Патвто-тх1ш1еснде
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 377430
Автор: Авторы
Текст
377430 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советскик Социалистических Республикот а ЗЬ 5/30 аявлено 09 11.1 с присоединением заявкПриоритет оми елам звбретеиий и открытий УДК 621.357,7:669,234 (088.8) убликовано 17.1 к,1973, Бюллетень18 овете Мииистро СССР ата опублико ния описания 20 ЛЧ.197 АвторыизобретениЗаявитель В. Кова И. Филатов и Л. Ф, Захаро вод счетных машин ЛУЧ ВСЕСОЮЗНАЯТВ 1 К-Щ 1;зЕ 3;Ч ишиневскии АЛЛАДИЯ Н О ЕКТРОХИ МИЧЕС ПОСО к облаетстностилладия. химическ лита, соя хлорис в результате одиборана и аммииоксан, эфир).саждают износоадия. гальваэлектро ого осаждержащего тый аммоспособ элек ладия из элекминохлорид па и аммиак, отл овышения изно тролит вводят м соотношении трохимического тролита, содерлладия, хлориичающийся тем, состойкости поаммиакатборинкомпонентов,5 - 25 10 - 20 2 - 50,3 - 0,5Н 8,3 - 9 иа/дмз. Изобретение относитсянических покрытий, в чахимическому осаждению паИзвестен способ электродения палладия из электротетрааминохлорид паллади ,ний и аммиак,Предложеносаждения палжащего тетраастый аммонийчто, с целью пкрытия, в элекпри следующег/л:Тетрааминохлорид паллад(на мет.)Хлористый аммонийАммиак (своб.)Аммиакатборини процесс ведут при 18 - 25катодной плотности тока 0,5 -Аммиакатборин получаютовременного пропускания дка в растворитель (воду, Предложенным способомтойкие плотные осадки палл Предмет,изобретени Способ электрохимического осаждения палладия из электролита, содержащего тетрааминохлорид палладия, хлористый аммоний и аммиак, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости покрытия, в электролит вводят аммиакатборин при следующем соотношении компонентов, г/л:ВТетрааминохлорид палладия(на мет.) 5 - 25Хлористый аммоний 10 - 20 Аммиак (своб.) 2 - 5 Аммиакатборин 0,3 - 0,5 и процесс ведут при 18 - 25 С и катодной плотности тока 0,5 - 1,5 а/дл-.
СмотретьЗаявка
1403182
В. В. Ковалев, В. И. Филатов, Л. Ф. Захарова Кишиневский завод счетных машин ЛУЧ
Авторы изобретени
МПК / Метки
МПК: C25D 3/50
Метки: патвто-тх1ш1еснде
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-377430-patvto-tkh1sh1esnde.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Патвто-тх1ш1еснде</a>
Предыдущий патент: Пйтентнотехгшт
Следующий патент: 377431
Случайный патент: Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства