Бодулев

Номер патента: 544284

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Алексеев, Бодулев, Константинов

МПК: G01N 23/221

Метки: активации, вращения, поверхности, тел

...проходит через центр облучаемого участка детали и непараллельна осям вращения барабана, 50 деталеи и оси пучка заряженных частиц.На фиг. 1 и 2 приведен общий вид устройства в разрезе в двух проекциях.55Устройство содержит камеру 1, фланец 2, коллиматор 3, Фольгу 4, уплотнение 5, штуцер 6, оливку 7,84 3облучаемую деталь 8, подставку 9, ось 10, барабан 11, ограничительныйдиск 12, вал 13, шестерню 14, неподвижную шестерню 15, фланец 16, поворотную крьппку 17, оливку 18, кронштейн 19, вал 20,Камера с помощью фланца 2 установлена на конце ионопровода циклотрона, Фланец несет на себе коллиматор 3, который определяет формупучка, проходящего в камеру иимеетФольгу 4, установленную на уплотнении 5 и разделяющую объемы камеры и ионопровода. Фланец...

Номер патента: 1053600

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Бодулев, Константинов, Краснов, Морозов, Огнев, Павлихин, Щербатых

МПК: G01T 1/29

Метки: мишеней, юстировки

...а также более эффективное использование интенсивности пучка частиц.Это достигается тем, что в устройстве для юстировки мишеней, содержащем подвижный патрубок с приспособлением для его перемещения иконцевой патрубок с многоламельнымидатчиками ионного .тока, подвижныйи концевой патрубки соединены с помощью рамки, причем рамка закреплена на фланце подвижного патрубка спомощью первой пары шарнирных пальцев, а вторая пара шарнирных пальцев связывает рамку с концевым патрубком, оси обеих пар шарнирныхпальцев взаимно перпендикулярныи лежат в одной плоскости, а входной многоламельный датчик ионноготока размещей в концевом патрубкетак, что его поверхность со стороны,пучка заряженных частиц лежит в плоскости шарнирных пальцев,На фиг. 1 и 2...

Номер патента: 965157

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Бодулев, Константинов, Краснов, Леонов

МПК: G01N 23/00

Метки: активации, вещества, контроле, локальной, переноса, радиометрическом

...протонов, непрерывно изменяют угол падения пучка частиц наповерхность изделия и время облучения для каждого угла так, что времяоблучения обратно пропорциональноуглу падения.На фиг, 1 приведена схема облучения поверхности иэделия; на фиг, 2 график распределения активности рангдионуклидов по глубине изделия приоблучении изделия под углом ЗОО (нри.20 5 ни я актив ности радионуклидов получают, последовательно снимая шлифованием тщателЬно контролируемые слои и измеряя остающуюся активность 56 Со в метке с помощью одноканального сцинтилляционного спектрометра.30 значительная часть полученной кривой совпадает с кривой Ш, которая была бы получена н том же режиме при фиксированном угле облучения с(.=1 835 40 45 50 55 ЬО Ь 5 вая 1),...