Электролитический способ осаждения индия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 241885
Авторы: Бченков, Кокорев, Машиностроени, Рыкова, Центральный
Текст
союз советских Социалистических РеспубликКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министровссор (038-8) Дата опубликования описания 22371111969 Авторы изобретения А. В. Рябченков, А. В. Рыкова и Н. Р. Кокорев Заявитель Центральный научно-исследовательский институт технологииЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИИ СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ИНДИЯИзвестен сптособ осаждения индия из сернокислотного электролита, недостатком ъкотоьрого является получение неравномерных осаднов.Предлагаемый копособ отличается тем, что для получения мелкоикрггсталличесъких и равномерные: осадков В электролит вводят полиэтиленлполиагтгитн, а компоненты гвзяты в следующем соотношении (В г/л):и процесс ведут при комнатной температуре и катодной ъплотчно-сти тока 0,5-5 а/длтг.Вместо сернокислого индия можно брать хлористый индий, а вместо атммония сернокислого агмзтоних хлористый.Электролит готовят следующим образом.В первую очередь растворяют в пводе сернокислыи или хлористый индии, затем при перемешивании вливают толиэтиле.нлпотитаьгггн. После охлаждения раствора в него добагвляаот сернокислый аммоний. Полгученчньгй раствор отстаивают и щекаитируют. Корректиропваку электролита производят добавлением соли иян-д-ия, полиэтилегнчподгиаотина :и сернокислого аммони-я.По предложенному опособу осаждают мелкокристаллические серебристо-белые посадки индия, хорошо сцепленные с основой. Выход:ПО току составляет 50-600/0. рассеивающая способность электролита, определенная по методу Филда, равна 60. Концентрацию ООНОЪЭНЬЦХ КОМПОНЕНТОВ МОЖНО варьировать В ШИрОКНХ пределах, ПрНДВрНН/ПВЗЯКЬ ОТ ношения индия к полиэтипентполиатмину. 1 :8Электролитичеокий опособ осаждения индия из раствора на основе сернокислых солей индия и аммония, отличающийся тем, что, с целью получения мелкокринсталличенских и равномерных осадков, ьв электролит вводяти процесс ведут при комнатной темъператугре и- катодной плотности тока 0.55 а/дмг.
СмотретьЗаявка
1091902
А. В. бченков, А. В. Рыкова, Н. Р. Кокорев, Центральный научно исследовательский институт технологии, машиностроени
МПК / Метки
МПК: C25D 3/54
Метки: индия, осаждения, электролитический
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-241885-ehlektroliticheskijj-sposob-osazhdeniya-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролитический способ осаждения индия</a>
Предыдущий патент: Способ электролитического осаждения цинка
Следующий патент: Способ электролитического осаждения галлия
Случайный патент: Литьевая форма для изготовления полимерных изделий