Патенты опубликованные 05.11.1974
Способ стабилизации амплитуды и фазы высокочастотного поля в резонаторах ускорителя
Номер патента: 434899
Опубликовано: 05.11.1974
Автор: Тепляков
МПК: H05H 7/02
Метки: амплитуды, высокочастотного, поля, резонаторах, стабилизации, ускорителя, фазы
...ПОЛЯ В РЕЗОНАТОРАХ УСКОРИТЕЛЯаттенюатора вйбирают такимй, при которых амплитуда и фаза напряжения в резонаторах не зависятот величины нагрузки и управ:- ляются только изменением режима эадаю щего генератора 1,Предлагаемая система стабилизации является системой с обратной связью, подожительной или отрицательной в соответствии с фазой коэффициента отражения, ли, нейной с точностью до постоянства Кр ипрактически безынерционной. Если изменение генератора считать эа сигнал, то запаздывание реакции на этот сигнал равно отношению запасенной энергии в линиях к Ь; циркулирующей в них мощности, Это запаздывание существенно меньше постоянной "времени резонаторов. Способ стабилизации амплитуды и фазывысокочастотного поля в резонаторах ускорб...
Ускоряющая система линейного ускорителя ионов
Номер патента: 434900
Опубликовано: 05.11.1974
МПК: H05H 9/04
Метки: ионов, линейного, ускорителя, ускоряющая
...- длина резонатора;- числа клементов стабилиза ции;й, - порядковый йомер стабилизирующего элемента, И = О1,2, ,Длина резонансных элементов стабилизации, выбранных в виде проводящих шты-рей, а также их диаметр определяются равенствомрезонансного значения их собст1венных длин волн и длин мешающих типовволн, Таким образом, эффективная длинаштырей соответствует нечетному числу четвертей рабочей длины волны ускорителя.Начертеже схематически изображенапредлагаемая ускрряющая система линей,ного ускорителя ионов, аксонометрия сразрезом.Эта система представляет собой резонатор 1, нагруженный трубками дрейфа 2,установленными на подвесках (штангах) 3укрепленных на боковой стенке резонатора.Вдоль образующей, противоположной...
Оротрон
Номер патента: 435734
Опубликовано: 05.11.1974
Авторы: Костромин, Русин, Синенко, Шойхет
МПК: H01J 23/10
Метки: оротрон
...и коллекторы расположены параллельно поверхности пери одической структуры и находятся в скрещенных электрическом и магнитном полях, 25 тенными потенциалами отнОсите Оротрон помещен в магнитное поле, прчем Е )Е(Е - потенциал плоского з ла, Е - потенциал коллектора),В предложенном оротроне формирование электронного пучка и взаимодействие его с пространственными гармониками основного колебания открытого резонатора, обра зованными отражающей периодической структурой, осуществляется в скрещенных электрическом и магнитном полях. При этом каждый электрон, эмиттируемый катодом, под действием скрещенных полей движется к коллектору по циклоидальной траектории в непосредственной близости от поверхности периодической структуры.,3В результате...