Оптический модулятор света

Номер патента: 1150525

Опубликовано: 15.04.1985

Автор: Батулявичюс

МПК: G01N 21/00

Метки: зависимости, излучения, интенсивности, исследуемый, объект, отраженного, падения, регистрации, угла

...соединенные с индикатором, держа 252тель образца выполнен в вице коленчатого вала, одно плечо которого жестко соединено с валом, соединенным с датчиком угла поворота и вогнутым зеркалом, оптическая ось которого совмещена с осью поворота вала, и оптически сопряженным с приемником отраженного излучения, другое плечо - с приемником отраженного излучения, к шейке которого прикреплен координатный столик, установленный с возможностью перемещения в радиальном направлении.Кроме того, измеритель угла поворота выполнен в виде прозрачного диска, насаженного на вал, с нанесенными на его поверхность непрозрачными радиальными полосками,по одну сторону которого размещен источник излучения, по другую - приемник, соединенный с индикатором.На чертеже...

Номер патента: 1714348

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Пизюта, Шульженко

МПК: G01B 11/26

Метки: ар-о, луча, отклонения, пирамидальности, призм, угла

...и пирамидальности призм АР- О работает следующим образом. Объектив 3 коллиматора формирует от каждой щелевой диафрагмы широкий пучок параллельных лучей. Непрозрачный экран 5 ограничивает пучки до размера заведомо меньше входной грани контролируемой призмы б. Таким образом пучки лучей, вышедшие из объектива коллиматора, должны проходить только через контролируемую призму, Прошедшие через контролируемую призму пучки лучей попадают в объектив 7,который строит в своей задней фокальной плоскости изображение щелей 4. При отсутствии контролируемой призмы 6 изобрпжение щелей 4 располагается относительно фотоприемников таким образом, что сигналы, снимаемые с них, равны нулю. При установке в ход лучей контролируемой призмы и отсутствии у нее...

Номер патента: 471830

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Маслина, Мировицкий, Титов, Черкунова

МПК: G01R 29/10

Метки: антенн, оптических, сверхвысокочастотных, синтеза

...эллцпсоидального зеркала, изменяют коэффициент отражения 5 поверхности эллипсоидального зеркала всоответствии с заданной пространственной диаграммой направленности ц измеряют амплитуду и фазу поля в области второго Фокуса эллипсоидального зеркала.На чертеке приведен вариант схемыустановки, прц помощи которой можно реализовать предложенный способ.Установка содержит генератор 1, точечный источник 2 излучения, эллипсоидальнос 15 отражающее зеркало 3, измеритель 4 амплитудно-фазового распределения в расьрыве синтезируемой антенны.Источник 2, имеющий требуемую поляризацию электромагнитного поля, устанав ливают в одном из фокусов эллипсоцдального зеркала 3,471830 4точке использованием голографических принципов. Коэффициент отражения...

Номер патента: 669493

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Амельчаков, Аракелян, Жаботинский, Яшин

МПК: H04N 9/60

Метки: воспроизведения, изображения, объемного, сигнала, формирования

...отраженный зондирующий луч уст.ройство 2 формирует сигналы координат (азимути дальность) для каждого предмета, Эти сигналы запоминаются и замешиваются в полный тлевиэионный сигнал изображения.бб 9493 Формула изобретения ЦНИИПИ Заказ Зб 78/48Тираж 774 Подписное При приеме сигналы координат вьщеляются из полного телевизионного сигнала и ими сиих. ронизуется работа схемы, вносящей искажения в строчную развертку изображения на телевизи. онном экране. Азимугальные координаты определяют начало и конец искаженных участков на строчной развертке, а коордв 1 аты дальности - величину искажений. Причем, чем ближе нахо.дится предмет к телевизионной камере, тем силь. ней искажение развертки. Кадр изображения для 10 правого глаза наблюдателя...

Номер патента: 1084718

Опубликовано: 07.04.1984

Автор: Голосной

МПК: G03G 16/00

Метки: оптический, света, усилитель, эластомерный

...прозрачный электропроводящий слой и слой фотополупроводника, слой эластомера-диэлектрика, введены слой непрозрачного диэлектрика, многослойный диэлектрический отража-. тель, слой эластомера-проводника, причем на слое фотополупроводника последовательно размещены слой непрозрачного диэлектрика, многослойный диэлектрический отражатель, слой эластомера-диэлектрика, на который нанесен слой эластомера-проводника.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого усилителя,На прозрачную подложку 1 последовательно нанесены прозрачный электро-, проводящий слой 2 (например, ЗпО), слой фотополупроводника 3 (например, К-Бе), слой непрозрачного диэлектрика 4, многослойный диэлектрический отражатель 5, выполненный в виде чередующихся...