Способ определения коэффициента поверхностного натяжения

Номер патента: 189620

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Дробышев

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкости, коэффициента, натяжения, поверхностного

...его методику, так как при предлагаемом способе пет необходимости в применении эталонной жидкости и не требуется измерять краевые углы и массу жидкости. 30 На чертеже представлена принципиальная схема реализации такого способа,Для определения коэффициента поверхностного натяжения исследуемую жидкость помещают в достаточно широкий сосуд 1 с тем, чтобы в пределах точности эксперимента кривизной центральной части верхнего уровня 2 можно было бы пренебречь. В нижней части сосуда имеется круглое отверстие 3 малых размеров, стенки 4 которого выполнены из материала, не смачиваемого исследуемой жидкостью. При определенном подборе уровня Н жидкости в сосуде сквозь это отверстие продавливается капля 5 и неподвижно провисает в нем. Из...

Номер патента: 1029048

Опубликовано: 15.07.1983

Автор: Стерлядкин

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкостей, коэффициента, натяжения, поверхностного

...согласно способу определения коэффициента поверхностного натяжения, включающему измерение частоты собственных колебаний капли 45 Формируют отдельную каплю сферической формы на держателе, действуют на держатель периодической возбуждающей силой, вызывающей колебания держателя с каплей, плавно изменяют 5 О частоту периодической силы, а частоты собственных колебаний капли определяют по резонансным частотам увеличения амплитуды колебаний капли.На фиг. 1 приведена схема устройства, реализующая предлагаемый способ; на фиг. 2 - результаты измерений зависимости амплитуды колебаний капли от частоты периодической силы,Устройство для определения поверхностного натяжения предлагаемым способом состоит из держателя 1 кап-. ли 2 жидкости, который...

Номер патента: 1758515

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Коекин

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкости, коэффициента, натяжения, поверхностного

...что У=сопэ 1 Время разрушения пузыря Т:. ЛЯф/2 Иэ выражений (2) и (4) следуетформула На пузырь, выдутый из капли жидкости, действуют, в общем случае, гравитационная сила, сила поверхностного натяжения и силы давления газа снаружи и изнутри поверхности пузыря. Под действием гравитационной силы пузырь деформирует. ся и принимает форму, отличную от сферической, и его стенка неравномерна по толщине, Однако, для пузырей с радиусом В1 см деформациями их формы поверхгде Р - плотность исследуемой жидкОсти.При образовании отверстия высвобождается поверхностная энергия Яп, переходящая в кинетическую энергиюдвижущегося утолщения О/, на краях отверстия. Считая, что стенка пузыря постояннапо толщине (Ь=сопзт), что особенно хорошовыполняется в...

Номер патента: 270340

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вители, Пугачевич, Токаев

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкостей, коэффициента, натяжения, поверхностного

...11.Порцию исследуемой жидкости, сняв колпа,он 11, заливают через резервуар 7 в вымытый и высушенный прибор. Для создания гидрозатвора над шлпфом калиброванной трубкиО 8 резервуар 9 с помощью трехходового крана4 соединяют с баллоном 1, который затем нагревают с помощью печи 2. Под действием избыточного давления газа в резервуаре 10 исследуемая жидкость поднимается по калибро 5 ванной трубке 8 и, вытекая через отверстие12, создает над шлпфом гидрозатвор. Излишек ж 11 дкосч и стекает В манометрический резервуар б. Печь выключают, резервуары 5 и 9соединяют между собой при помощи треххо 0 дового крана 4 для выравнивания давлениявнугри прибора,В случае вязкой жидкости прибор заполняют без калиброванной трубки 8, а последнююпорцию заливают в...

Номер патента: 462120

Опубликовано: 28.02.1975

Автор: Кузнецов

МПК: G01N 21/26

Метки: кристаллов, натяжения, поверхностного, удельной, энергии

...жесткость кристалла и радиус кри- з 0 где Е - жесткость образца,/г - толщина откалываемой пластп Л - радиус кривизны откалываемо стиики.Известный способ является разруша трудоемким, и его нельзя применять к цам малых размеров.С целью ускорения определения снимается ИК-спектр отражения с подобных граней эталонного и исследуемого кристаллов, определяются максимальные коэффициенты отраже. ния кристаллов и рассчитывается удельцая энергия поверхностного натяжения исследуемого кристалла по формуле:ВЕ = - ЕСпособ заключается в следующем.На серийном спектрометре пли спектрофо. тометре устанавливается эталонный кристалл с известной энергией поверяюстного натяжения и определяется максимальное значение коэффициента отражения относительно...