Способ определения скорости высокотемпературной ползучести
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Оп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК . АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сфез СеветскинСоциалистическихРесттубпнкно делам нзабретеннй н втнрмтнйДата опубликования описання 28.02.83) Заявитель 4) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПОПЗУЧЕСТ Бель и вышение произ я скорости выетения. - определе водительностсокотемператуУказаннаяв способе оп ной ползу ель дости т гается тем, что орости высоко- и, основанном н озитронной анниеделени ползуче аметров тем перату измерении еформируемого материала, исдва образца одного материала руктуры,определяют у каждог араметры 9, и 92 позитронной ии, испытывают один из обра лзучесть и определяют скорость гиляции д пользуют разной ст образца п аннигиляццов на иЕд его п ь полэучесто формуле скоро зучес бразца числяю ба явл определельку даже рном сом енение 2 мо произ- следейст 16,гд Институт металлофизики АН У 1Изобретение относится к исследованию прочностных свойств материалов, а именно к способам определения скорости высокотемпературной ползучести.Известен способ определения скорости высокотемпературной ползучести, основан ный на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемых образцов. В известном способе определяют кривые углового распределения аннигиляционных -фотонов, испытывают образцы на простое последействие и по полученным результатам судят о скорости высокотемпературной полэучести1 . Недостатком известного спос ется низкая производительность ния скорости ползучести, носко небольшие изменения в структу стоянии материала вызывают из скорости полэучести и необходи водить испытание на простое по вие каждого образца. йА- параметры анниги- "А ляпни, отнесенныеСпособ определения скорости высокотемпературной ползучести,основанный на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемого материала, о т 1 ф л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения производительности определения, используют два образца одного материала разной структуры, определяют у каждого образца параметры Д и 8 пози- тронной аннигиляции, испытывают один из образцов на ползучесть и определяют скорость А его ползучести, а скорость ползучести второго образца вычисляют 20- параметры аннигигляции, отнесенныек показателюрасщепления дислокаций, во второмобразце,ки информации,имание при экспертизеИ и др Позитроннаяформированных монокриса с примесью Г.Е.- тела", 1978, т. 20,-1220 (прототип), - (.),обретения позволяет40ельность определения точ принятые во вн1, Дехтяр А, аннигиляция в де таллах молибден ффизика твердого вып. 4, с. 1218 Использование и овысить производи корости высокотем и обеспечить тем с сследования высок пературной ползучестимым эффективностьтемпературных свойст Составитель М. КузьминРедактор М, Янович Техред М,Тепер Коррект екмар Тираж 871 ИПИ Государственн по делам изобрет 113035, Москва, ЖПодписноего комитета СССРний и открытий, Раущская наб., д, 4/5 филиал ППП фПатентф, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3 1000837 4 к показателю 1 А материала и технологический контроль расщепления дислока- его структуры. ций, в первом обрй- ,Е зце; Фформула изобретенияи фф - параметры анниги " " ляции, отнесенные к показателю 1 . расщеплениядисло каций, во втором образце. Способ осуществляют следующим образом,Используют два образца из одного и, того же материала, но имеющего разную структуру или различное исходное состояние, Например, один из образцов подвергают предварительной ультразвуковой обработке У каждого образца определяют параметры В и 8 позитронной аннигиляции и показатель 1 расщепления дислока ций. Для этого строят кривые углового 1 В 1 / спределения аннигиляционных ф фотоЬов при позитронной аннигиляции в материале и аппроксимируют кривые параболическими составляющими. Для одногоЯд Оа из образцов определяют параметры Я и Вщи показатель 4 А, а для второго - Ъпоказателю д параметры 8 и 6 р и показатель 1 .расщепления дисЗатем один из образцов испытывают под нагрузкой и определяют скорость сА его 30локаций в первом высокотемпературной ползучести, Ско- Я 9 добр рость ползучести Ер второго образца выи числяют по формуле1 ц 1
СмотретьЗаявка
3244440, 09.02.1981
ИНСТИТУТ МЕТАЛЛОФИЗИКИ АН УССР
ДЕХТЯР АЛЕКСАНДР ИЛЬИЧ, КОНОНЕНКО ВЛАДИСЛАВ АНДРЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 3/00
Метки: высокотемпературной, ползучести, скорости
Опубликовано: 28.02.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1000837-sposob-opredeleniya-skorosti-vysokotemperaturnojj-polzuchesti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения скорости высокотемпературной ползучести</a>
Способ высокотемпературных испытаний образцов на прочность
Номер патента: 1456828
Опубликовано: 07.02.1989
МПК: G01N 3/18
Метки: высокотемпературных, испытаний, образцов, прочность
...электрический ток попеременно подают через блок 10 с интервалом 0,01 с на рабочий участок 2 от источника 11 и на захватные участки 3 и 4 от источников 11 и 19 соответственно, Температуру образца контролируют датчиком 5 на рабочем участке 2, датчиками 12 и 16 в примыкающих к нему зонах захватных участков 3 и 4 и записывают в блоке 6 регистрации температуры, Сигнал с датчика 5, соответствующий температуре рабочего участка 2, в каждый момент времени сравнивается в измерительном блоке 7 с сигналом, соответствующим заданной температуре, поступающим из программного устройства 8. С выхода измерительного блока 7 усиленный сигнал рассогласования подается в блок 9 формирования сигнала, который управляет величиной напряжения, вырабатываемого в...
Устройство для крепления образца в высокотемпературной приставке к рентгеновскому дифрактометру
Номер патента: 457913
Опубликовано: 25.01.1975
Авторы: Епифанов, Краковецкий-Кочержинский, Петьков, Подорожный, Тарнавский
МПК: G01N 23/20
Метки: высокотемпературной, дифрактометру, крепления, образца, приставке, рентгеновскому
...из материала, совместимого с материалом образца при температурах исследования. Профильный паз характеризуется наличием двух плоскостей вертикальной фиксирующей 6 и опорной 7, расположенной под острым углом к фиксирующей. Опорная плоскость 7 преобразует вертикальное усилие прижима в горизонтальное усилие, прижимающее образец 1 к фиксирующей плоскости 6. Сменные наконечники 4 и 5 служат для предотвращения физико-химического взаимодействия, например образования эвтектики, между веществом образца 1 и стоек 2 и 3. Нижняя поддерживающая стойка 2 изготовлена в виде трубки из тугоплавкого металла, например вольфрама, и составляет один из электродов термопары, а второй электрод термопары - проволока 8, натянутая в полости, поддерживающей...
Устройство для высокотемпературных испытаний образцов на растяжение
Номер патента: 538274
Опубликовано: 05.12.1976
МПК: G01N 3/18
Метки: высокотемпературных, испытаний, образцов, растяжение
...эдни из узлов крепления связаны с силэвэй эпэрэй, а другие - с системэй нагружения, и приспэсэбление для нагрева эбразцэв. Недостатком известнои установки являются большие габариты силовой опоры, 25 изображенвид. Онотержня 1о окружносрепления 3стемы нагте грузыкоторые иснабженконцов образцов 4 и винтами 7. На стержне 1 между грузами 5 установлены стопорные кольца 8 с фиксируюшими винтами 9. На кромке диска 2 закреплена трубка 10 со штуцером 11, Все устройство размещено в электропечи 12.Предлагаемое устройство работает следующим образом, Образцы 4 закрепляются в узлах крепления 3, расположенных в диске 2 и грузах 5. Затем грузы 5 крепятся ц винтами 7 к стержню 1, ивсе устройство вводится в электропечь 12. После установки...
Способ приготовления образцов для высокотемпературной рентгенографии
Номер патента: 634161
Опубликовано: 25.11.1978
Авторы: Латиган, Смолякова, Сорокин
МПК: G01N 1/28
Метки: высокотемпературной, образцов, приготовления, рентгенографии
...Москва, )К, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП фПатент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 ры порошка и взаимодействие его с клеем.Это достигается тем, что на органическуй подложку с порошком химическиосаждают металл из раствора солей, а узатем растворяют подложку с клеем органическим растворителем,.Осажденный из раствора металл служит металлической связкой порошковогоматериала, а подложка с клеем, являясь 6вначале средством крепления образцовперед осаждением, затем предохраняет отхимического осаждения металла ту частьповерхности образца, которая используется для реитгенографирования, Металличес кая связка позволяет нагревать образецдо высоких температур и, в отличие отклея, не происходит изменение химического состава поверхности...
Захват для высокотемпературных испытаний образцов
Номер патента: 781667
Опубликовано: 23.11.1980
Автор: Васильев
МПК: G01N 3/04
Метки: высокотемпературных, захват, испытаний, образцов
...материала. Нижняя половина конической втулки 4 набрана иэ металлоасбестовых дисков, а верхняя половина - из отожженных нихромовых дисков. На конической втулке 4 расположен опорный диск 5 для крепления испытуемого образца 6, выполненный иэ жаропрочного материала и имеющий на наружной поверхности лыски 7, Опорный диск 5 прижимается к втулке 4 с помощью стопорной шайбы 8, имекшей наружный диаметр, равный внутреннему диаметру стакана 1, и изготовленной иэ теплоизоляционного материала, а также имеющей в центре проФилированное отверстие, совпадающее по своей.78166 ВНИИПИ каз 8118/46 Тираж 1019 Подписи ПП"Патент", г, Ужгород, ул. Проектная Фил 3Фформе с формой лысок 7 йа опОрномдиске 5. Закрепление стопорной шайбы8 внутри стакана 1...
Предыдущий патент: Способ изготовления образца для металлографических исследований
Следующий патент: Способ испытания на прочность резиновых оболочек шлангов и устройство для его осуществления
Случайный патент: Глубокорасточной станок