Способ измерения напряженности магнитного поля по зеемановскому расщеплению спектральныхлиний

Номер патента: 1634996

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Жилкин, Тырин, Шеффер

МПК: G01B 11/16

Метки: вблизи, величин, вершин, напряжений, полей, трещин, характеристических

...пластинки.Голщипа клеевого слоя должна быть мипнл,дльпо возможной для того, чтобы обеслечи гь идентичность искривления зсркдлыого слоя и поверхности обьекта в црлцсссс ндгружения, При использовании укдздцных компаундов толщина клеевого с Оч дслж а быть це лченее 50 мкм, если и, рьпис наносится при 15 - 25 С, и не меч.; 30 .)кль соли ко; гцауцд предварительно д; рс ь д 50-60 С, Уменьшение толщины ,сдсго слприводит к снижению качест- Д ОтРДжаь-ОЛГО ЦОКРЫтИЯ ИЗ-ЗД ПОЯВЛЕНИЯ , -.,пы,. усгог и местных отслоений.г."сбусмдл толщина покрытия (30 - 50 мкм) дб. гцсчцвдстсч калибровочными прокладка,)п гпсжду поосрхностью образца и стеклцой пластинкой,Пучок свсгд От лоцохроматичсского исгц,ппкд 1, например лазера, превращается : и;г)дллсльпый с...

Номер патента: 1287063

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Мокроусов, Пучкин, Суйков, Тихонов

МПК: G01R 33/032, G01R 33/05

Метки: магнитного, напряженности, поля

...световода 2. Проходя по прямоугольному световоду, свет испытывает полное внутреннее отражение от его стенок, в том числе, отражение от участка стенки световода с нанесенной Ферромагнитной пленкой 3, и с выхода сцетовода 2 попадает в Фотоприемник б, При помещении устройства в магнитное поле коэффициент отражения участка стенки световода с нанесенной плен 63 2кой для света, имеющего поляризацию Е, перпендикулярную плоскости пленки, за счет экваториального магнитооптического эффекта Керра. будет меняться. Изменение коэффициента отражения, пропорциональное величине компоненты Н ,индукции магнитного поля в Ферромагнитной пленке, приводит к изменению интенсивности света, регистрируемого Фотоприемником. По градуировочной...

Номер патента: 392599

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Аматуни, Здриков, Черн, Ьиб

МПК: H03M 1/60

Метки: импульсный, сигнал, электрического

...материала (например,стальной шарик диаметром 3 - 5 мм), вес которого компенсируется подъемной силой постоянного магнитного поля катушки, помещенной над верхним электродом, что обеспечиваетвозможность возникновения автоколебаний частицы при достаточно низких напряжениях, 25например от 100 в и выше,Стабильность выходного сигнала предлагаемого преобразователя выше, чем у существующих, благодаря постоянству коэффициента восстановления формы такой частицы Зо в процессе автоколебаний, ацентрирующему действию матушки, ограничивающему зочастицы с поверхностью плПовышенная точность часигнала преобразователя обчто форма частицы из феррриала, а, следовательно, и зв процессе автоколебаний, онеизменной для данного прпряжения.На чертеже...

Номер патента: 960648

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Лавров, Скачков, Тимонов

МПК: G01R 19/18

Метки: импульсный, постоянного, сигнал

...тем, что преобразователь постоянного электрического напряжения в импульс ный сигнал, содержащий герметичный корпус, заполненный неполярным жидким диэлектриком, электроды и сферические проводящие макрочастицы, плотность которых равна плотности ди- : 1 О электрика, электроды выполнены в виде колец, рабочие поверхности которых, образующие межэлектродное пространство, расположены в замкнутой кольцевой полости корпуса под углом друг к другу и подключены к разно- именным полюсам источника постоянного напряжения.Порог срабатывания преобразователя снижается за счет уменьшения зазоО ра между электродами, повышается его точность за счет выделения импульсов при соударении и макрочастиц с электродами при их движении по кольцевому каналу,...

Номер патента: 1084629

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Журковский, Макеева

МПК: G01L 1/12

Метки: величины, импульсов, материалах, механических, напряжений, преобразования, прямоугольных, следования, ферромагнитных, частоту, электрических

...транзисторов, введены два дополнительных биполярных: и два полевыхтранзистора, причем коллекторы допол-.нительных биполярных транзисторовсоединены с вторыми выводами резисторов, их базы - с коллекторамипротивоположных основных биполярныхтранзисторов, а эмиттеры - со стоками полевых транзисторов, истоки которых объединены и подключены черездополнительный резистор к точке соединения разноименных выводов катушек индуктивности с выводами источника питания, а затвор каждого изполевых транзисторов соединен состоком противоположного полевоготранзистораНа Чертеже приведена принципиальная схема устройства.Устройство содержит основные биполярные транзисторы 1 и 2, базовыерезисторы 3 и 4, дополнительные биполярные транзисторы 5 и б,...