Способ возведения стены в грунте

САН еетен Союз СоеетскикСоциалистически Республик ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительн авт. св 2) Заявлено 26.07,78 (21) 2649312/29-33 аявкиприсоединен Государстаенный комитет СССР ао делам изобретений и еткрытнйВ, Н. Корольков и Трудового Красного Зн институт оснований и им. Н. М, 1 т 1, И. Смородинов ени научно-иссл одземных сооруже рсеванова довательскииий ТЕНЫ В ГРУНТ я в панель над п и помощи крана елка горизонталнтами 1 твердею бства сборки и об нтов друг относи меют выступы и нижнего элемент о, ь 4) СПОСОБ ВОЗВЕДЕ Изобретение относится к области строительства и касается возведения стены, которая может бытьиспользована в качествефундамента или в качестве ограждающейподземной конструкции. 5Известен способ возведения стены в грунте, включающий разработку траншеи подзащитой тиксотропного раствора, опускание в нее панелей и заделку вертикальныхшвов между панелями 11.1 ОВ этом способе глубина стены назначается из условия транспортировки и монтажапанелей, поэтому стена имеет недостаточную глубину.Наиболее близким из известных к изобретению является способ возведения стеныв грунте, включающий разработку траншеипод защитой тиксотропного раствора, опускание в нее панелей, собранных по высотеиз отдельных элементов, и заделку швовмежду элементами 21,При этом заделку швов между элементами производят в заполненной тиксотропнымраствором траншее, что приводит к низкому качеству швов между элементами и плохой работе швов на растягивающие усилия,В результате этого несущая способностьстены, возводимой известным способом, недостаточно высока,Целью изобретения является повышение несущей способности стены.Указанная цель достигается тем, что в способе возведения стены в грунте, включающем разработку траншеи под защитой тиксотропного раствора, опускание в нее панелей, собранных по высоте из отдельных элементов, и заделку швов между элементами, сборку панелей производят непосредственно над поверхнОстью траншеи с одновременным их опусканием по мере сборки, а стыки между элементами панелей заделывают над поверхностью тиксотропного раствора.На фиг. 1 изображена схема возведения стены в грунте описываемом способом; на фиг. 2 - элемент панели, вид сверху.Описываемый способ осуществляется следующим образом. Элементы 1 собираютс верхностью траншеи 2 пр там же производится зад ных швов 4 между элем щим раствором. Для удо легчения фиксации элеме тельно друга элементы и паз. При сборке выступ входит в паз верхнего,Панель по мере ее сборки опускается в траншею. Сборка элементов в панель и опускание ее в траншею осуществляется при помощи блоков 5 и лебедок 6 тросами 7.Для пропуска тросов на боковой поверхности элементов имеются вертикальные пазы 8, Диаметр тросов и их количество определяется расчетом. В случае необходимости поверхности троса защищаются антикоррозионным покрытием.По окончании сборки панели и ее выверки верхние концы тросов закрепляются на верхнем элементе панели при помощи анкерных устройств (не показаны).Вертикальная стыковка между панелями, собранными из элементов выполняется, например, при помощи инвентарных труб или двутавров (не показаны).Использование описываемого способа позволит возводить стены в грунте из сборных элементов любой требуемой глубины заложения с обеспечением долговечности и высокой несущей способности стены. Формула изобретения Способ возведения стены в грунте, включающий разработку траншеи под защитой5 тиксотропного раствора, опускание в неепанелей, собранных по высоте из отдельныхэлементов, и заделку швов между элементами, отличающийся тем, что, с цельюповышения несущей способности стены,10 сборку панелей производят непосредственно над поверхностью траншеи с одновременным их опусканием по мере сборки, астыки между элементами панелей заделывают над поверхностью тиксотропного рас 15 твора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Смородинов М. И. и Федоров Б. С. Устройство фундаментов и конструкций способом стена в грунте. М., Стройиздат, 1976,с. 108.2. Абызов А. Г, и др. Возведение сооружений методом стена в грунте. Киев, Будивельник, 1976, с. 148,718544 ставитель Г, ГаврищТехред В. Серяко ецова дакт етрова рек пография, п ова,каз 2915/2 НПО сПоискИзд, Мо 162арствеинога комитета С 13035., Москва, Ж.35, Ра Тираж 729Р по делам изобретескан наб., д. 4/5 Подписно ткрытнй