Способ очистки фосфорной кислоты

Номер патента: 143593

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Зильберман, Калугин, Переплетчикова

МПК: G01N 27/48

Метки: гексаметилендиамина, полярографический, степени, чистоты

...так называемых шиффовых оснований.Наличие в гексаметилендиамин шиффовых оснований в виде примесей показано впервые,Авторами установлено, что чем меньше выход ге 1 етилендиамина,получаемого гидрнрованием адипонитрила, тем бол он содержитшиффовых оснований, и тем менее устойчив при х нии и быстрееокрашивается.Предлагается полярографический способ контроля степени чистотыгексаметилендиамина, заключающийся в определении содержания шифЖ 143593 Предмет изобретения Полярографический способ контроля степени чистоты гексаметилепдиамина, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что в нем определяют содержание шиффовых оснований по волне с потенциалом полуволны около 1,6 - 1,7 вольта (относительно насыщенного каломельного электрода) . Составитель С, В....

Номер патента: 220240

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Гиганов, Козьмин, Церекова, Янковская

МПК: C01B 19/02

Метки: высокой, селена, степени, чистоты

1. Способ получения селена высокой степени чистоты из селеносодержащих продуктов, например из технического селена, путем растворения исходного продукта в азотной кислоте с последующим извлечением селена из полученного раствора, восстановлением его до элементарного состояния, например, действием сернистого газа и вакуумной дистилляцией полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения степени чистоты конечного продукта, извлечение селена из раствора ведут путем его экстракции растворами вторичных или третичных алифатических аминов с последующей реэкстракцией растворами хлорида или нитрата аммония.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что селен...

Номер патента: 320989

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Австри, Вальтер, Иностранна, Иностранцы, Фердинанд, Эстеррайхише

МПК: C01B 33/10

Метки: кислоты, концентрирования, кремнефтористоводородной

...заливают 14 кг 65%-ной фосфорной кислоты (т. кип. 120 С), Затем эту кислоту нагревают до кипения при нормальном давлении в течение 1 час смешивают по каплям с 17 кг кремнефтори стоводородной кислоты (концентрация9,5 вес. %) состава: 22 г/л РзОв, 1 г/л ГОз, Са 504 и Ь 1 О. Пары кислоты температурой около 110 С из испарителя (17 кг/час) поступают в ректификационную колонну диамет ром 120 лл и высотой 600 мл, которая вьшолнена из полипропилена. Нижнюю треть этой колонны оставляют свободной, а начиная с высоты 200 мм от дна колонны на высоту 300 мл ее заполняют полипропиленовы ми 15 кольцами размером 12 К 12 мм. Колонну снабжают устройством для циркуляции конденсата, а в головной части подключают обратный холодильник. Конденсат их...

Номер патента: 487843

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Астахова, Миронова, Таланов, Шевченко, Шитлина

МПК: C01B 25/12

Метки: ангидрида, фосфорного

...- , сера 1 10 - , селен 1 10 в , никель, висмут, свинец не обнаружены. Продукт может быть использован в полупроводниковой промышленности для легирования различных полупроводниковых материалов и в кристаллооптике.Способ осуществляют по следующей технологической схеме.Исходный фосфор загружают в дозатор и с определенной скоростью через кран и капилляр перепускают в камеру сжигания. Туда же с определенной скоростью через ротаи воздух. Продукты высокотемпературную и собираются в пририемников можно исвый шланг диаметромнеобходимым кодиангидрида отпаивают ивания продукта при азлагаются с образотеющих температуру так и ниже темперасфорного ангидрида. выделить примесныефракционное осажлее чистую фракцию. и интервалами для а процесс,...

Номер патента: 1208818

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Гринберг, Добош, Мизин, Морозов, Петренко, Рузанова, Серебрякова, Сирина, Фотиев, Шамис, Шестаковский

МПК: C22B 34/22

Метки: ванадия, высокой, пятиокиси, степени, чистоты

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЯТИОКИСИ ВАНАДИЯ ВЫСОКОЙ СТЕПЕНИ ЧИСТОТЫ из ванадийсодержащего сырья, включающий обжиг, кислотную обработку обожженного материала, отделение твердой фазы от растворов, обработку растворов реагентами, гидролитическое осаждение пятиокиси ванадия, фильтрацию и реагентную обработку осадка пятиокиси ванадия, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологической схемы и снижения затрат на реагенты, кислотную обработку обожженого материала ведут серной кислотой до рН 3,5 4,0 с последующей подачей серной кислоты и одновременным введением перекиси водорода при ее расходе 0,1 0,6 кг на 1 кг материала до рН 1,8 1,5, а реагентную обработку осадка пятиокиси ванадия проводят аммонийсодержащим раствором при отношении ионов аммония...