Патентно« rxh., ci: . flkin; 7iiatfia

Номер патента: 1806020

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Курт, Рольф, Фред, Ханс

МПК: B05B 5/04

Метки: нанесения, покрытий, электропроводных, электростатического

...может изготавливаться из другого полимера, например, полиацетата.Важное значение в приведенном примере для предотвращения самозагрязнения имеет то обстоятельство, согласно которому, наружные поверхности изготовленных из фторуглеродного синтетического материала деталей должны быть по возможности со сплошной гладкой поверхностью, т,е, свободными от отверстий, трещин, пазов и т.д. Особенно это касается, например, наружного корпуса 4, а также винтов и т.п, Если подобные крепежные элементы необходимы, то они также должны изготавливаться из политетрафторэтилена. Причиной, вызывающей необходимость предотвращения самозагрязнения, наблюдаемого, в частности, на наружном корпусе 4, является возможное снижение диэлектрической пробивной...

Номер патента: 1397981

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Куфман, Марченко, Нестерова, Черкашина, Штеренберг

МПК: H01G 13/00

Метки: анодов, конденсаторов, нанесения, подформовки, полупроводникового, слоя

...устанавливают осямн 15 в плэы 16 эвеев 17 конвейера 1, который перемещает их в ванну 3 пропиткц. 1.еле пропцткинижнего ряда анодов 23 кассе ы 2 перемещаются кавееров 1 ц, вэлимодействуя с копирами 20 паворачиваоются ца 180 для пропитки верхнего ряда анодов 23, По окоцчлции пропитки обоих рядов анодов 23 клсссты 2 перемещаются конвейером 1 в вертика.ьную печь 9 пиролиэа для разложения пропиточцого раствора и формирования первого полупроводникового слоя, при этом вследствие стеклния раствора ца нижней части боковой поверхности ацодац образуется утолщенный слой (фиг10 Оложецие Т),При дальнейел движ Рии конвейера ка:сеть 2 с анодами 23 попадают в следующие ванны ч пропит;ц, гдэ пропитываются поочередно с двух сзороМ и входят в горизонтальную...

Номер патента: 1186016

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Аничкин, Афанасьев, Буянов, Куркотов, Фоменко, Хлопин

МПК: H01G 9/042

Метки: анодов, вещество, конденсаторов, электролитических

1. Способ изготовления анодов электролитических конденсаторов, включающий получение заготовок танталовых анодов и их термовакуумную обработку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры термовакуумной обработки и улучшения электрических характеристик конденсаторов, после операции термовакуумной обработки осуществляют повторную термовакуумную обработку.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термовакуумную обработку осуществляют при 1400-1600oС.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку анодов в водной кислой среде осуществляют в течение 0,5 5 мин.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что термовакуумную обработку осуществляют в течение 30 мин.5. Вещество для обработки анодов в водной кислой...

Номер патента: 1339692

Опубликовано: 23.09.1987

Автор: Дилоян

МПК: H01J 61/073

Метки: анод, газоразрядной, давления, лампы, сверхвысокого

...эти отверстия 20 несквозные. Материалом втулкиможет быть титан, молибден и другие достаточно жаропрочные и пластичные металлы. Рабочий газ вследствие плазменных и газовых потоков попадает в про дольное отверстие 4, образованное прутками 2, и вытекает иэ кольцевых выемок 3, расположенных на различных уровнях и приводящих к спиралевидному течению плазмы в отверстии 4. Это зо в свою очередь приводит к вращению дуги по торцу анода и равномерному распределению температуры по торцу анода. Для того, чтобы диаметр втулки 1 не превышал диаметр цилиндра, опоясывающего прутки 2, нерабочие концы сточены на определенный диаметр и именно под этот диаметр сделаны отверстия. Выпадения прутков 2 из отверстий не наблюдается, так как тепло дуги вначале...

Номер патента: 1631624

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Олещук, Сысун, Хромой

МПК: H01J 17/26

Метки: анод, коммутатора, сильноточного

...анода должна быть минимальной, и ее нижний предел определяется условием установления равномерной температуры анода за счет теплопроводности. Это зависит от применяемого материала и конструктивного подхода, Высоталамелей 2 выбирается из условия эффективного отбора тока из потока пронизывающей анод плазмы и должна быть порядка рекомбинационной длины:Ч/Г, где Ч - скорость плазменного потока1 10 см/с; т - постоянная временибраспада плазмы или постоянная снижения ее концентрации.Таким образом, в предлагаемой конструкции плазма свободно проходит сквозь анод, не создавая на его поверхности уплотнений и областей охлажденной плазмы. Это благоприятствует токоотбору от плазмы к аноду при близких к нулю значениях анодных падений напряжения....