Способ обнаружения сквозных дефектов в изделиях

Номер патента: 92606

Опубликовано: 01.01.1951

Авторы: Лайнер, Персианцева

МПК: B05B 1/22, C25D 3/54

Метки: висмута, гальванического, освинцованных, покрытия, свинцовых, слоем, сплавов, стальных, щелочном, электролите

...свинцовых сотличающийся тематода 0,5 а/дм и техокислого висмута 7565 г/л, едкого калия св висмута стальнь сс прово 70 - 75 ина 12 5 г/л п ия слоем лавов иличто проце пературег/л. глице 1ободного В ЩЕ,ЧОЧ 11 освипцованДЯТ ПРИ ПЛОТв электролит(0 МЛ/Л, ЕДКОГОВПННОЙ КИСЛО Известны кислые электролиты, предазачеыс для раф 1.:1- рОВания Висмута, нгпример 001)фтористоводородпьке эленролиты О:1- нано эти электро;ить не пригодны для получения сцепленных Впсмутовых покрытий на свпнце или освинцовапных изделия.". Описываемый способ гальванического покрытия озволяст получить висмутовыс покрытия па изделиях из свинца, свинцовых сплавов плн стальны; о(- ВипцОВапных изделиях и,ает ВОзмОжнОсть сооощнть пове 1)кОстям таких изделий антифрикцио 1 ые...

Номер патента: 826976

Опубликовано: 30.04.1981

Автор: Марсель

МПК: G01M 3/08

Метки: быть, газопроводах, газопрсеодахiизобретение, герметичность, известно, использовано, испытаниям, может, обнаружения, обнаружешга, относится, утечек

...теплоизолиро- .О ванной камерой, в которой размещен дат-" чик температуры и которая сообщается с газопроводом через отверстие, при этом диаметр отверстия выбирается из условия 2обеспечения равенства давлетяй в камере и газопроводе.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит камеру 1, снабженную тепловой изоляцией 2, через отверстие 3 камера 1 сообщается с гюо .троводом (не показан). В камере 1 размещен датчик 4 температуры, окруженный чехлом 5.Устройство работает следующим образом.При наличии в газопроводе утечки дав ление в нем падает Через отверстие Э падение давления распространяется в ка-, меру 1. Теплоизоляция 2 обусловливает адиабатнческий процесс расширения газа, сопровождающийся падением...

Номер патента: 1153281

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Останин, Сергеева, Чернов

МПК: G01N 27/90

Метки: неразрушающего, проводимости, слоем, тонким, удельной, электрической, электропроводящим

...контроля изделий смалой толщиной электропроводящегослоя. Цель изобретения - повышение точПоставленная цель достигается тем,Э 5 что устройство для неразрушающего контроля удельной электрической проводимости издепий с тонким электро- проводящим слоем, содержащее соеди 40 ненные последовательно генератор, вихретоковый преобразователь и блок обработки сигналов, второй вход которого подключен к генератору, и индикатор удельной электрической про 45 водимости, снабжено соединенными последовательно генератором радио- импульсов и икдуктором, соединенными последовательно блоком измерения температурного отклика и блоком перемно 50 жения сигналов, второй вход которого подключен к блоку обработки сигналов, а выход - к индикатору проводимости, и...

Номер патента: 1093969

Опубликовано: 23.05.1984

Автор: Волынец

МПК: G01N 31/08

Метки: анализа, веществ, пластинах, слоем, сорбента, тонким, хроматографического

...определения микроконцентрации веществ.Поставленная цель достигается 1 О тем, что согласно способу хроматографического анализа веществ на пластинах с тонким слоем сорбента, заключающемуся в нанесении анализируемого раствора веществ на начальную часть пластины, разделении компонентов пробы в токе элюента и идентификации разделенных компонентов, нанесение пробы проводят путем погружения в анализируемый раствор начальной частично пластины, которая выполнена в форме трапеции, сужающейся в направлении движения элюента, затем пробу на этом участке концентрируют путем подачи элюента, в котором скорость миграции всех компонентов почти одинакова, сушат, а разделение проводят на другой части пластины, выполненной в виде прямоугольника, в который...

Номер патента: 965157

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Бодулев, Константинов, Краснов, Леонов

МПК: G01N 23/00

Метки: активации, вещества, контроле, локальной, переноса, радиометрическом

...протонов, непрерывно изменяют угол падения пучка частиц наповерхность изделия и время облучения для каждого угла так, что времяоблучения обратно пропорциональноуглу падения.На фиг, 1 приведена схема облучения поверхности иэделия; на фиг, 2 график распределения активности рангдионуклидов по глубине изделия приоблучении изделия под углом ЗОО (нри.20 5 ни я актив ности радионуклидов получают, последовательно снимая шлифованием тщателЬно контролируемые слои и измеряя остающуюся активность 56 Со в метке с помощью одноканального сцинтилляционного спектрометра.30 значительная часть полученной кривой совпадает с кривой Ш, которая была бы получена н том же режиме при фиксированном угле облучения с(.=1 835 40 45 50 55 ЬО Ь 5 вая 1),...