вторично-электронного умножителя выше, чем у известных конструкций. Экранирующее действие предлагаемой сетчатой структуры не хуже,чем у известной конструкции. Крометого, предлагаемая конструкция позволяет, с целью повышения механической прочности и улучшения технологичности применять проводникисетки большего диаметра без существенных потерь электронной прозрачности,Тираж 703 Подписное Ужгород, уг:., Проектная, 4
СмотретьЗаявка
3439336, 14.05.1982
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4294
БАГДУЕВ РОМАН ИСАКОВИЧ, ВЫЧЕГЖАНИН СЕРГЕЙ ПЕТРОВИЧ, ЗИСМАН ВЛАДЛЕН СОЛОМОНОВИЧ, ИВАНЬКОВ ВИКТОР ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 43/00
Метки: вторично-электронный, умножитель
Опубликовано: 30.11.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1058007-vtorichno-ehlektronnyjj-umnozhitel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Вторично-электронный умножитель</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе
Следующий патент: Измерительный ртутный зонд
Случайный патент: Волноводная ступенчатая скрутка