Способ возведения стены в грунте

Номер патента: 687189

Опубликовано: 25.09.1979

Автор: Митьков

МПК: E02D 5/20

Метки: возведения, возводимой, грунте, криволинейного, панелей, панель, плане, сборной, сооружения, способом, стены, этим

...раствора 4. После разработки грунта до проектной отметки на дно траншеи краном вертикально устанавливают панель 5 так, чтобы она примыкала к наружной стенке б тран. шеи 3. После этого панель 5 наклоняют к внутренней стенке 7 траншеи 3 и присоединяют верх панели 5 к внутреннему бортовому элементу 2 с помощью, например болтового соединения 8. Через определенный интервал устанавливают в траншею следующую панель и повторяют процесс аналогично, пока не будут установлены панели на захватке расчетной длины. Затем выполняют забутовку наружной пазухи траншеи между панелями 5 и стенкой б малопроницаемым материалом 9, например глиноцементопесочным раствором, который поЛают в траншею 4по трубе, вертикально опущенной первоначально на нижнюю отметку с...

Номер патента: 767290

Опубликовано: 30.09.1980

Автор: Митьков

МПК: E02D 29/00, E02D 5/20

Метки: возведения, грунте, криволинейного, панелей, плане, сборной, сооружения, стены

..." щения торцевых граней внутренних стена фиг. 6 - бетойировсаниое. армокаркаса;новыхпанелей, например, при помощийа фиг. 7 - йзобраьен в плане стеновой- направляющих Уголков 16, приваренных кэолеемоент ноа фйг. 8-вразрез йо А-"Апанелям с двух торцевых сторон /см,фиг,фиг. 7,/ и йовторрют процессаналогично иОписываемый способ осуществляют многократно до завершения строительстследующим образом,ва. стен,ЕЫЕямосро.аЬо вн .нвевевг нвв г ося, ;-огс м еняом.г. туи веннА-оннгя в;, ; - -" .: оя и,вначале отрывают пионерные траншеи , После достижения необходимой проч НЕбОЛЬШОй ГЛубИййогПОнКОо"Нбтпургоут СООружЕ- . НОСтн бЕтОНа, дЕМОНтИруЮт ВкутрЕННИйЯйся;" в которых возводят наружный 1 и . бортовой элемент 2, а в случае констя,1 ве,. е"...

Номер патента: 1738901

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Гапченко, Гриненко, Нурашев, Пекур, Черевко

МПК: E02B 7/06

Метки: возведения, ископаемых, месторождений, полезных, разработке, хвостохранилища

...соляной залежи, м,и - высота внутренней дамбы, м.На внутренней дамбе 3 располагают трубопроводную систему бдля укладки пер вичных шламов, а на дамбе 4 - трубопроводную систему 7 для укладки вторичных шламов, соединенные с установкой 8 (фиг,1) разделения отходов обогащения (хвостов) обогатительной установки 9 на первичные и 20 вторичные шламы, .Со стороны, противоположной месту подачи шламов, устраиваются водосбросные устройства 10,11, через которые очищенная. жидкая фаза отводится в озеро. 25Соль, добытая агрегатом 12, по транс- по,;ной системе 13 подается на обогатительную установку 9. Отходы обогащения в виде гидросмеси по трубопроводу 14 поступают на установку 8, которая осуществляет 30 разделение отходов обогащения на первичные...

Номер патента: 641043

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Белов, Варначев, Крыджаян, Мысляев, Николаев, Семенышев, Томашевский

МПК: E02F 5/04

Метки: грунтах, проходки, ракушечник, типа, траншей

...сое рубком бункера, который ьтром и разгрузочными шне овленными в кожухах с под и заглушками.изображено предлагаемое в рабочем положении, прорез; на фиг.2 - разрез А,узел, ставится опорами 20 на кронштейн 21, который крепится к тракторуаГидроцилиндр 22 служит для вводаустройства в рабочий забой (опускание) и вывода его из забоя (поднятие).Устройство работает следующимобразом.С помощью редуктора 18 приводят 10в действие гидродвигатель 19 отвальных шнеков 14, Затем запускается гидродвигатель вентилятора 12 и центробежного Фильтра 13, По достижении имирабочих скоростей начинают работать 15Фрезы 1 и шнек 7. Воздействуя органами управления на гидроцилиндр 22,устройство вводят постепенно в рабочий забой,После достижения устройством...

Номер патента: 718544

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Корольков, Смородинов

МПК: E02D 5/20

Метки: возведения, грунте, стены

...в нее панелей, собранных по высоте из отдельных элементов, и заделку швов между элементами, сборку панелей производят непосредственно над поверхнОстью траншеи с одновременным их опусканием по мере сборки, а стыки между элементами панелей заделывают над поверхностью тиксотропного раствора.На фиг. 1 изображена схема возведения стены в грунте описываемом способом; на фиг. 2 - элемент панели, вид сверху.Описываемый способ осуществляется следующим образом. Элементы 1 собираютс верхностью траншеи 2 пр там же производится зад ных швов 4 между элем щим раствором. Для удо легчения фиксации элеме тельно друга элементы и паз. При сборке выступ входит в паз верхнего,Панель по мере ее сборки опускается в траншею. Сборка элементов в панель и...