233190

Номер патента: 638904

Опубликовано: 25.12.1978

Авторы: Рашидханов, Страхов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, пленок, свойств, тонких

...может быть покрыта проводящим слоем.На чертеже представлена структурная схема устройства.Устройство содержит диск 1 из слабомагнитного материала, маску-трафарет 2, испаритель 3, проводящее покрытие 4, кварцевую нить 5, кварцевую трубку б, магнитный подвес 7 и полюсные наконечники 8 и 9.Устройство работает следующим образом.В процессе обезгаживания прибора необходимо обезгазить испаритель с веществом, Это достигается прогревом испарителя при расположении кварцевой трубки в положении б, предотвращающем попадание молекулярного пучка на диск- подложку. Затем кварцевую трубку б перемещают в положение б и включением/магнита убеждаются в отсутствии крутящего момента диска без пленки в магнитном поле, Далее выключают магнит и включают...

Номер патента: 996962

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Мурзаев, Рашидханов, Страхов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, пленок, свойств, тонких

...работает следующим образом.В процессе обеэгаживания прибора, на внутреннюю поверхность которого йанесен проводящий слой 5 оО, обеэга живают испаритель с мелкими кристаллами исследуемого вещества (напри.мер СОТе) пропусканием тока силой 5-10 А через молибденовую спираль, намотанную на испаритель 11, иэготов ленный из кварцевой трубки в виде ампулы и впаянный в нижнюю часть стеклянного прибора. При этом кварцевую трубку-заслонку 10 выдвигают наклоном прибора,в положение 10 , предотвращающее попадание молекулярного пучка иэ ампулы испарителя 11 на диск-подложку 6. После обезгаживания при достижении необходимого вакуума, прибор отпаивают от вакуумной уста новки, кварцувую трубку-заслонку возвращают в исходное положение, исключающее...

Номер патента: 939605

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Каллер, Серебрякова, Токарева

МПК: D01F 2/08

Метки: волокон, гидратцеллюлозных, нитей, пленок, прядильный, раствор, формования

...получается однородная масса белого цвета,являющаяся хорошим смачивателем, устойчивая к действию электролитов,биоразлагаемая, Композицию вводятна ранних стадиях получения вискозы,а ее компоненты выпускаются в большихколичествах отечественной хймической45промышленностью.П р и м е р 1. В щелочную целлюлозу йа стадии измельчения вводитсякомпозиция ПАВ при соотношении компонентов, А:В:С = 50:20:30 в количестве 0,0007 от прядильного раство-ра (или 0,013 от веса с-целлюлозы),Прядильный раствор, поступающий нафильтрацию, имеет состав, вес. :, сС -целлюлоза 7,5ИаОН 5,5СЬф 2 5Композиция ПАВ 0,0007Вода 84, 9993 5 фСъем вискозы с 1 м фильтрующейповерхности увеличивает до 5000 лпо сравнению с 2000 л, т.е. в 2,5раза при введении в качестве добавки...

Номер патента: 1044973

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Введенский, Эльгарт

МПК: G01B 21/08

Метки: вакууме, напыляемых, оптической, пленок, толщины, фотометрического

...характеризуемыеоптическими свойствами покрытия и зависящие от Ипоказателя преломления осажденного вещества, от Ио -показателя преломления подложки и Ъ - показателяпреломления среды, в которойпроисходит процесс нанесенияслоя;В - коэффициент, зависящий отсветового потока на входеоптической схемы устройства,от пропускания оптическоготракта и от чувствительности.Фотоприемника 3.Иэ выражения (1) видно, что функция О(т,) будет принимать свои экстре-, мальные (О(+) =В/А+Э 1 В/я-Э значения в случае, когдачто соответствует моментам времени,когдаий иг.-а=К 4 где К =0,1,21А - длина волны излучения;д - геометрическая толщина.Известно, что при достижении функцией экстремума ее первая производная.д 0(1) /Ю равна нулю. В моменты времени, когда...

Номер патента: 360625

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гончаров, Пискл, Полул, Раздовский, Харьковский

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, магнитоупрур№, пленок, свойств, тонких, цилиндрических

...между напряжениями генераторов возникает фазовый сдвиг, Генераторы прои зтам за счет связи между ними работают на одной частоте.В контур генератора 1 включен участок образца пленки, Ток контура генератора, протекая по этому участку, создает малое пробное поле, направленное :по оси легкого намагничивания. Поэтому участок образца пленки представляет сабой инду 1 ктивное сопротив лениевеличина которого прямо прапорциональна дифференциальной ма 1 снитной,восприимчивасти вдоль оси легкого намагничивания испытуемого, участка пленки. Изменение диф- ференциальной магнитной восприимчивости пленки,вызывает изменение индуктивного сопротввления участка пленки, включенного в контур, т. е. изменение параметра контура 1. За счет связи между...