Формирователь импульсов

50 Изобретение относится к цифровойтехникеи предназначено для формиронания прямоугольных импульсовна нходе проводной линии связи илина иной нагрузКе с большой входнойемкостью.5ФфИзвестен формирователь импульсон,содержащий два транзистора разноготипа проводимости,.диод, схему смещения и три резистора,Недостаток данного устройства ;1 Обольшое время задержки включенияпри работе на емкостную нагрузкуи искажение.Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому является15формирователь импульсов, содержащийключевой элемент, выходной усилительДарлингтона, три о -р-п в транзисто,два диода, емкость и четыре резистора.Недостаток известного устрой- Щства - сложность схемы защиты (она,содержит конденсатор, четыре резистора, три транзистора, два.диода)и большая потребляемая мощность.Цель изобретения - снижение потребляемой мощности, упрощение схемыпри сохранении высокой нагрузочнойспособности.Поставленная цель достигаетсятем, что в формирователь, содержащий ключевой элемент, усилитель Дарлингтона, О - Ртранзистор, диоц,конденсатор и три резистора, причемвходом устройства является вход ключевого элемента, нход усилителяДарлингтона соединен с анодом диодаа выход является выходом всего устройства и соединен с эмиттеромО-р-п-транзистора, .коллектор которого соединен с катодом диода, а базасоединена с первой обкладкой конденсатора и через первый резистор собщей, шиной, которая соединена свторой обкладкой конденсатора, введен р-о-Р-транзистор, эмиттер которого соединен с выходом ключевого 45элемента и через второй резистор соединен с анодом диода и базой,р-п-р-транзистора, коллектор кото"рого через третий резистор соединен с первой обкладкой конденсатора и базой о -р-п-транзистора,На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит ключевой элемент 1, Р-и-р-транзистор 2, диод 3, . 55усилитель Дарлингтона 4, ъ -р-П-транзистор 5,резисторы 6-8 и конденсатор 9.Устройство работает следующим об"разом.При появлении на входе устройстванизкого напряжения на выходе ключевого элемента 1 появляется напряжение, открывающее транзисторы усилителя Дарлингтона 4, при эначитель- .ВЯИЛПИ Заказ 7574 59Филиал ППП Патент",г.У ной емкости нагрузки падением напряжения на резисторе 7 открываетсятранзистор 2 и начиМается зарядконденсатора 9. За время заряда максимальной емкости нагрузки конденсатор 9 не успеет зарядиться до напряжения отпирания транзистора 5При формировании вершины выходногоимпульса падение напряжения на резисторе 7 будет незначительным итранзистор 2 закроется, а конденсатор 9 разряжается через резистор6. При подаче высокого уровня напряжения на вход ключевого элемента 1закроются транзисторы усилителяфДарлингтона 4, Если на выходе формирователя произошло короткое замыкание, то напряжение на резисторе7 откроет транзистор 2, конденсатор9 зарядится до напряжения отпираниятранзистора 5, откроется транзистор5 и падение напряжения на диоде3 и переходе коллектор-эмиттер тран.эистора 5 закроет транзисторы усилителя Дарлингтона 4. При появлениивысокого уровня напряжения на входеустройства упадет напряжение на выходе ключевого элемента 1, резисторе 7, закроется транзистор 2, конденсатор 9 разрядится через базаэмиттерный переход транзистора 5 ирезистор 6,Таким образом, при коротком замыкании через выходной транзисторусилителя Дарлингтона 4 будут протекать импульсы тока длительностью,равные времени фронта выходного импульса при максимальной емкости нагрузки, и скважностью, определяемой как отношение длительности периода выходных импульсов к длительности фронта выходного импульса,также как в схеме прототипа.Схема защиты при обычном режимеработы (нет короткого замыканияпотребляет мощность только во времяформирования переднего фронта выходного импульса, В остальное времяработы транзисторы 5 и 2 в схемезащиты закрыты и мощность схемой защиты практически не потребляется,В то время как у прототипа в схемезащиты постоянно выделяется мощностьна двух резисторах и диоде, один идругой из трех транзисторон схемызащиты также все время открыты ипотребляют мощность, кроме того,н момент формирования выходного импульса мощность в схеме защиты выделяется сразу на четырех резисторах, диоде и одном транзисторе.Таким обраэбм, предполагаемое устройство в сравнении с прототипомсущественно снижает потребляемуюмощность, сохраняя высокую нагруэочную способность,Тираж 936 По писноежгород, ул,Проектная,4