Мишень видикона

Номер патента: 1818618

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Панасюк, Чапурин

МПК: G03G 16/00

Метки: записи, информации, мышьяка, носителе, оптической, слоем, стеклообразных, фототермопластическом, фоточувствительным, халькогенидов

...в результате его фотоструктурироеания, Резонансная пространственная частота термопластического слоя при температуре 75 С и потенциале зарядки 6000 В составляет= 150 мм Поэтому угол р 1 между интерферирующими лазерными пучками устанавливают равным агсз 1 п 1 1 ), где б = 2 1 о пространственная частота интерференционного растра, А = 0,63 мкм - длина волны лазерного излучения. Устанавливают потенциал зарядки 5940 В, равный 0,99 от предельного потенциала образования деформаций, и температуру записи 75 ОС, при которой термоплдстик полностью смачивает поверхность полупроводникового 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 слоя и характеризуется вязкостью 2,7 10 Па с. Одновременно с зарядкой ибразогревом, продолжительность которых устанавливают...

Номер патента: 1762336

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Бастырева, Гершберг, Ивашкин

МПК: H01J 31/38

Метки: видикон, сеточно-мишенным, узлом

...к дальнейшемуснижению емкости с 2,1 пф до 1,8 пФ,Если зазор не расширен, то чтобы сделать сечение канавки равным 0,1 б придется увеличивать ее глубину, а это приведет к 20потере прочности диска при запрессовке,Из узкой глубокой канавки затруднительнобудет удалять частицы абразива, используемого при полировке диска.Расширение зазора и выполнение канавки приведет к снижению выходной емкости прибора, примерно на 40 О, котороепозволит повысить чувствительность прибора на 40.На фиг.1 представлен предлагаемый 30, видикон; на фиг. 2 - экспериментальная зависимость емкости от ширины зазора сигнальная пластина - слой индия.Видикон включает торцевой диск 1, накоторый нанесены сигнальная пластина 2 и 35фотопроводящий слой 3, вывод...

Номер патента: 419967

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Герасимук, Дереновский, Изобретени, Осауленко, Почерн, Тараненко

МПК: G11B 7/24

Метки: запоминающего, информации, материал, носителя, слоя, термопластического

...к области материамых для запоминающего слоя ского носителя информации. териал для запоминающего слоя ского носителя информации на чполисилоксана,еличения цикличности рабогы редлагаемый материал введен фор (например, антрацен) при личественном соотношении исентов, вес. %:олисилоксан 98 - 99,505 - 2 Пред м ет изобретен слоя термоии на основе ающийся личности рг- ганолюминоедующем коных компознающего информацотлич чения цик введен ор ен) при сл нии исход 8 - 99,505 в 2 Предлагаемыи материал характеризуетсявысокой электронной чувствительностью и моан Изобретение лов, используе термопластичеИзвестен ма термопластиче основе дифени С целью ув носителя в п органолюмино следующем ко ходных компонДифенилп Антрацен,в АНИЕЕН ИЯИДЕТЕЛЬСТВУ жет...

Номер патента: 1671046

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бадер, Рябушкин

МПК: G11C 13/04

Метки: информации, носителе, оптической, оптоэлектронный, полупроводниковом, регистрации

1. Оптоэлектронный способ регистрации оптической информации в полупроводниковом носителе, заключающийся в переводе полупроводникового носителя из низкопроводящего в высокопроводящее состояние в результате одновременного воздействия на полупроводниковый носитель при температуре Т, удовлетворяющей условию T < D/K электрическим полем и светом с энергией квантов h > D, где D - энергия ионизации...

Номер патента: 421071

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Демирчогл, Изобретени, Кишиневский

МПК: H01J 9/20

Метки: видикона, мишень

...в наружных прослойках сетчатки и обогащен этими пигментами по мере продвижения вглубь сетчатки,В предлагаемой мишени могут использоваться самые различные фоточувствительные 15 высокоомцые многокомпонентные полупроводниковые материалы, однако наиболее перспективными являются трехкомпонентные халькогепидные стеклообразные полупроводники, включающие сульфиды и селениды 20 фосфата, мышьяка, сурьмы, германия и таллия, Если приготовлять фоточувствитечьцый слой мишени обычным термическим испарением указанных материалов в вакууме, то вследствие различия упругости паров отдель цых компонентов слой автоматически получается с нужной энергетической структурой: ширина запрещенной зоны в конденсате будет плавно изменяться от максимального значения...