Способ изготовления контактных растров

Номер патента: 1278797

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Лапчинская, Стрижкин

МПК: G03F 5/00, G03F 5/12

Метки: воспроизведения, изображений, использованием, нерегулярного, полиграфического, растра, цветных

...а конкретно к технологии воспроизведения цветных изображений с использованием нерегулярных растров. 5Целью изобретения является повышение качества полиграфического изображения при растрировании второго и последующих цветоделенных негативов или диапазотивов. 10При совмещении изображений, растрированных при помощи нерегулярного растра может возникать муар круговой формы. Заметность муаровой картины зависит от точности совмещения крас кооттисков, площади накладываемый участков и размеров элементов нерегулярного растра. Чем выше точность совмещения краскооттисков, больше площадь перекрываемых участков и 20 больше раэмерь 1 элементов нер егуляр ного растра, тем сильнее при печати проявляются муаровые искажения. физически муаровая картина...

Номер патента: 1649258

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Воронов, Орлов

МПК: G01B 11/16

Метки: деформаций, помощью, растр, растра

...поляризации каждой системы полос и ана О лнзатора 3. Таким образом получают две раздельные картины муаровых полос, несущие инФормацию о перемещециях точек исследуемого объекта в двух .различных направлениях. Ио муа ровым картинам определяют деФормации.Способ может быть реализован с помсщь 1 о различных устройств (фиг.2 а,б,в,По схеме (Фиг,2 а) анализатор 3 может быть размецен между растром 1 и 3 п источником 2 свата, а регистрация муаровых картин ведется раздельно двумя Фотокамерами 4, Каждая Фотокамера 4 регистрирует свою систему полос при совмещении плоскостей поляризации этой системы и анализатора 3. В результ ате наложения изображений недеФормированного и деФормированного растров 1 на негативах Фотокамер 4 образуются две...

Номер патента: 1789050

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Герхард, Гюнтер, Дитрих, Михаэль

МПК: G01P 3/36

Метки: объектов, рассеивающих, свет, скорости

...на общей подложке 12 на одной линии с постоянным расстоянием Я между ними. Это обеспечивает связь по фазе излучения фотодиодов в диапазоне от 0 до 180 О. Один лазерный диод 11 из диодов.11 не излучает (например, перекрытий). В результате распределение ближнего поля интенсивности имеет в этом месте провал (фиг. 3).Матрица 13 лазерных диодов (фиг 4) может иметь двухмерное расположение лазерных диодОв, например, содержать шесть полосок 14, в каждой из которых расположено по семь лазерных диодов 11. Полоски 14 разнесены на расстояние Д друг относительйо друга.Матрица 13 лазерных диодов приводит к распределению ближйего поля в виде 6 х 7 максимумов интенсивности, которые по оси Х имеют разнос Я, а по оси 2 - разнрс Д друг...

Номер патента: 170706

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Лти, Милославов, Опатозич

МПК: G03B 17/50

Метки: изображения, контактной, фоторегистрации

...что в 10 качестве иммерсионной жидкости используют обрабатывающий раствор, помещенный между торцом световода и фотографическим материалом.На чертеже представлена схема одного из т 5 возможных вариантов устройства для осуществления предложенного способа.Изображение строки, передаваемое свето- проводом на плоскость планшайбы 1, попадает на светочувствительный слой фотографическо го материала 2, передвигаемого ведущим валиком 3. Потери резкости изображения и контраста можно сниматьб между поверхностямиволоконной планшайоычения коэффициента преполняющей зазор, к значпреломления материалачувствительного слоя. Нтины обеспечивает прилесветопроьода. меньшением зазора эмульсионного слоя иприолижением зналомления среды, заению коэффициента...

Номер патента: 1686400

Опубликовано: 23.10.1991

Автор: Кособурд

МПК: G02B 27/44

Метки: изображения, когерентном, объектов, свете, свечением, собственным

...под углом уп к решетке на расстоянии йп от нее позволяет получить в одном из дифракционных порядков резкое изображение за счет того, что в оптической схеме с наклонной решеткой существует плоскостьсопряженная исследуемому обьекту,Существование сопряженной плоскости в предлагаемом устройстве можно доказать с помощью расчета поля в плоскости набюденя.Получив точное выражение для поля на произвольном расстоянии Р от решетки в параллельной ей плоскости через частотную характеристику свободного пространства, а затем перейдя к квадратичному приближению по ма: ому параметру- ширине спектра обьекта, получимЕв,),) б 01 бОгц 0(0102) ехрГ 101 ++ г 101 х ехрЯГ 202 + т 2023.где 90 (0102) = 3 Х Охс 4 У 0 Хо (хоуо) ехр(-(01 хс, + + 02 уо -...