Полупроводящая глазурь
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП И САНИИЗОБРЕТЕНИЯ 10874 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВУОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14.Х,1969 ( 1372619/29-33) 1 ПК С 03 с 5/00 присоединением заявкиКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано 09 т/111,1971, БюллетеньДата опубликования описания 1,Х.1971 УДК 666,295,1(088.8) Авторы зобретения А. Ива И. М. Богоди итель Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институ эмалированного химического оборудования УПРОВОДЯ 1 ЦАЯ ГЛАЗУР Изобретение касается состава керамической полупроводящей глазури, применяемой для покрытия химической структуры, работающей в агрессивных средах, и может найти применение в химическом машиностроении и других отраслях промышленности.Известна глазурь, включающая 510 з, А 1,0 з, РезОз, СаО, МдО, КзО, Т 102, ХгОз, 80 з,Цель изобретения - получение полупроводящей керамической глазури, устойчивой в агрессивных средах при повышенных температу- рах Глина пластичная Силикат циркония Базальт Бентонит 5 Череп. фарфор Каолин Технология приготовления гла ет известные в керамике опера можно наносить методом пульве 0 нания, облива. Температура о 1350 С. Поверхностное удельное сопротивление глазури лежит 10 - 10" ол/с,я. Термическая 290 С (температура разрушения 5 стойкость, например, в Нз 50. и 99,12 - 99,98 г/сл"-.жит ука ичествах з 15 - 20 3; Т 10 ется тем, что она содерненты в следующих кол0 - 55; А 10 з 8 - 10; ГееОМдО 3 - 5; К 20 05 -3 - 8 50 з до 0,1.примера выполненияможет быть приведен сл45,72; А 20 з - 9,04; Ре 2дО - 5,46; ЬОз - 0,03; КгОз - 4,5; ППП - 2,53.став, вес. %;к кварцевый 12,5фир 18,0ит 23,613,5 П редме данного едующий Оз - 18,72; 0 - 1,77;зо ретения глазурь, включающая СаО, МдО, КзО, Т 10, ХгОз, тем, что, с целью повыше- термической стойкости, она е компоненты в следующих : 510 з 40 - 55; А 120 з 8 - 10: 03 - 1,5; МдО 3 - 5; Кз 0 ХгО. 3 - 8; ЬОз до 0,1,менк Это достига занные компо вес,%: ЯОз 4 СаО 03 - 1,5; 8 - 15; ХгО,В качестве изобретения состав: ЫО, -СаО - 1,29; М Т 102 - 7,72; Х Шихтовой со Песо Орто Иль ТальПолупроводящая81041 з Оз Рез Оз80 з, отличаюи 1 аяся ния химической и содержит указанны количествах, вес. % ГезОз 15 - 20; СаО 0,5 - 3; Т 10 8 - 15; 7,о 6,30,6510,81,5зурн включации. Глазурь ризации, окубжига 1300 - электрическоев пределах стойкость - , Химическая рн кппении -
СмотретьЗаявка
1372619
Научно исследовательский, конструкторско технологический институт, эмалированного химического оборудовани
Л. А. Ивахина, И. М. Богодист
МПК / Метки
МПК: C03C 8/02
Метки: глазурь, полупроводящая
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-310874-poluprovodyashhaya-glazur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводящая глазурь</a>
Предыдущий патент: Полуавтомат для вырезки круглых стекол из листового стекла
Следующий патент: 310875
Случайный патент: Поршневая машина