Способ получения скрытого негативного электрофотографического изображения

Номер патента: 1701550

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Воленко, Поноровский

МПК: B28B 21/16

Метки: бетонных, защитного, мелкозернистых, нанесения, поверхность, слоя, смесей, трубчатых

...два яруса приводные цилиндрические 8 и конические 9 ролики. Подвижный стол 7 установлен В направляющих 10и имеет механизмы вертикальных перемещений 11 и вращения 21 трубчатых изделий 3013, установленных на приемном приспособлении 14 стола 7,Устройство для нанесения защитногослоя из мелкозернистых бетонных смесейна поверхность трубчатых иэделий работае.г 35следуюдим образо 1,На пОиемнде поиспособлени 8 14 устанаВлиВагот и фикс.р :От грубчатое изДелие13, Подвижнь Й стол 7 перемеща от в крайнее нижнее положение ДО соприкоснОВ 8 ния 40торца конической секции обечайки с раструбом трубчатого изделия 13 и Включают механизм 12 Вращения г Ослед его и приводышнекового питателя 5 и конических роликов9. Бнековый питатель 5 подает бетонную 45 смесь в...

Номер патента: 109551

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Жилевич

МПК: G03G 15/22

Метки: бумажном, воспроизведения, изображений, покрытом, полотне, слоем, фотополупроводника

...и внутреннего электрических полей совпадают, причем, регулируя величину внешнего электрического поля, ускоряют создание скрытого электростатического изображения ца фото- полупроводниковом слос бумажного полотна.Из экспонирующей камеры полотно 1 поступает в проявляющую Кд МЕР, ВЫПОЛЦЕННЮ В ВИДЕ КОН- тейнсра 14, снабженного клапанами 16 для предохранения от высыи ания и р 051 ВЛ 5 НОщсго пороцка 16, воздействующего на экспоцированнос полотно 1.Для Обеспссни 51 лУчши услоВий проявления контейнер 14 соединен с вибратором 17, который сообщает ему высокочастотныс колебания.Стенки контейнера, параллельные проходящему полотну 1, снабжсны плоскими электродами 18 и 19, первый из которых заземлсн, а второй подключен к минусу источника...

Номер патента: 1097966

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Макарычев, Сидаравичюс

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрическим, изображения, носителе, покрытием, скрытого, формирования, электростатического, электрофотографическом

...заряжается уже, до меньшего,чем в первый раз,напряжения (У -- МБ) и на поверхности носителя формируется при дозарядке зарядный контраст дд Поскольку фотополупроводниковый слой на проэкспонированных участках после. повторного осажде-. ния зарядов оказывается заряженным, можно повторить экспонирование того же оптического иэображения, в результате чего слой снова полностью разрядится, что уменьшает потенциал поверхности носи тел я наУ = О. Следующее эквипотенциальное осаждение заряда2сопровождается увеличением электростатического осаждения заряда, увеличением электростатического контраста на величину Ьц за счет осаждения зарядов на проэкспонированные участки2и соответствующим заряжением фотополу" проводникового слоя на этих участках и...

Номер патента: 302684

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ленинградский, Медведев

МПК: G03D 17/00

Метки: безвакуумного, изображения, скрытого, считывания, электрофотографического

...6, осциллогрено устроиство, рспособ.барабан 1 с фотополузарядное устройство 2,чик 4, усилитель 5,аф 7 и ключ К,еали ажение получено на м слое очувствленным ом, то для увеличения на одну и ту же вели- подложке подключаеттенциал положительной остатическое изображеочувствленным отрицадля увеличения потенподается на металлиГсли скрытое изобр фотополупроводниково положительным заряд потенциала всех точек чину к металлической ся дополнительный по полярности.Если скрытое электр ние получено на слое тельным зарядом, то пиала всех точек слоя ческую подложку дополнительный потенциа.отрицательной полярности.Таким образом, увеличением потенциалавсех точек облегчается процесс считыванияэлектрофотографического изображения бенарушения информации. 15...

Номер патента: 1420505

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Дерягин, Корпусов, Михович, Муллер, Топоров

МПК: G01N 27/60

Метки: двойного, диэлектрических, зарядов, контакте, плотности, поверхностью, слоя, твердой, частиц, электрического

...максимальный радиус площади контакта;5 л 1-г (ка К( - ---Ч ) (5)4 Е 16 -.,А = - -ба Ф 3(6) где. б - средняя плотность заряда наобкладках, имеющих формукруга радиуса а.Когда скорость столкновения частицы с преградой Ч меньше критической скорости Ч (частица прилипает), Ек с А. Когда скорость столкновения частицы с преградой Ч ) Ч , Ек .ъ А,При критической скорости Ч откр вечающей началу отскока: Е = А. (7)Подставляя в выражение (7) значения Ек из (2) и А из (б) с учетом (3) и (5)имеем216 . - 2 3 4 3 Ч- "- л б а = - -К3 3 2В контакте частицы с поверхностью мишени образуется двойной электрический слой, который можно рассматривать как заряженный плоский конденсатор. В этом случае процесс нарушения контакта эквивалентен процессу разведения...