Способ изготовления пленочных конденсаторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 288153ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 14.1 Х.1968 ( 1270131/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано ОЗ.Х 11.1970, Бюллетень36 Кл. 21 д, 10/02 МПК Н 01 д 1300УДК 621.319,4(088,8) Комитет по делам изосретвниЯ и открытиЯ при Сввете Министров СССРДата опубликования описания З.П.1971 Авторыизобретения И, Л. Гольдберг, Л. И. Чебоненко, И. И, Вайсберг и В. С, Зыков Заявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ Изобретение относится к области изготовления пленочных конденсаторов постоянной емкости с многослойным диэлектриком,Известны способы производства пленочных конденсаторов с комбинированным диэлектриком, полученным методом вакуумного напыления.Однако используемые в качестве диэлектрика системы диэлектрических материалов не обеспечивают при удельной емкости 6000 пфсм и рабочем напряжении 13 - 15 в стабильные электрические характеристики,По предлагаемому способу для повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов в качестве многослойного диэлектрика конденсатора используют последовательно осажденные в вакууме слои моноокиси кремния и моноокиси германия.Материалы осаждают на неподогретую подложку из ситалла при вакууме 2 510- л 1 л рт. ст. Сначала напыляют нижнюю обкладку конденсатора из слоя титана и алюминия, затем осаждают моноокись кремния и моноокись германия. Температура испарения моноокиси кремния 1200 - 1300 С, моноокиси германия 5 не более 800 С. Суммарная толщина диэлектрика 1200 в 15 А. Верхнюю обкладку алюминия напыляютобычным методом.10Предмет изобретения Способ изготовления пленочных конденсаторов постоянной емкости, содержащих мно гослойный диэлектрик в виде окислов, полученных методом вакуумного осаждения, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов, в качестве 20 упомянутых окислов используют последовательно осажденные слои моноокиси кремния и моноокиси германия.
СмотретьЗаявка
1270131
И. Л. Гольдберг, Л. И. Чебоненко, И. И, В. С. Зыков
МПК / Метки
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсаторов, пленочных
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-288153-sposob-izgotovleniya-plenochnykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления пленочных конденсаторов</a>
Предыдущий патент: Тонкопленочный переключающий элемент
Следующий патент: Устройство для автоматического измерения сопротивления потерь туннельных диодов
Случайный патент: Способ получения кормового витамина b12