Способ получения рельефных микрорисунков
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельства Заявлено 09 1,1970 ( 1392075/26 1, Кл. Н 05 с 30 единением заявкис пр Государственныи комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийоткоытий(088.8) летень10,Х 11,1 публиков ата опубл вания описания 22.11.19 вторызобретецц В, П, Вейко, С. А. Грамм, М. 3. Коган Г, А. Котов и М, Н. ЛибенсонЗаявитель ОБ ПОЛУЧЕНИЯ Х МИКРОРИСУ СП РЕЛЬЕФца слой фоторезцста требуемое изображение.Длина волны излучения лежит в области прозрачности фоторезиста.Во время экспонирования происходит селек тивное облучение фоторезиста, обеспечивающее его селектцвное растворение, и за счет энергии, выделяющейся по рисунку в подслое, одновременно задубливается засвеченный резцст, Затем растворителем вымывают незаэкс понированный фоторезист, и на поверхностиматериала образуется рельефный рисунок.Мощность луча лазера подбирают так, чтобы не повредить исходный материал, находящийся под фоторезистом. х миктивномоптическом зистивСпособ получецця ре ков, заключающийся в 20 ровании фоторезиста и квантового генератора,ванин облученцых участ отличающийся тем щения операций экспон 25 цпя, под фоторезист ца риала, оптически не пр ния оптического квантов ну волны излучения вы зрачности фоторезиста.льефных мцкселективномзлучением опттермическомков резистивночто, с целыирования ц заносят подслойозрачного дляого генераторбирают в обла рорисуц- экспонического задублиго слоя, о совме- дубливаз мате- излучести п оИзобретение относится к электронной технике. Способ может в частности, найти широкое применение в технологии производства полупроводниковых и тонкопленочных интегральных схем.Известен способ получения рельефны рорисунков, заключа 1 ощийся в селек экспонировании фоторезиста излучением ческого квантового генератора и терми задубливанци облученных участков ре ного слоя.Для совмещения операций экспонирования и задубливания предлагается нанести под фоторезист подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора (ОКГ), а длину волны излучения выбирать в области прозрачности фоторезиста. Это обеспечивает селективный нагрев подслоя и косвенный селективный нагрев фоторезиста, лежащего над ним, а также практически мгновенное термическое задубливание по определенному рисунку.Предлагаемый способ состоит в следующем.На материал, в котором необходимо получить требуемый микрорельеф, наносят подслой, не прозрачный для луча ОКГ. Затем, покрыв подслой фоточувствительным слоем - фоторезистом, производят экспонирование через трафарет импульсом ОКГ, проецирующим Предмет изобретения
СмотретьЗаявка
1392075
В. П. Вейко, С. А. Грамм, М. Коган Г. А. Котов, М. Н. Либенсон
МПК / Метки
Метки: микрорисунков, рельефных
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-309664-sposob-polucheniya-relefnykh-mikrorisunkov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения рельефных микрорисунков</a>
Предыдущий патент: 309656
Следующий патент: Навесная система тракторного агрегата
Случайный патент: Способ освоения скважины