Модулятор сверхвысоких частот

Номер патента: 674193

Опубликовано: 15.07.1979

Автор: Бутенко

МПК: H03C 3/30

Метки: бегущей, волны, лампе, модулятор, фазовый

...ЛБВ 1, при этом неидеальность частотной характеристики и наличие существенной нелинейности переходной характеристики усилителя на транзисторе 4 не приводит к частотным инелинейным "искажениям модулирующегосигнала, так как в полосе модулирую, щих частот транзистор 4 заблокированконденсатором 10 и не участвует в процессе передачи модулирующего сигналана замедляющую систему. Влияние параэитной емкости база-коллектор транзистора 4 на модулирующий сигнал тока также несущественно благодаря включению в коллекторную цепь транзистора 4 развяэывающего резистора 8. Таким образом, транзистор 4 работаетв качестве усилителя постоянного тока, обеспечивая стабильную рабочуюточку ЛБВ 1 при незначительной мощности, потребляемой высокоомным делителем...

Номер патента: 1169136

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Веселов, Гуляев, Зборовский, Красников

МПК: H03C 3/16

Метки: волн, модулятор, электромагнитных

...установлена дополнительная пластина, которая выполнена изпьезоэлектрика и имеет равные с диэлектрической пластиной ширину итолщину, а электроакустический преобразователь размещен на дополнительной пластине с той же стороны, что и полупроводниковая пленка.1169136 Составитель В. ЩегловРедактор А. Сабо Техред Ж,Кастелевич Корректор Е. Сирохман Подписное Заказ 4627/52 Тираж 872ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 В 1Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в радиотехнических системах различного назначения.Цель изобретения - уменьшение начальных потерь.На чертеже представлен модулятор...

Номер патента: 1460789

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Воинов, Надыкто, Новиков, Ткаченко

МПК: B01J 3/08

Метки: вещество, воздействия, волн, давления, помощью, сверхвысокого, ударных

...зазор между ией и кернам.Ударная волна, прошедшая через дополнительную оболочку, сжимает воздух и падает 45на поверхность керна. Кинетическая зиергия дополнительной оболочки переходит во внутреннюю энергию сжатого воздуха и ве 50Формула из обре те ни я1, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ВЕЩЕСТВО С ПОМОЩЬЮ УДАРНЫХ ВОЛН СВЕРХВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, содержащее осесимметричный металлический керн с полостями для размещения веществ и соосную с кернам металлическую оболочку, идентичную по форме керну, с размещенным на ее наружной щества керна 1. Момент времени, когда переданная энергия максимальна, соответствует остановке внутренней оболочки 3, Время действия на вещество определяется массой дополнительной оболочки 3. Дополнительная...

Номер патента: 1410099

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Дударенко, Канатчиков, Соловьев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, источника, магнитного, магнитных, модуле, поля, смещения, цилиндрических

...параллельность поверхностей наконечников, Трудоемкостьизготовления Г-образных пластин посравнению с корпусом типа "пенал"снижается. Формула изобретения 10 Составитель Ю.Розенталь Редактор А,Лежнина Техред М.Ходанич Корректор Г,РешетникЗаказ 3485/48 Тираж 590 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открырий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Нроктая, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных 5 доменах (ЦИД).Целью изобретения является упрощение способа и повышение надежности изготовления источника магнитного поля смещения.На чертеже показана...

Номер патента: 1497582

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Ашанин, Малофей, Николаев, Степанов

МПК: G01R 21/04

Метки: мощности, проходящей, свч

...которой припаивают одним концом струну 6. После этого кронштейн 7 устанавливают в перевернутое положение, а свободный конец струны пропускают через нейзильберовую трубку 11 и отверстие в кронштейне узла 9. К свободному концу струны подвешивают груз, с помощью которого осуществляется предварительное дозированное натяжение струны, В растянутом положении струны второй конец рабочей части струны припаивают к нейзильберовой трубке. Таким образом, в струне создается натяжение с заданной силой. С помощью микровинта 14 осуществляется тонкая регулировка силы натяжения струны в процессе установления ее начальной резонансной частоты,Струна 6 (длина 20 мм, ширина100 мкм, толщина 5 мкм) помещена вполе постоянного магнита 8 с зазороммежду полюсами...