416056

Номер патента: 1335239

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Беляк, Красильникова, Рубина

МПК: A01N 43/40

Метки: рассады, томата

...к недостатку влаги.Сравнивая результаты, полученные О в опытах, где изучалось действие ивина без подрезки корней, следует отметить, что при внесении препарата вфазу 4-. 5 и 5-6 настоящих листьевнаблюдается увеличение массы корнейи содержания сухих веществ. В концентрациях 1 О и 20 мг/л ивин значительно стимулирует рост корнейтабл.2), в концентрации 5 мг/л эффект слабее. В вариантах с обработ кой ивином интактных растений глубина проникновения корней значительноувеличивается по сравнению с вариантами ивин на фоне подрезки корней. Таким образом, положительное влияние на рост и развитие растений оказывает обработка ивином на 7-й и 10-й день после подрезки корней, ивин в концентрации 5 мг/л оказывает О более слабое стимулирующее...

Номер патента: 1117012

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Иванова, Кобец, Филиппова

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, рассады, томатов

...(ССС) по вегетирующим:растениям, начиная с фазы 2-3 настоящих листочков с интервалами в 7-8 дн, при норме расхода препарата 2,7 мл/л с последующим смывом препарата водой 11. Недостатками способа являются наличие ожогов листьев, резкое увеличение влажности и создание неблагоприятного микроклимата для растений при каждой их обработке, повышенный расход препарата и неблагоприятные условия труда из-за его испарения.Известен способ выращивания рассады 20 овощных культур путем посева семян в почву и последующего воздействия на растения препаратом ССС. По данному способу после посева семян перед пикировкой рассады горшочки или грунт обрабатывают 0,02 о/,-ным раствором ССС 12.Недостатком способа является его трудоемкость, так как требуется...

Номер патента: 1130254

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Брандт, Киселева

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, грунте, защищенном, рассады, растений

...гвыращиваемая при освещении лампамиДРЛФпри облученности 83,1 Вт/м2обычно принятой в практике тепличного хозяйства при 12-часовом дне с 80до 20 ч и при температуре ночью +8 С,о,днем +20 С. Через 20 дн выращйваниярассады сухой вес растений огурцовв варианте зеленый - красный свет оставляет 860 мг., площадь листьев172,0 см 2. Под лампами ДРЛФсухой вес 505 мг,площадь листьев -62,12 см . Через 30 дн выращивания вварианте зеленый -красный свет сухой вес биомассы составляет 1092 мг,площадь листьев 451 см 2. Под лампамиДРЛФсухой вес биомассы 958 мг,.площадь листьев 102 смП р и м е р 2. Рассаду огурцоввыращивают так же, как и в примере 1,но продолжительность облучения зеленым светом составляет 12 дн, послечего растения переставляют на красный...

Номер патента: 1598917

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Астафуров, Астафурова, Верхотурова, Левицкий, Симонова

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, грунте, защищенном, культур, овощных, рассады

...в грунт на 28 - 30-й день после начала облучения.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 2. Рассаду огурцов выра шива ют при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотношение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 им, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 им составляет 0,44:1:0,46. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 27,7 Вт/м.В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛР,Через 20 - 21 день облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 3, Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере...

Номер патента: 523657

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Цымбал

МПК: A01C 11/02

Метки: культур, пересадочных, рассады, укладки

...поачей рассады в посадочный аппарат. Известен способ укладки рассад адочных культур, например табака очные кассеты с предварительным о п их оринтировани Однако укладка рассады в ленгьшим шагом закладки влечет за собоемкость накопителей, что резко снипроизводительность машины. Кроме изо 6 малу торм ения Спос ого,аду на 5 пере лен очных пьз риентированно положить р юся ленту перпендикулярно ижения ленты. культу кас чн дви аветы см, о нииентиро тем, ч нию то, сады целью уме в ленты и с щен ага зак Ц условии выбосадки, переваритепьно рки ееук падко ен шага зае усло ньшени изобретениассады в нгь з лент улучшенроцесс укладк в процесрассадутебпя. вий в лент кручивают посадкий в пентборки ее и аегся гем,ент окр остиг о пер осударственныи...